cadmium telluride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: cadmium telluride
• 英文别名: cadmium;tellane
• 化学式: CdTe
• 分子量: 240.01
• InChiKey: AMDMCOAMXTWLKP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.92
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  cadmium telluride 在 synthetic air 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 cadmium tellurium oxide
  参考文献：
  名称：

  薄层光伏组件（CdTe 和 CuInSe2）中活性化合物的热研究

  摘要：

  摘要 铜铟硒 (CuInSe 2 ) 和碲化镉 (CdTe) 是用于制造薄层光伏组件的半导体化合物。本研究的目的是通过模拟运行或（市政）垃圾焚烧过程中的意外火灾来表征用于光伏模块的 CuInSe 2 和 CdTe 的热行为。通过在空气和氩气气氛中同时进行热分析来研究这些物质。

  DOI：

  10.1016/0040-6031(94)02389-6
• 作为产物：
  描述：

  [Cd(2-pyridyltellurolate)2] 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 cadmium telluride
  参考文献：
  名称：

  锌，镉，汞的双（3-甲基-2-吡啶基）二碲化物和吡啶基碲化物配合物：合成，表征及其转化为金属碲化物纳米粒子。

  摘要：

  在相同溶剂中用双（3-甲基-2-吡啶基）二碲化物[Te（2）（pyMe）（2）]处理金属氯化物的乙腈溶液，得到组成为[MCl（2）{Te（ 2）（pyMe）（2）}]（M = Zn或Cd），而[MCl（2）（tmeda）]与NaTepyR（R = H或Me）反应得到通式[M（TepyR） （2）]（M ＝ Cd或Hg）。当在过量tmeda存在下使镉络合物[Cd（Tepy）（2）]结晶时，仅形成[Cd（Tepy）（2）（tmeda）]。这些配合物的特征在于元素分析，紫外可见（1）H NMR数据。通过单晶X射线衍射确定了[ZnCl（2）{Te（2）（pyMe）（2）}]和[Cd（Tepy）（2）（tmeda）]的晶体结构。在前者中，锌与吡啶基的氮原子配位，而在后者中，四面体镉周围的配位环境是由tmeda的两个中性氮原子和两个吡啶金属碲化物配体定义的。通过热重分析研究了其中一些配合物的热行为。[

  DOI：

  10.1039/b910466f
• 作为试剂：
  描述：

  二乙基碲 在 cadmium telluride 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 碲化氢
  参考文献：
  名称：

  Faerman, V. I.; Zorin, A. D.; Gurylev, B. V., Journal of general chemistry of the USSR, 1990, vol. 60, p. 1313 - 1319

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Synthesis and characterization of sterically encumbered Li, Na, and K aryl tellurolates, and some Pt(II), Ir(I), and Cd(II) derivatives
  作者：Philip J. Bonasia、John Arnold

  DOI：10.1016/0022-328x(93)80118-u

  日期：1993.5

  The synthesis, isolation, and characterization of several alkali metal aryl tellurolates of general formula (2,4,6-R3C6H2)TeM(sol) n (R  Me, iPr, tBu; M  Li, Na, K; sol = THF, n = 1.33, 1.5, 2.5, 3; sol = DME, n = 1; sol = TMEDA, n = 1; sol = 18-crown-6, n = 1) is reported. Reduction of (2,4,6-Me3C6H2)2Te2 and (2,4,6-iPr3C6H2)2Te 2 with 2 equiv of LiEt3BH in THF affords the corresponding lithium

  几种通式（2,4,6-R 3 C 6 H 2）TeM（sol）n（RMe，i Pr，t Bu; MLi，报道了Na，K; sol = THF，n = 1.33，1.5，2.5，3; sol = DME，n = 1; sol = TMEDA，n = 1; sol = 18-crown-6，n = 1）。（2,4,6-Me 3 C 6 H 2）2 Te 2和（2,4,6- i Pr 3 C 6 H 2）2的还原在THF中具有2当量的LiEt 3 BH的Te 2提供相应的碲酸锂1和2。将Te直接插入（2,4,6- t Bu 3 C 6 H 2）Li（THF）3在THF中的CLi键中会生成3，而Te金属与（o -C 6 H 4的类似反应CH 2 NMe 2）Li提供螯合的碲铝酸盐4。Na / Hg汞齐对（2,4,6-Me 3 C 6 H 2）THF溶液的作用2 Te 2或（2,4,6- i Pr
• 一种磁热释放的热敏脂质体
  申请人：四川大学

  公开号：CN107019801B

  公开（公告）日：2020-09-22

  本发明公开了一种磁热释放的热敏脂质体，包括以热敏性材料构建的磷脂脂质体，和包裹在磷脂脂质体内部磁性纳米粒子；所述磷脂脂质体是由相变温度40~51℃的磷脂脂质体；所述磁性纳米粒子是超顺磁四氧化三铁粒子；所述磁性纳米粒子能够在（高频）交变磁场中发热，使磷脂脂质体升温达到相变温度并释放出其中的物质；所述磷脂脂质体中还包裹有近红外发光的量子点。本发明的热敏脂质体中包裹了磁性纳米粒子，具有磁热效应，能够在交变磁场下实现局部升温发生结构破坏，释放出其中的有效成分，具有控释精度高的特点，配合近红外发光的量子点作为示踪成分，有效的解决了磁性热敏脂质体进入体内难以表征的问题，达到了示踪的效果。
• Experimental Determination of the Absorption Cross-Section and Molar Extinction Coefficient of CdSe and CdTe Nanowires
  作者：Vladimir Protasenko、Daniel Bacinello、Masaru Kuno

