用于场效应晶体管的电子传输(n 沟道)聚合物半导体很少见。在这项研究中,报告了新的电子耗尽 N-烷基-2,2'-bithiophene-3,3'-dicarboximide 基 pi 共轭均聚物和包含 2,2'-bithiophene 单元的共聚物的合成和表征。一种新颖的设计方法使用计算建模来确定有利的单体特性,例如核心平面度、增溶取代基的可定制性和适当的电子亲和力,并获得令人满意的结果。合成单体模型化合物以确认这些特性,晶体结构显示出短的 3.43 A pi-pi 堆积距离和有利的增溶取代基取向。然后分别通过 Yamamoto 和 Stille 聚合合成了 10 种均聚物和联
噻吩共聚物。其中两种聚合物可在常见有机溶剂中加工:均聚物聚(N-(2-辛基
十二烷基)-2,2'-二
噻吩-3,3'-二甲
酰亚胺)(P1)表现出 n 沟道 FET 活性,共聚物poly(N-(2-octyldodecyl)-2