二乙基碲 | 627-54-3

• 物质功能分类: 有机原料 - 有机金属盐
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物 - 有机含氧阴离子化合物
• 中文名称: 二乙基碲
• 英文名称: diethyl telluride
• 英文别名: Diethyltellurid；ethyltellanylethane
• CAS: 627-54-3
• 化学式: C₄H₁₀Te
• 分子量: 185.723
• InChiKey: ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  137-138 °C(lit.)
• 密度：
  1.5990
• 闪点：
  42 °C
• 稳定性/保质期：

  在常温常压下，该物质是稳定的。但在空气中容易氧化自燃，并且与水分反应会变得非常剧烈。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.96
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

ADMET

毒理性

• 副作用

神经毒素 - 其他中枢神经系统神经毒素

Neurotoxin - Other CNS neurotoxin

来源:Haz-Map, Information on Hazardous Chemicals and Occupational Diseases

毒理性

• 毒性数据

大鼠LC50 = 24毫克/立方米/4小时

LC50 (rat) = 24 mg/m3/4hr

来源:Haz-Map, Information on Hazardous Chemicals and Occupational Diseases

安全信息

• 危险等级：
  4.2
• 危险品标志：
  T
• 安全说明：
  S36/37,S45
• 危险类别码：
  R23/24/25,R10
• RTECS号：
  KI8190000
• 海关编码：
  2853009090
• 包装等级：
  I
• 危险类别：
  4.2
• 危险品运输编号：
  UN 3203
• 储存条件：
  常温、密闭、避光、通风干燥处保存。 二乙基碲无腐蚀性，在室温下可用的包装材质包括碳钢、不锈钢、镍、铜、黄铜、聚三氟氯乙烯和聚四乙烯。该金属有机化合物厌氧厌水，易在空气中自燃，因此反应需在惰性气体氛围中进行，并置于排风柜内。工作人员应穿戴耐火手套、靴子、围裙以及浸镀铅的石棉护具或浸镀铝的玻璃纤维护具。工作场所必须配备耐火石棉盖、二氧化碳灭火器（用于扑灭小火）及干粉灭火剂。 为防止金属粒子污染，二乙基碲通常使用内壁涂层的不锈钢鼓泡瓶封装，并确保阀门接管畅通无阻。瓶内空间充高纯氮气保护后应关严阀门并拧紧封头。高纯二乙基碲应存放在冰箱中。危险货物包装标志需符合GB190的规定，而贮运指示标志则须遵循GB191的标准。 产品出口时的运输应参照美国DOT规则GFR部分的相关规定执行。在实际运输过程中，瓶外应用充氮气的软包装袋保护，并放入塑料袋中，然后封入内衬有无机防火材料的铁盒中，并固定于木箱中。二乙基碲的使用需遵守有关可燃、有毒物质的安全规定及“通则”中的相关规定。

制备方法与用途

物理性质

二乙基碲在常温常压下为具有强烈大蒜臭味的淡黄色液体，剧毒。它在空气中不稳定，在室温下容易着火。几乎不溶于水，但可溶于乙醇。

用途

二乙基碲是一种有机金属化合物，主要用于制备红外探测材料；制备CdHgTe的碲源；以及制备II ~ VI族含碲的半导体化合物。

合成方法

采用甲醛（HCHO）、亚硫酸钠二水合物（NaHSO3·2H2O）直接与碲等原料在碱性条件下反应。该反应在惰性气氛中进行。将反应原料置于合成装置中，在氮气保护下加热并搅拌，直至反应终止。随后在氮气保护下通过水蒸气蒸馏、干燥和减压蒸馏步骤可得到高纯度的液体产品。

贮存方法

二乙基碲应在常温条件下密闭、避光、通风干燥处储存。该物质无腐蚀性，可在室温下使用碳钢、不锈钢、镍、铜、黄铜、聚三氟氯乙烯和聚四乙烯等材质进行包装。然而，由于二乙基碲是厌氧且易水解的，在空气中极易自燃，因此必须在惰性气体气氛中进行反应，并将反应装置置于排风柜内。工作人员应穿戴耐火的手套、靴子、围裙以及浸镀铅或铝的防护装备。

生产方法

采用甲醛（HCHO）、亚硫酸钠二水合物（NaHSO3·2H2O）直接与碲等原料在碱性条件下反应，该反应需在惰性气氛中进行。将反应原料置于合成装置中，在氮气保护下加热并搅拌，直至反应终止。随后在氮气保护下通过水蒸气蒸馏、干燥和减压蒸馏步骤可得到高纯度的液体产品。

