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(2Z)-4-[(2-ethylhexyl)amino]-4-oxo-2-butenoic acid | 6975-33-3

中文名称
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中文别名
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英文名称
(2Z)-4-[(2-ethylhexyl)amino]-4-oxo-2-butenoic acid
英文别名
4-[(2-Ethylhexyl)amino]-4-oxoisocrotonic acid;(Z)-4-(2-ethylhexylamino)-4-oxobut-2-enoic acid
(2Z)-4-[(2-ethylhexyl)amino]-4-oxo-2-butenoic acid化学式
CAS
6975-33-3
化学式
C12H21NO3
mdl
——
分子量
227.304
InChiKey
GKRPTTYZZLGANE-FPLPWBNLSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.4
  • 重原子数:
    16
  • 可旋转键数:
    8
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.67
  • 拓扑面积:
    66.4
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    3

反应信息

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文献信息

  • A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising two types of corrosion inhibitors
    申请人:BASF SE
    公开号:EP2502969A1
    公开(公告)日:2012-09-26
    A chemical-mechanical polishing ("CMP") composition (P) comprising (A) inorganic particles, organic particles, or a mixture or composite thereof, (B) at least one type of N-heterocyclic compound as corrosion inhibitor, (C) at least one type of a further corrosion inhibitor selected from the group consisting of: (C1) an acetylene alcohol, and (C2) a salt or an adduct of (C2a) an amine, and (C2b) a carboxylic acid comprising an amide moiety, (D) at least one type of an oxidizing agent, (E) at least one type of a complexing agent, and (F) an aqueous medium.
    一种化学机械抛光("CMP")组合物(P),包括 (A) 无机颗粒、有机颗粒或它们的混合物或复合材料、 (B) 作为缓蚀剂的至少一种 N-杂环化合物、 (C) 至少一种选自以下组别的进一步缓蚀剂 (C1) 乙炔醇,和 (C2) 以下物质的盐或加合物 (C2a) 一种胺,和 (C2b) 包含酰胺分子的羧酸的盐或加合物、 (D) 至少一种氧化剂、 (E) 至少一种络合剂,以及 (F) 水介质。
  • Gefüllte Polyesterharz-Formmasse
    申请人:BASF Aktiengesellschaft
    公开号:EP0294772B1
    公开(公告)日:1992-10-14
  • Reinigungsmittel, Verfahren zur Herstellung des Reinigungsmittels sowie seine Verwendung
    申请人:BASF Coatings Aktiengesellschaft
    公开号:EP0670380B1
    公开(公告)日:1999-05-06
  • A CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) COMPOSITION COMPRISING TWO TYPES OF CORROSION INHIBITORS
    申请人:BASF SE
    公开号:EP2688966A1
    公开(公告)日:2014-01-29
  • A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-xGex MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION COMPRISING A SPECIFIC ORGANIC COMPOUND
    申请人:BASF SE
    公开号:EP2742103B1
    公开(公告)日:2016-09-21
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