bis(acetylacetonato)dibutoxytitanium | 16902-59-3

• 物质功能分类: 有机原料 - 有机金属类化合物 - 有机钛
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: bis(acetylacetonato)dibutoxytitanium
• 英文别名: titanium acetylacetonate butoxide；bis(2,4-pentanedionate)titanium dibutoxide；Dibutoxybis(pentane-2,4-dionato-O,O')titanium；butan-1-olate;(Z)-4-oxopent-2-en-2-olate;titanium(4+)
• CAS: 16902-59-3
• 化学式: C₁₈H₃₂O₆Ti
• 分子量: 392.328
• InChiKey: SNGBJBMVMHFZON-VGKOASNMSA-L

物化性质

• 密度：
  1,085 g/cm3
• 闪点：
  >110°C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.03
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.67
• 拓扑面积：
  126
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

安全信息

• TSCA：
  Yes
• 安全说明：
  S16,S26,S36/37/39
• 危险类别码：
  R36/37/38

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  strontium(II) carbonate 、 bis(acetylacetonato)dibutoxytitanium 、 bismuth(III) acetate 以 乙酸酐 、 溶剂黄146 为溶剂， 生成 bismuth strontium titanate
  参考文献：
  名称：

  高c轴取向化学溶液沉积衍生SrBi4Ti4O15薄膜的介电性能

  摘要：

  SrBi4Ti4O15 的 C 轴取向薄膜是通过化学溶液沉积法制备的。研究了前驱体化学和加工条件对所得薄膜形态和 SrBi4Ti4O15 薄膜介电性能的影响。通过控制成膜过程，在600℃和700℃的温度下，在(111)Pt/Si衬底上获得了高c轴取向的SrBi4Ti4O15薄膜。薄膜的介电常数约为 200，与 55 至 160 nm 的薄膜厚度无关。随着温度从 25 °C 升高到 200 °C，介电常数也显示出稳定值。在 500 kV/cm 的施加电场下，薄膜在 125 °C 下的漏电流约为 10-7 A/cm2。这些薄膜表现出稳定的介电常数和优异的绝缘性能。

  DOI：

  10.1002/pssa.200824317

文献信息

• Dielectric properties of highly<i>c</i>-axis oriented chemical solution deposition derived SrBi₄Ti₄O₁₅thin films
  作者：Hiroyuki Kambara、Theodor Schneller、Yukio Sakabe、Rainer Waser

  DOI：10.1002/pssa.200824317

  日期：2009.1

  C-axis oriented thin films of SrBi4Ti4O15 were prepared by a chemical solution deposition method. The influence of precursor chemistry and processing conditions on the resulting film morphology and the dielectric properties of SrBi4Ti4O15 thin films were investigated. By controlling the film formation process, highly c-axis oriented SrBi4Ti4O15 thin films on (111)Pt/Si substrates were obtained at temperatures

  SrBi4Ti4O15 的 C 轴取向薄膜是通过化学溶液沉积法制备的。研究了前驱体化学和加工条件对所得薄膜形态和 SrBi4Ti4O15 薄膜介电性能的影响。通过控制成膜过程，在600℃和700℃的温度下，在(111)Pt/Si衬底上获得了高c轴取向的SrBi4Ti4O15薄膜。薄膜的介电常数约为 200，与 55 至 160 nm 的薄膜厚度无关。随着温度从 25 °C 升高到 200 °C，介电常数也显示出稳定值。在 500 kV/cm 的施加电场下，薄膜在 125 °C 下的漏电流约为 10-7 A/cm2。这些薄膜表现出稳定的介电常数和优异的绝缘性能。