我们合成了含有二
氰基亚甲基取代的环戊基的新的电子传输性低聚
噻吩[ b
噻吩用作制造可溶液处理的n型有机场效应晶体管(OFET)的活性材料。通过进行光物理和电
化学测量,详细研究了二
氰基亚甲基数目以及己基位置的影响。结果表明,可以通过改变二
氰基亚甲基的数量来控制光能隙和最低的未占据分子轨道(LUMO)能级。相反,己基的位置对分子电子性能几乎没有影响。X射线衍射和原子力显微镜测量表明,新化合物的旋涂薄膜具有晶体结构。在真空和暴露条件下评估了基于这些化合物的OFET,电子迁移率最高为0。达到2 V –1 s –1。此外,我们证明了OFETs的空气稳定性取决于化合物的LUMO能级。