  DOI：10.1021/jp066034w

  日期：2006.12.1

  solution-based CdSe and CdTe nanowires (NWs) are determined. Chemically grown semiconductor NWs are made via a recently developed solution-liquid-solid (SLS) synthesis, employing low melting Au/Bi bimetallic nanoparticle "catalysts" to induce one-dimensional (1D) growth. Resulting wires are highly crystalline and have diameters between 5 and 12 nm as well as lengths exceeding 10 microm. Narrow diameters, below

  确定了基于溶液的CdSe和CdTe纳米线（NWs）的吸收截面和相应的摩尔消光系数。化学生长的半导体NW是通过最近开发的溶液-液体-固体（SLS）合成方法制成的，采用低熔点Au / Bi双金属纳米颗粒“催化剂”诱导一维（1D）生长。所得的线是高度结晶的，并且直径在5至12nm之间，并且长度超过10微米。窄直径（低于每种材料的相应大体积激子玻尔半径的两倍）将CdSe和CdTe NW置于其各自的中等至弱约束范围内。支持这一点的是NW集成体的溶液线性吸收光谱，显示出相对于体带隙的蓝移以及较高能量下的结构。对于CdSe，导线在整体和单导线级显示出带边缘发射以及强烈的吸收/发射极化各向异性。在最近开发的CdSe NW光电探测器中已经测量了类似的光电流极化各向异性。为了进一步支持基础的西北光学/电气研究并促进其在设备应用中的使用，使用相关的透射电子显微镜，紫外/可见消光光谱和电感耦合等离子体原子发射光谱
• Dynamic Distribution of Growth Rates within the Ensembles of Colloidal II−VI and III−V Semiconductor Nanocrystals as a Factor Governing Their Photoluminescence Efficiency
  作者：Dmitri V. Talapin、Andrey L. Rogach、Elena V. Shevchenko、Andreas Kornowski、Markus Haase、Horst Weller

  DOI：10.1021/ja0123599

  日期：2002.5.1

  ensembles of colloidally grown II-VI and III-V semiconductor nanocrystals was studied. A drastic difference in the photoluminescence efficiencies of size-selected fractions was observed for both organometallically prepared CdSe and InAs colloids and for CdTe nanocrystals synthesized in aqueous medium, indicating a general character of the phenomenon observed. The difference in the photoluminescence efficiencies

  研究了胶体生长的 II-VI 和 III-V 半导体纳米晶体的集合内的特性分布。对于有机金属制备的 CdSe 和 InAs 胶体以及在水性介质中合成的 CdTe 纳米晶体，观察到尺寸选择部分的光致发光效率存在显着差异，表明所观察到的现象的一般特征。光致发光效率的差异归因于源自奥斯特瓦尔德成熟生长机制的纳米晶体的不同平均表面无序，当整体中较大的颗粒以溶解较小颗粒为代价生长时。在生长的任何阶段，生长胶体纳米晶体整体中只有一小部分颗粒具有最完美的表面，因此，显示出最有效的光致发光。这可以通过描述胶体溶液中纳米晶体整体演化的理论模型来解释。在生长的纳米晶体的集合中，具有最高光致发光的颗粒部分对应于具有几乎为零的平均生长速率的颗粒尺寸。在任何给定的反应条件下，较小的平均增长率导致表面无序程度尽可能低。
• Multiwafer growth of CdTe on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition in a vertical, high‐speed, rotating disk reactor
  作者：G. S. Tompa、C. R. Nelson、M. A. Saracino、P. C. Colter、P. L. Anderson、W. H. Wright、J. L. Schmit

  DOI：10.1063/1.101754

  日期：1989.7.3

  Growth of CdTe (111) layers on GaAs (100) and GaAs (111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) has been investigated using a commercial, vertical, high‐speed, rotating disk reactor. Dimethylcadmium (DMCd) and diisopropyltelluride (DIPTe) were used as the growth precursors. The growth rate was measured over the temperature range from 308 to 402 °C. DMCd molar growth efficiencies

  已经使用商用、立式、高速、旋转盘式反应器研究了通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在 GaAs (100) 和 GaAs (111) 衬底上生长 CdTe (111) 层。二甲基镉 (DMCd) 和二异丙基碲化物 (DIPTe) 用作生长前体。在 308 至 402 °C 的温度范围内测量生长速率。对于大于 368 °C 的生长温度，获得大于 50% 的 DMCd 摩尔生长效率。对于 (111) 基板上的薄膜，在 380 °C 下获得了 CdTe (111) <90 弧秒半峰全宽的 (422) 和 (333) 反射面的 X 射线摇摆曲线。解理晶片上的扫描电子显微镜和红外干涉光谱显示边缘到边缘的厚度均匀度为 1.3%。使用傅里叶变换红外光谱仪测量远红外反射率以获得TO声子光谱。这些数据表明 CdTe 的厚度和介电常数非常均匀。总的来说，...