通过串联直接芳基化反应合成了五个π延伸的内酰胺融合共轭低聚物(5FO,5FS,4FPO,4FPS和R-4FPO)。在第二步骤中应用分子间氧化直接芳基化。这些共轭低聚物具有可通过理论计算预测的FMO能量微调,并且具有出色的热稳定性。与其他相比,带有四
氟吡啶的4FPO和4FPS表现出较低的LUMO能级(分别为-3.20 eV和-3.39 eV)。基于X射线晶体学,4FPO被发现具有人字形晶体堆积和相当大的电子转移积分值(137 meV)。基于4FPO的底栅,底接触FET器件由于在SiO 2衬底上进行边沿对准而显示出5.2×10 -3 cm 2 V -1 s -1的电子迁移率。