2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heotanedionatestrontium | 36830-74-7

• 物质功能分类: 有机原料 - 有机金属类化合物 - 有机铋、钴、镨、钆、镓、铱、铼、钇、铽等
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heotanedionatestrontium
• 英文别名: bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) strontium；bis(tetramethylheptanedionato)strontium；Sr(dpm)2；Strontium;2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione；strontium;2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione
• CAS: 36830-74-7
• 化学式: C₂₂H₃₈O₄Sr
• 分子量: 454.161
• InChiKey: NQRZGGNEAUSOLI-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  110-112°C
• 沸点：
  230°C/0.7mm
• 闪点：
  230°C/0.7mm subl.

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.46
• 重原子数：
  27
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.73
• 拓扑面积：
  68.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

安全信息

• 安全说明：
  S26,S36/37/39
• 危险类别码：
  R36/37/38
• WGK Germany：
  3
• 海关编码：
  2914190090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heotanedionatestrontium 在 H₂O 、 Ar 作用下， 以 水 为溶剂， 生成 strontium(II) oxide
  参考文献：
  名称：

  使用常规金属有机前驱体的 SrTiO[sub 3] 薄膜的化学共形 ALD

  摘要：

  SrTiO 3 (STO) 薄膜分别通过原子层沉积 (ALD) 技术使用常规金属有机前体 Sr(C 1 1 H 1 9 O 2 ) 2 在 Si 晶片、Pt 和 Ru 涂层的 Si 晶片上生长(Sr(thd) 2 ) 和 Ti(Oi-C 3 H 7 ) 4 (TTIP) 分别作为 Sr- 和 Ti- 前体，在 250 摄氏度的晶片温度下使用远程等离子体激活的 H 2 O 蒸气作为氧化剂℃。使用具有直径为 0.13 和 1 μm 深度（纵横比为 8）的接触孔的图案化硅晶片，以测试接触孔表面上的薄膜厚度和阳离子组成共形性。STO 膜的 ALD 行为严重依赖于 Sr(thd) 2 源加热温度。当 Sr 源温度约为 200°C 时。这种困难导致沿接触孔的阳离子组成比不均匀。

  DOI：

  10.1149/1.1869292
• 作为产物：
  描述：

  2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮 、 氢化锶 以 甲苯 为溶剂， 生成 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heotanedionatestrontium
  参考文献：
  名称：

  RAW MATERIAL FOR FORMING A STRONTIUM-CONTAINING THIN FILM AND PROCESS FOR PREPARING THE RAW MATERIAL

  摘要：

  本发明提供了一种用于形成环戊二烯基锶化合物的含锶薄膜的原料，该化合物在室温至50°C时处于液态，可通过蒸馏纯化，以单体形式存在，具有高蒸汽压，适合大规模生产，以及制备该原料的方法。通过将Na[C5(CH3)4(C3H7)]2或K[C5(CH3)4(C3H7)]2与SrI2在THF中反应制备Sr[C5(CH3)4(C3H7)]2的THF加合物；蒸发THF并用甲苯提取残渣以得到甲苯溶液；蒸发甲苯并在减压下干燥残渣；在真空中加热至100至160°C以解离和去除THF并进行蒸馏。

  公开号：

  US20090001618A1

文献信息

• Ultrathin SrTiO₃ films prepared by chemical vapor deposition on Nb‐doped SrTiO₃ substrates
  作者：Masahiro Kiyotoshi、Kazuhiro Eguchi

  DOI：10.1063/1.114610

  日期：1995.10.23

  The SrTiO3 ultrathin film capacitors were realized on Nb‐doped single‐crystal SrTiO3 substrates by chemical vapor deposition. The leakage current density of 10.4 nm thick SrTiO3 thin‐film capacitor was below 1×10−8 A/cm2 in the applied voltage range of −1.8 to +0.45 V, and its SiO2 equivalent thickness was 0.48 nm. The relative dielectric constant was over 160 for SrTiO3 thickness above 20 nm, but

  通过化学气相沉积在 Nb 掺杂的单晶 SrTiO3 衬底上实现了 SrTiO3 超薄膜电容器。10.4 nm 厚 SrTiO3 薄膜电容器的漏电流密度在 -1.8 至 +0.45 V 的施加电压范围内低于 1×10-8 A/cm2，其 SiO2 等效厚度为 0.48 nm。SrTiO3 厚度大于 20 nm 时相对介电常数超过 160，但 SrTiO3 厚度小于 20 nm 时相对介电常数降低。漏电流对 SrTiO3 膜厚的依赖性很小。这些结果可以通过在 SrTiO3/电极界面附近存在外加电场集中来解释。
• Lowering of Leakage Current Density of ( Ba , Sr ) TiO3 Thin Films by Pulse Injection Deposition
  作者：Ho Jin Cho、Hyeong Joon Kim

  DOI：10.1149/1.1838888

  日期：1998.11.1

  (Ba, Sr)TiO 3 (BST) thin films were prepared on Pt/SiO 2 /Si substrates by low pressure metallorganic chemical vapor deposition using Ba(C 11 H 19 O 2 ) 2 [Ba(TMHD) 2 ], Sr(C 11 H 19 O 2 ) 2 [Sr(TMHD) 2 ], and Ti(O-i-C 2 H 7 ) 4 . The effects of deposition parameters on the film growth characteristics were systematically investigated. With increasing [Ba + Sr]/[Ti] ratio from 0.8 to 1.2, the grain

