1,1'-dimethylmanganocene | 32985-17-4

• 物质功能分类: 有机原料 - 有机金属类化合物
• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物 - 不饱和烃
• 英文名称: 1,1'-dimethylmanganocene
• 英文别名: (η5-C5H4(CH3))2Mn；bis(methylcyclopentadienyl)manganese；bis(monomethylcyclopentadienyl)manganese(II)；bis(methylcyclopentadienyl)manganese(II)；MeCp2Mn
• CAS: 32985-17-4
• 化学式: C₁₂H₁₄Mn
• 分子量: 213.181
• InChiKey: QZWPOKCFDVWLSU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.82
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.17
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,1'-dimethylmanganocene 、 1,2-双(二甲基瞵)乙烷 以 light petroleum 为溶剂， 以60%的产率得到bis(methylcyclopentadienyl)-1,2-bis-(dimethylphosphino)ethanemanganese
  参考文献：
  名称：

  锰 (II) 二环戊二烯化物的叔膦加合物。倾斜环戊二烯基环的磁性研究和结构表征

  摘要：

  测定par衍射RX des结构晶体destrois组成(C 5 H 5 ) 2 Mn(PMe 3 )、(C 5 H 5 ) 2 Mn(PMePh 2 ) et (C 5 H 5 ) 2 Mn(dmpe)。Specters RPE 和磁敏感测定

  DOI：

  10.1021/ja00319a022
• 作为产物：
  描述：

  (η5-methylcyclopentadienyl)(μ-chloro)(tetrahydrofuran)manganese(II) dimer 以 二氧六环-d8 为溶剂， 生成 1,1'-dimethylmanganocene
  参考文献：
  名称：

  Köhler, Frank H.; Hebendanz, Nikolaus; Müller, Gerhard, Organometallics, 1987, vol. 6, # 1, p. 115 - 125

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Structural and magnetic properties in Mn-doped GaN grown by metal organic chemical vapor deposition
  作者：X. G. Cui、Z. K. Tao、R. Zhang、X. Li、X. Q. Xiu、Z. L. Xie、S. L. Gu、P. Han、Y. Shi、Y. D. Zheng

  DOI：10.1063/1.2909545

  日期：2008.4.14

  Mn-doped GaN epitaxial films (Ga1−xMnxN) were grown on sapphire (0001) by metal organic chemical vapor deposition. Mn concentration was determined by energy dispersive spectrometry. For Ga1−xMnxN with x up to 0.027, no secondary phases except for GaN were detected by high resolution x-ray diffractometer. Raman scattering spectra show that the longitudinal optical phonon mode A1(LO) of Ga1−xMnxN shifts

  通过金属有机化学气相沉积在蓝宝石 (0001) 上生长 Mn 掺杂的 GaN 外延膜 (Ga1-xMnxN)。Mn浓度通过能量色散光谱法测定。对于 x 高达 0.027 的 Ga1-xMnxN，高分辨率 X 射线衍射仪未检测到除 GaN 之外的第二相。拉曼散射光谱表明，由于置换的 Mn 掺入，随着 Mn 浓度的增加，Ga1-xMnxN 的纵向光学声子模式 A1(LO) 向较低频率移动。进行了电子自旋共振 (ESR) 测量，高度各向异性的六重超细线表明电离的 Mn2+ 替代了 Ga3+ 离子。然而，磁力测量显示所有同质的 Ga1-xMnxN 都表现出类似顺磁性的行为。从布里渊函数拟合和 ESR 谱，
• Atomic layer epitaxy of GaMnAs on GaAs(001)
  作者：M. Ozeki、T. Haraguchi、A. Fujita

  DOI：10.1002/pssa.200674101

  日期：2007.4

  A self-limiting mechanism in atomic layer epitaxy (ALE) has been investigated for the heterogrowth of GaMnAs on GaAs(001) substrate. In the ALE, trimethylgallium, bismethylcyclopentadienylmanganese and trisdimethylaminoarsine were used as source materials of gallium, manganese and arsenic atoms, respectively. Although the growth of GaMnAs was carried out at a high growth temperature of 500 °C, a distinct

