bismuth 2-ethylhexanoate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 脂肪酰基
• 英文名称: bismuth 2-ethylhexanoate
• 英文别名: Neostann U-600；bismuth;2-ethylhexanoate
• 化学式: Bi*3C₈H₁₅O₂
• 分子量: 638.598
• InChiKey: JZUKMRFPOHTXDK-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.57
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.88
• 拓扑面积：
  40.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bismuth 2-ethylhexanoate 在 十二硫醇 作用下， 以 氘代四氢呋喃 为溶剂， 以75%的产率得到氢化铋
  参考文献：
  名称：

  Nanoparticle Synthesis via the Photochemical Polythiol Process

  摘要：

  We introduce the photochemical polythiol process, in which we use ambient light to decompose bismuth, antimony, copper, and lead thiolates to metal nanoparticles. Focusing on bismuth, we produce rhombohedral nanoparticles with narrow size distributions. The approach allows a single-phase synthesis of uniform non-noble metal nanoparticles without a secondary size-selection process. It minimizes use of chemicals and solvents and is more environmentally friendly than competing processes described in the literature.

  DOI：

  10.1021/ja0733639
• 作为产物：
  描述：

  2-乙基-己酸稀土盐 、 bismuth(III) oxide 在 乙酸酐 作用下， 以 溶剂黄146 为溶剂， 以97.1%的产率得到bismuth 2-ethylhexanoate
  参考文献：
  名称：

  一种清洁生产有机铋催化剂异辛酸铋的方法

  摘要：

  一种清洁生产有机铋催化剂异辛酸铋的方法，属于催化剂制备技术领域。本发明以氧化铋、乙酸酐和异辛酸为主要原料，用乙酸为溶剂，经过两步反应制备异辛酸铋，利用红外光谱（FT‑IR）对其结构进行表征，采用EDTA络合滴定的方法，测得异辛酸铋中金属离子铋的含量。本发明原料易得，价格低廉，溶剂可回收重复使用，无三废产生，制得的异辛酸铋可作为一种新型高效、无毒、绿色环保型聚氨酯弹性体催化剂，以取代目前使用的毒性较大的有机锡、铅、汞类重金属催化剂。

  公开号：

  CN106278868B
• 作为试剂：
  描述：

  2,3,4,5,6-五氟苯磺酰氯 在 ammonium hydroxide 、 bismuth 2-ethylhexanoate 、 2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚 、 三乙胺 作用下， 以 四氢呋喃 、 甲醇 、 二氯甲烷 、 N,N-二甲基乙酰胺 为溶剂， 反应 5.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  착색 조성물, 경화막, 컬러 필터, 컬러 필터의 제조 방법, 고체 촬상 소자, 및 화상 표시 장치

  摘要：

  提供含有改性染料和使用改性染料的硬化膜、彩色滤光片、彩色滤光片的制备方法、固态成像元件和图像显示装置。包含以下一般式（I）中的染料和（B）中的聚合物化合物的染色组合物。在一般式（I）中，Q代表（m+n）的连接基，R代表取代基，D代表染料残基。m表示0~6的整数，n表示2~8的整数，（m+n）表示2~8的整数。当m大于等于2时，多个R可以互不相同，当n大于等于2时，多个D可以互不相同。一般式（I）为（R）-Q-(D)。

  公开号：

  KR20160014699A

文献信息

• One-step synthesis of bismuth molybdate catalysts via flame spray pyrolysis for the selective oxidation of propylene to acrolein
  作者：K. Schuh、W. Kleist、M. Høj、V. Trouillet、A. D. Jensen、J.-D. Grunwaldt

  DOI：10.1039/c4cc07527g

  日期：——

  Flame spray pyrolysis (FSP) of Bi(iii)- and Mo(vi)-2-ethylhexanoate dissolved in xylene resulted in various nanocrystalline bismuth molybdate phases depending on the Bi/Mo ratio.