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二乙基碲 在 cadmium telluride 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 碲化氢
  参考文献：
  名称：

  Faerman, V. I.; Zorin, A. D.; Gurylev, B. V., Journal of general chemistry of the USSR, 1990, vol. 60, p. 1313 - 1319

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  溴乙烷 在 lithium telluride 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以85%的产率得到二乙基碲
  参考文献：
  名称：

  Bhasin, K K; Gupta, Vijay; Sharma, R P, Indian Journal of Chemistry, Section A: Inorganic, Physical, Theoretical and Analytical, 1991, vol. 30, # 7, p. 632 - 634

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Coordination and Rearrangement of Organic Chalcogenides on a Rhodium−Rhodium Bond:  Reactions with Strained-Ring Cyclic Thioethers and with Selenium and Tellurium Ligands
  作者：Michael P. Devery、Ron S. Dickson、Brian W. Skelton、Allan H. White

  DOI：10.1021/om990254x

  日期：1999.12.1

  thioethers L = and were added to [(η5-C5H5)2Rh2(μ-CO)(μ-η2:η2-CF3C2CF3)] (1), the coordinative addition products [(η5-C5H5)2Rh2(CO)(μ-η1:η1-CF3C2CF3)L] (2a−c) were formed reversibly. When it is left in solution in the presence of excess ligand, the propylene sulfide complex 2b (L = transforms to the bridging sulfido complex [(η5-C5H5)2Rh2μ-η1:η1:η2-C(O)C(CF3)C(CF3)}(μ-S)] (3a). A similar reaction occurred

  当环状硫醚L =和加入到[（η 5 -C 5 H ^ 5）2的Rh 2（μ-CO）（μ-η 2：η 2 -CF 3 c ^ 2 CF 3）]（1），所述协调加成产物[（η 5 -C 5 H ^ 5）2的Rh 2（CO）（μ-η 1：η 1 -CF 3 c ^ 2 CF 3）L]（2A - ç ）是可逆地形成的。当它被留在溶液中过量的配体中，丙烯硫化物复合物的存在2B（L =变换到桥接硫代络合物[（η 5 -C 5 H ^ 5）2的Rh 2 μ-η 1：η 1：η 2 -C（O）C（CF 3）C（CF 3）}（μ-S）]（3a）。与三亚甲基硫化物配合物2a发生了类似的反应，但程度较小（L =可比分解四氢噻吩配合物2a不会发生（L =二甲基硒烷配合物[（η5 -C 5 H ^ 5）2的Rh 2（CO）（μ-η 1：η 1 -CF 3 c ^ 2 CF 3）（SEME 2）]（4a中时SEME
• The assessment of some cobalt and cobalt-tellurium complexes for MOCVD applications
  作者：Ron S. Dickson、Ping Yin、Mingzhe Ke、Julian Johnson、Glen B. Deacon

  DOI：10.1016/0277-5387(95)00480-7

  日期：1996.7

  Abstract Eleven cobalt complexes of the types [Co(CO) 2 (NO)L](L = PEt 3 , TeMe 2 or TeEt 2 ) and[(η 3 -C 3 H 3 R 2 )Co(CO) 2 L](R=H or Me; L CO, PEt 3 , TeEt 2 or CNR′ with R′ Pr i , Bu t or Cy; Cy is cyclohexyl) have been prepared and assessed for MOCVD applications. Measurement of vapour pressures by the Knudson effusion method has established that the room-temperature volatilities of [Co(CO) 2

  摘要11种钴配合物，其类型为[Co（CO）2（NO）L]（L = PEt 3，TeMe 2或TeEt 2）和[（η3 -C 3 H 3 R 2）Co（CO）2 L] （R = H或Me； L CO，PEt 3，TeEt 2或具有R'Pr i，But或Cy的CNR'； Cy是环己基）并已评估用于MOCVD应用。通过克努森渗出法测量蒸气压已确定[Co（CO）2（NO）（TeMe 2）]和烯丙基配合物[（η3 -C 3 H 5）Co（CO）的室温挥发性）3，]，[（η3 -C 3 H 4 Me）Co（CO）3]，[（η3 -C 3 H 3 Me 2）Co（CO）3]和[（η3 -C 3 H 5）Co（CO）2（CNBu t）]足以（0.1–4.0 mmHg）在蒸汽状态下实现高浓度。氢气流中携带的7种配合物在180–250°C时的汽相热降解产生了金属沉积物，用EDX或XPS分析了金属沉积物。
• On the Mechanism of Growth of CdTe by Organometallic Vapor‐Phase Epitaxy
  作者：Ishwara B. Bhat、Nikhil R. Taskar、Sorab K. Ghandhi

