【課題】良好なマスクエラーファクター(MEF)で、レジストパターンを製造することができる化合物、酸発生剤及びレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される化合物及びこの化合物を含む酸発生剤及びレジスト組成物。[Q1及びQ2は各々F又はペルフルオロアルキル基;R1及びR2は各々F又はペルフルオロアルキル基等;zは0〜6の整数;X1は、*−CO−O−、*−O−CO−又は*−O−;A1は2価の炭化水素基;R3は炭化水素基;A1及びR3は、互いに結合しこれらが結合する炭素原子とともに環を形成してもよい;Xa及びXbは各々O又はS;X2は、Fを有してもよい2価の飽和炭化水素基;R4は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基;R5は、置換基を有してもよい炭化水素基又はシアノ基]【選択図】なし
提供具有良好掩模误差因子(MEF)的化合物,酸发生剂和掩模组成物,可用于制造掩模图案。所述解决方案涉及由式(I)表示的化合物,以及包含该化合物的酸发生剂和掩模组成物。【其中,Q1和Q2分别为F或
全氟烷基;R1和R2分别为F或
全氟烷基等;z为0〜6的整数;X1为*−CO−O−、*−O−CO−或*−O−;A1为二价碳氢基;R3为碳氢基;A1和R3可以相互连接并形成环,与连接它们的碳原子一起;Xa和Xb分别为O或S;X2可以是具有
氟的二价饱和碳氢基;R4可以是带有取代基的芳香族碳氢基;R5可以是带有取代基的碳氢基或
氰基。】【选择图】无