ambient conditions, the excellent ambipolarity of BTDPPCN is demonstrated by balanced charge carrier mobilities of 0.065 and 0.031 cm2 V−1 s−1 for n- and p-channels after thermal annealing. The FETs based on TTDPPCN films also showed ambipolar charge transport properties with a very high electron mobility of 0.80 cm2 V−1 s−1 upon thermal annealing at 90 °C and a hole mobility of 0.024 cm2 V−1 s−1 at
我们报告了两个新的基于
DPP的小分子BT
DPPCN和
TTDPPCN的合成和表征。通过将π-共轭间隔物从联
噻吩改变为
噻吩并[3,2- b ]
噻吩,可降低
TTP
DPPCN的LUMO
水平,但两种化合物的带隙相似,约为1.6 eV。在环境条件下,热退火后,n沟道和p沟道的平衡电荷载流子迁移率为0.065和0.031 cm 2 V -1 s -1,证明了BT
DPPCN具有出色的双极性。基于
TTDPPCN薄膜的FET还显示了双极性电荷传输特性,具有0.80 cm 2 V -1 s -1的非常高的电子迁移率在90°C时进行热退火,在150°C时空穴迁移率为0.024 cm 2 V -1 s -1。