energy levels at −3.76 eV and −3.45 eV and HOMO energy levels at −5.84 eV and −5.72 eV, respectively. Their application in organic field-effect transistors (FETs) was investigated. Both DBPDI and DNPDI showed n-type field-effect transistor behavior. The DBPDI device obtained by solution-processing technique displayed an average electron mobility of up to 0.06 cm2 V−1 s−1 with an Ion/Ioff ratio of 2.9
Ñ,Ñ '-Dihexyl-dibenzopentalene二甲
酰亚胺(
DBPDI)和Ñ,Ñ 'N'-二辛基dinaphthopentalene二甲
酰亚胺(DNPDI)成功地合成作为新的n型半导体材料。它们在常见的有机溶剂中具有良好的溶解性。
DBPDI和DNPDI具有热稳定性,根据热重分析,分解温度分别为419和460°C,通过差示扫描量热法测得的熔融温度为354和387°C。通过紫外可见吸收和循环伏安法研究了它们的光学和电
化学性质。随时间变化的密度泛函理论计算(TDDFT)用于解释其独特的电子吸收光谱。
DBPDI和DNPDI的LUMO能级较低,分别为-3.76 eV和-3.45 eV,HOMO能级分别为-5.84 eV和-5.72 eV。研究了它们在有机场效应晶体管(FET)中的应用。无论
DBPDI和DNPDI显示了n型场效应晶体管的行为。该
DBPDI通过溶液加工技术获得的设备显示向上的平均电子迁移率至0