  火焰喷雾热解法（FSP）将在二乙基己酸铋（Bi^III）和钼（Mo^VI）乙酸酯溶解于二甲苯中，得到不同纳米结晶钼酸铋相，具体取决于铋/钼比。
• 一种异辛酸铋的合成方法
  申请人：沧州威达聚氨酯高科股份有限公司

  公开号：CN106117041B

  公开（公告）日：2018-06-01

  本发明涉及有机合成技术领域，尤其涉及一种有机铋化合物的合成技术领域，具体公开了一种异辛酸铋的合成方法，采用异辛酸和粉状氧化铋在催化剂作用下进行反应生成异辛酸铋，所述催化剂为复合型固体超强酸SO42‑/ZrO2‑TiO2‑Fe2O3，其中Fe、Ti、Zr的质量比为2:3:1。本发明方法合成反应温度低，反应过程保持负压并将反应产物水冷凝馏出，节约环保，生成的异辛酸铋在聚氨酯合成中具有良好的催化活性。
• Thin films of layered-structure (1−x)SrBi2Ta2O9−xBi3Ti(Ta1−yNby)O9 solid solution for ferroelectric random access memory devices
  作者：S. B. Desu、P. C. Joshi、X. Zhang、S. O. Ryu

  DOI：10.1063/1.119721

  日期：1997.8.25

  We report on the thin films of solid–solution material (1−x)SrBi2Ta2O9−xBi3Ti(Ta1−yNby)O9 fabricated by a modified metalorganic solution deposition technique for ferroelectric random access memory devices. Using the modified technique, it was possible to obtain the pyrochlore free crystalline thin films at an annealing temperature as low as 600 °C. The solid–solution of layered perovskite materials

  我们报告了通过改进的金属有机溶液沉积技术制造的用于铁电随机存取存储器件的固溶体材料 (1-x)SrBi2Ta2O9-xBi3Ti(Ta1-yNby)O9 薄膜。使用改进的技术，可以在低至 600 °C 的退火温度下获得不含烧绿石的结晶薄膜。与 SrBi2Ta2O9 相比，层状钙钛矿材料的固溶体帮助我们显着改善了铁电性能、更高的 Pr 和更高的 Tc；存储器应用的主要候选材料。例如，具有 0.7 SrBi2Ta2O9–0.3Bi3TiTaO9 成分并在 650–750 °C 温度范围内退火的薄膜的 2Pr 和 Ec 值分别在 12.4–27.8 μC/cm2 和 68–80 kV/cm 范围内。在 200 kV/cm 的外加电场下，漏电流密度低于 10-8 A/cm2。该薄膜在双极应力下表现出良好的疲劳特性。
• Electromechanical properties of SrBi2Ta2O9 thin films
  作者：A. L. Kholkin、K. G. Brooks、N. Setter

  DOI：10.1063/1.119782

  日期：1997.10.6

  Weak field piezoelectric coefficient and strain were investigated in ferroelectric SrBi2Ta2O9 (SBT) thin films by means of optical interferometry. Though the maximum polarization and dielectric constant were small enough (7 μC/cm2 and 150, respectively), the piezoelectric coefficient attained 17 pm/V under the dc electric field. This value is comparable with the piezoelectric coefficients reported

  通过光学干涉法研究了铁电 SrBi2Ta2O9 (SBT) 薄膜中的弱场压电系数和应变。尽管最大极化和介电常数足够小（分别为 7 μC/cm2 和 150），但在直流电场下压电系数达到 17 pm/V。该值与先前报道的极化 SBT 陶瓷的压电系数相当。使用 300 kV/cm 的双极驱动场观察到 5⋅10−4 的电致应变。直到 109 个开关脉冲才发现压电疲劳，与极化数据一致。通过使用有效电致伸缩系数为 0.1 m4/C2 的简单电致伸缩方程成功地描述了压电特性和应变。
• Thickness dependence of leakage current in BaBi2Ta2O9 thin films
  作者：C. R. Foschini、E. Longo、J. A. Varela、S. B. Desu

  DOI：10.1063/1.124419

  日期：1999.7.26

  BaBi2Ta2O9 thin films having a layered structure were fabricated by metalorganic solution deposition technique. The films exhibited good structural, dielectric, and insulating properties. The room temperature resistivity was found to be in the range of 1012–1014 Ω cm up to 4 V corresponding to a field of 200 kV/cm across the capacitor for films annealed in the temperature range of 500–700 °C. The current-voltage

  采用金属有机溶液沉积技术制备了具有层状结构的 BaBi2Ta2O9 薄膜。该薄膜表现出良好的结构、介电和绝缘性能。发现室温电阻率在 1012-1014 Ω cm 至 4 V 的范围内，对应于在 500-700 °C 温度范围内退火的薄膜电容器两端的 200 kV/cm 场。对于在 700 °C 下退火 1 小时的薄膜，电流-电压 (I-V) 特性与厚度的函数关系表明体积受限传导，log(I) vs V1/2 特性表明存在空间电荷受限传导机制. 对金属-绝缘体-半导体配置薄膜的电容-电压测量表明，Si/BaBi2Ta2O9 界面特性良好，测量和计算出的 SiO2 厚度约为 5 nm。