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N,N-dipropyl-N'-(1-naphthoyl)thiourea | 1533428-44-2

中文名称
——
中文别名
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英文名称
N,N-dipropyl-N'-(1-naphthoyl)thiourea
英文别名
——
N,N-dipropyl-N'-(1-naphthoyl)thiourea化学式
CAS
1533428-44-2
化学式
C18H22N2OS
mdl
——
分子量
314.451
InChiKey
DCRATVVTRJFBIE-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.98
  • 重原子数:
    22.0
  • 可旋转键数:
    5.0
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.33
  • 拓扑面积:
    32.34
  • 氢给体数:
    1.0
  • 氢受体数:
    2.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    N,N-dipropyl-N'-(1-naphthoyl)thioureacopper(II) sulfate乙醇 为溶剂, 以87%的产率得到bis[N,N-dipropyl-N'-(1-naphthoyl)thioureato]copper(II)
    参考文献:
    名称:
    使用单分子前驱体相控沉积硫化铜薄膜
    摘要:
    在此,我们描述了新配体 N,N-二乙基-N'-(1-萘甲酰基)硫脲 (1a) 和 N,N-二丙基-N'-(1-萘甲酰基)硫脲 (1b) 的合成和表征,以及它们与铜、双[N,N-二乙基-N'-(1-萘甲酰基)硫脲基]CuII (2a)和双[N,N-二丙基-N'-(1-萘甲酰基)硫脲基]CuII(2b)的络合物)。所有四种化合物(即 1a、1b、2a 和 2b)均通过元素分析、1H NMR 和 13C NMR 光谱以及 FTIR 光谱进行表征。化合物1a、1b和2b的结构通过单晶X射线衍射分析确定。2a 和 2b 的热重分析表明这两种化合物在 190 到 370 °C 之间分解。然后将化合物 2a 和 2b 用作单分子前体,用于通过气溶胶辅助化学气相沉积来沉积硫化铜薄膜。沉积薄膜的相和纯度通过粉末 X 射线衍射证实,这表明生长的薄膜仅由正交 (Cu7S4) 相组成。通过使用场发射扫描电子显微镜
    DOI:
    10.1002/ejic.201301008
  • 作为产物:
    描述:
    1-萘甲酰氯丙酮 为溶剂, 反应 2.58h, 生成 N,N-dipropyl-N'-(1-naphthoyl)thiourea
    参考文献:
    名称:
    使用单分子前驱体相控沉积硫化铜薄膜
    摘要:
    在此,我们描述了新配体 N,N-二乙基-N'-(1-萘甲酰基)硫脲 (1a) 和 N,N-二丙基-N'-(1-萘甲酰基)硫脲 (1b) 的合成和表征,以及它们与铜、双[N,N-二乙基-N'-(1-萘甲酰基)硫脲基]CuII (2a)和双[N,N-二丙基-N'-(1-萘甲酰基)硫脲基]CuII(2b)的络合物)。所有四种化合物(即 1a、1b、2a 和 2b)均通过元素分析、1H NMR 和 13C NMR 光谱以及 FTIR 光谱进行表征。化合物1a、1b和2b的结构通过单晶X射线衍射分析确定。2a 和 2b 的热重分析表明这两种化合物在 190 到 370 °C 之间分解。然后将化合物 2a 和 2b 用作单分子前体,用于通过气溶胶辅助化学气相沉积来沉积硫化铜薄膜。沉积薄膜的相和纯度通过粉末 X 射线衍射证实,这表明生长的薄膜仅由正交 (Cu7S4) 相组成。通过使用场发射扫描电子显微镜
    DOI:
    10.1002/ejic.201301008
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