  (Ba, Sr)TiO 3 (BST) 薄膜通过低压金属有机化学气相沉积使用 Ba(C 11 H 19 O 2 ) 2 [Ba(TMHD) 2 ], Sr( C 11 H 19 O 2 ) 2 [Sr(TMHD) 2 ]和Ti(OiC 2 H 7 ) 4 。系统地研究了沉积参数对薄膜生长特性的影响。随着[Ba + Sr]/[Ti]比从0.8增加到1.2，BST薄膜的晶粒形状从圆形变为三角形，晶粒尺寸和表面粗糙度增加。通过脉冲注入沉积的 BST 薄膜的介电常数略高于连续沉积的 BST 薄膜。此外，泄漏电流降低了一个数量级。脉冲 BST 薄膜电性能的改善似乎源于脉冲沉积过程中更好的结晶度和更少的碳污染。35 nm 厚的 Ba 0.35 Sr 0.65 TiO 3 薄膜在 550°C 下通过脉冲注入沉积并在 600°C 下在 O 2 气氛中进行 30 分钟的后退火显示出 0.64 nm 的氧化物等效厚度，1
• Lateral-type intrinsic Josephson junctions using Y1Ba2Cu3O7 − δ and Bi2Sr2Ca1Cu2O8 + δ films
  作者：Yoshihiro Ishimaru、Wen Jianguo、Tadashi Utagawa、Naoki Koshizuka、Youichi Enomoto

  DOI：10.1016/s0921-4534(97)01538-4

  日期：1997.12

  We observed the Josephson effect with hysteretic I-V characteristics on lateral-type grain boundary junctions using Y1Ba2Cu3O7-delta (YBCO) and Bi2Sr2Ca1Cu2O8+delta(BSCCO) films. In the case of YBCO, grain boundaries consisting of an a-axis oriented needle-like,main surrounded by c-axis oriented grains are used for Josephson junctions. The junctions using as-grown films without annealing did not show hysteretic I-V characteristics, but they show RSJ-type I-V characteristics with no hysteresis. after appropriate annealing in pure Ar, this junction property changes to have hysteretic I-V characteristics. In the case of BSCCO, grain boundaries consisting of a (110) oriented needle like grain surrounded by (001) oriented grains sire used. Hysteretic I-V characteristics are observed for the sample, indicating the presence of the intrinsic Josephson effect caused by stacked CuO2 double layers along the c-direction. (C) 1997 Elsevier Science B.V.
• RAW MATERIAL FOR FORMING A STRONTIUM-CONTAINING THIN FILM AND PROCESS FOR PREPARING THE RAW MATERIAL
  申请人：KADOKURA Hidekimi

  公开号：US20090001618A1

  公开（公告）日：2009-01-01

  The present invention provides a raw material for forming a strontium-containing thin film of a cyclopentadienyl-based strontium compound, which is in the liquid state at room temperature to 50° C., can be purified by distillation, present as a monomer, has high vapor pressure, and suitable for mass production, and a process for preparing the same. Sr[C 5 (CH 3 ) 4 (C 3 H 7 )] 2 is prepared by reacting Na[C 5 (CH 3 ) 4 (C 3 H 7 )] 2 or K[C 5 (CH 3 ) 4 (C 3 H 7 )] 2 with SrI 2 in THF to produce a THF adduct of Sr[C 5 (CH 3 ) 4 (C 3 H 7 )] 2 ; evaporating THF and extracting the residue with toluene to give a toluene solution; evaporating toluene and drying the residue under reduced pressure; and heating to 100 to 160° C. in vacuo to dissociate and remove THF and distilling.

  本发明提供了一种用于形成环戊二烯基锶化合物的含锶薄膜的原料，该化合物在室温至50°C时处于液态，可通过蒸馏纯化，以单体形式存在，具有高蒸汽压，适合大规模生产，以及制备该原料的方法。通过将Na[C5(CH3)4(C3H7)]2或K[C5(CH3)4(C3H7)]2与SrI2在THF中反应制备Sr[C5(CH3)4(C3H7)]2的THF加合物；蒸发THF并用甲苯提取残渣以得到甲苯溶液；蒸发甲苯并在减压下干燥残渣；在真空中加热至100至160°C以解离和去除THF并进行蒸馏。
• Chemically Conformal ALD of SrTiO[sub 3] Thin Films Using Conventional Metallorganic Precursors
  作者：Oh Seong Kwon、Seong Keun Kim、Moonju Cho、Cheol Seong Hwang、Jaehack Jeong

  DOI：10.1149/1.1869292

  日期：——

  SrTiO 3 (STO) thin films were grown on Si wafer, Pt- and Ru-coated Si wafers, respectively, by an atomic layer deposition (ALD) technique using conventional metallorganic precursors, Sr(C 1 1 H 1 9 O 2 ) 2 (Sr(thd) 2 ) and Ti(Oi-C 3 H 7 ) 4 (TTIP) as Sr- and Ti-precursors, respectively, with a remote-plasma activated H 2 O vapor as the oxidant at a wafer temperature of 250°C. Patterned Si wafers with

  SrTiO 3 (STO) 薄膜分别通过原子层沉积 (ALD) 技术使用常规金属有机前体 Sr(C 1 1 H 1 9 O 2 ) 2 在 Si 晶片、Pt 和 Ru 涂层的 Si 晶片上生长(Sr(thd) 2 ) 和 Ti(Oi-C 3 H 7 ) 4 (TTIP) 分别作为 Sr- 和 Ti- 前体，在 250 摄氏度的晶片温度下使用远程等离子体激活的 H 2 O 蒸气作为氧化剂℃。使用具有直径为 0.13 和 1 μm 深度（纵横比为 8）的接触孔的图案化硅晶片，以测试接触孔表面上的薄膜厚度和阳离子组成共形性。STO 膜的 ALD 行为严重依赖于 Sr(thd) 2 源加热温度。当 Sr 源温度约为 200°C 时。这种困难导致沿接触孔的阳离子组成比不均匀。