  已经研究了原子层外延 (ALE) 中 GaMnAs 在 GaAs(001) 衬底上异质生长的自限机制。在ALE中，三甲基镓、双甲基环戊二烯基锰和三甲基氨基胂分别用作镓、锰和砷原子的源材料。尽管 GaMnAs 的生长是在 500 °C 的高生长温度下进行的，但对于高达 6% 的锰合金成分，观察到了明显的自限机制，并且外延层没有包含 MnAs 相的迹象。该层显示出反映自限生长的原子级平坦表面形态。自限机制很大程度上受GaMnAs外延层和GaAs衬底之间的晶格失配的影响。当锰合金成分超过7%时，
• Versatile Routes to Mono- and Bis(alkynyl) Manganese(II) and Manganese(III) Complexes via Manganocenes
  作者：Dieter Unseld、Vassily V. Krivykh、Katja Heinze、Ferdinand Wild、Georg Artus、Helmut Schmalle、Heinz Berke

  DOI：10.1021/om9810549

  日期：1999.4.1

  With the manganocenes (RC5H4)2Mn (R = H, Me) as starting materials, paramagnetic d5 half-sandwich complexes (RC5H4)Mn(dmpe)(C⋮CR‘) (dmpe = 1,2-bis(dimethylphosphino)ethane; R = Me, R‘ = Ph, 1a; R = Me, R‘ = SiMe3, 2a; R = H, R‘ = Ph, 1b; R = H, R‘ = SiMe3, 2b) have been prepared by the reaction with terminal or SnMe3-substituted acetylenes and dmpe. The derivatives 1a and 2a could be isolated, while

  以锰茂（RC 5 H 4）2 Mn（R = H，Me）为起始原料，顺磁性d 5半三明治复合物（RC 5 H 4）Mn（DMPe）（C⋮CR'）（DMPe = 1， 1,2-双（二甲基膦基）乙烷; R = Me中，R '=苯基，1A ; R = Me中，R'=森达3，图2a ; R = H，R '=苯基，1B ; R = H，R'=森达3，图2b）已经制备通过与终端或SnMe反应3个取代的乙炔和DMPE。衍生物1a和2a可以分离，而1b和2b已经鉴定出与双（DMPe）双（乙炔）锰物种3（R'= Ph）和4（R'= SiMe 3）的混合物。当锰茂与DMPe和相应的乙炔以1：2：2的比例反应时，后一种化合物作为唯一产物获得。1a和2a可以可逆地氧化为相应的阳离子Mn（III）络合物[（MeC 5 H 4）Mn（DMPe）（C⋮CR'）] [BF 4 ]（R'= Ph，[ 1a ] + ; R '=
• Positron annihilation in (Ga, Mn)N: A study of vacancy-type defects
  作者：X. L. Yang、W. X. Zhu、C. D. Wang、H. Fang、T. J. Yu、Z. J. Yang、G. Y. Zhang、X. B. Qin、R. S. Yu、B. Y. Wang

  DOI：10.1063/1.3120267

  日期：2009.4.13

  The vacancy-type defects in (Ga,Mn)N films grown by metal organic chemical vapor deposition were studied by positron annihilation technique. Doppler broadening spectra were measured for the films. Compared to the undoped GaN film, the positron trapping defects in the (Ga,Mn)N films have been changed to a new type defects and its concentration increases with the increasing Mn concentration. By analyzing

  采用正电子湮没技术研究了金属有机化学气相沉积法生长的(Ga,Mn)N薄膜中的空位型缺陷。测量薄膜的多普勒展宽光谱。与未掺杂的GaN薄膜相比，(Ga,Mn)N薄膜中的正电子俘获缺陷已转变为一种新型缺陷，其浓度随着Mn浓度的增加而增加。通过分析 SW 相关图和我们之前的结果，我们将 (Ga,Mn)N 中的此类缺陷确定为 VN-MnGa 复合物。在了解实际 (Ga,Mn)N 系统中的磁性时，应考虑此类缺陷。