  DOI：10.1149/1.2100404

  日期：1987.1.1

  reactor parameters. In all cases, the CdTe deposition rate was found to be closely related to the decomposition of dimethylcadmium. A model is presented to explain the CdTe growth at low temperatures where diethyltelluride is very stable. The growth of CdTe, using diethyltelluride and elemental cadmium, was demonstrated and supports the model. The growth rate of CdTe was studied as a function of the partial

  本文介绍了一些实验结果，以解释通过有机金属气相外延 (OMVPE) 生长 CdTe 的机制。二甲基镉 (DMCd) 的热解研究在 OMVPE 反应器中进行，温度范围为 230/sup 0/-400/sup 0/C。发现二甲基镉在大约 230/sup 0/C 以上分解并且反应在 230/sup 0/C 到 370/sup 0/C 之间是非均相的。还在从 300/sup 0/ 到 375/sup 0/C 的温度范围内以及针对各种反应器参数研究了 CdTe 的生长。在所有情况下，发现 CdTe 沉积速率与二甲基镉的分解密切相关。提出了一个模型来解释碲化物非常稳定的低温下的 CdTe 生长。CdTe 的生长，使用二乙基碲化物和元素镉，被证明并支持该模型。研究了 CdTe 的生长速率作为 DMCd 和 DETe 分压的函数，并根据该生长模型解释了结果。
• Effect of substrate misorientation on surface morphology of homoepitaxial CdTe films grown by organometallic vapor phase epitaxy
  作者：D. W. Snyder、S. Mahajan、E. I. Ko、P. J. Sides

  DOI：10.1063/1.104509

  日期：1991.2.25

  The effect of substrate misorientation on surface morphology of CdTe homoepitaxial films deposited by organometallic vapor phase epitaxy was investigated by deposition onto a substrate polished in the shape of a spherical cap that exposed misorientations up to 15° from the [100] pole. Hillock formation was suppressed for misorientations between 2.5° and 4.5° from the [100] pole towards the nearest

  通过在抛光成球冠形状的基板上沉积，研究了基板取向差对 CdTe 同质外延薄膜表面形态的影响，该球冠从 [100] 极暴露出高达 15° 的取向差。从 [100] 极向最近的 111} Te 平面倾斜 2.5° 和 4.5° 之间的错误取向抑制了小丘的形成，而向最近的 111}Cd 平面倾斜仅导致表面形态略有改善。错误定向基板的常用方向，朝向最近的 110} 平面，减小了小丘的尺寸和密度，但并没有完全抑制它们的形成。双晶 X 射线摇摆曲线表明在 (100) 面附近获得了高结晶质量，并且朝向最近的 111}Te 平面的错误方向不会显着降低质量。已经提出了使这些观察合理化的论据。
• High quality Hg_1−<i>x</i>Cd_<i>x</i>Te epitaxial layers by the organometallic process
  作者：Sorab K. Ghandhi、Ishwara Bhat

  DOI：10.1063/1.94916

  日期：1984.4.15

  An organometallic process for the epitaxial growth of Hg1−xCdxTe is described in this letter. This process involves the simultaneous pyrolysis of dimethylcadmium and diethyltelluride in mercury vapor at 415 °C, using hydrogen as the carrier gas. It is shown this process results in device quality layers of uniform composition. Layers with x=0.17 exhibited n‐type conduction, with an approximate carrier

  这封信中描述了一种用于外延生长 Hg1-xCdxTe 的有机金属工艺。该过程包括在 415 °C 的汞蒸气中同时热解二甲基镉和二乙基碲化物，使用氢气作为载气。可以看出，该过程产生了组成均匀的器件质量层。x=0.17 的层表现出 n 型传导，载流子浓度近似为 3.8×1015 cm-3，霍尔迁移率在 77 K 时为 2.45×105 cm2/Vs。因此，它们与液体生长的最佳层相当相外延。这封信中还描述了具有异常电特性的 p 型层。简要概述了这些异常特征的原因。

表征谱图