N型半导体
聚合物近来已用于热电器件中,但是与性能高得多的p型半导体相反,它们通常表现出低电导率和差的器件稳定性。这尤其是由于n型半导体的低掺杂效率和较差的电荷载流子迁移率。增强n型材料热电性能的策略包括针对掺杂剂优化电子亲和力(EA),以改善掺杂过程并通过增强分子堆积来提高电荷载流子迁移率。在这里,我们报告了融合,缺乏电子的n型共聚物的设计,合成和表征结合沿骨架的吸电子内
酯单元。使用无
金属的醛醇缩合条件合成了
聚合物,以探索将中心
苯环扩大为
萘环对电导率的影响。当n掺杂N-
DMBI时,电导率高达0.28 S cm从具有-4.68eV的最大电子亲和力的
聚合物中观察到-1的塞贝克系数为-75μVK -1和最大功率因数为0.16μWm -1 K -2。延伸芳环降低了电子亲和力,这是因为降低了吸电子基团的密度,随后电导率降低了近两个数量级。