bis(acetylacetonato)dibutoxytitanium | 16902-59-3

• 物质功能分类: 有机原料 - 有机金属类化合物 - 有机钛
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: bis(acetylacetonato)dibutoxytitanium
• 英文别名: titanium acetylacetonate butoxide；bis(2,4-pentanedionate)titanium dibutoxide；Dibutoxybis(pentane-2,4-dionato-O,O')titanium；butan-1-olate;(Z)-4-oxopent-2-en-2-olate;titanium(4+)
• CAS: 16902-59-3
• 化学式: C₁₈H₃₂O₆Ti
• 分子量: 392.328
• InChiKey: SNGBJBMVMHFZON-VGKOASNMSA-L

物化性质

• 密度：
  1,085 g/cm3
• 闪点：
  >110°C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.03
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.67
• 拓扑面积：
  126
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

安全信息

• TSCA：
  Yes
• 安全说明：
  S16,S26,S36/37/39
• 危险类别码：
  R36/37/38

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  strontium(II) carbonate 、 bis(acetylacetonato)dibutoxytitanium 、 bismuth(III) acetate 以 乙酸酐 、 溶剂黄146 为溶剂， 生成 bismuth strontium titanate
  参考文献：
  名称：

  高c轴取向化学溶液沉积衍生SrBi4Ti4O15薄膜的介电性能

  摘要：

  SrBi4Ti4O15 的 C 轴取向薄膜是通过化学溶液沉积法制备的。研究了前驱体化学和加工条件对所得薄膜形态和 SrBi4Ti4O15 薄膜介电性能的影响。通过控制成膜过程，在600℃和700℃的温度下，在(111)Pt/Si衬底上获得了高c轴取向的SrBi4Ti4O15薄膜。薄膜的介电常数约为 200，与 55 至 160 nm 的薄膜厚度无关。随着温度从 25 °C 升高到 200 °C，介电常数也显示出稳定值。在 500 kV/cm 的施加电场下，薄膜在 125 °C 下的漏电流约为 10-7 A/cm2。这些薄膜表现出稳定的介电常数和优异的绝缘性能。

  DOI：

  10.1002/pssa.200824317