二噻吩并[2,3-D:2',3'-D']苯并[1,2-B:4,5-B']二噻吩 | 942578-58-7

• 物质功能分类: 有机原料 - 杂环化合物
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 中文名称: 二噻吩并[2,3-D:2',3'-D']苯并[1,2-B:4,5-B']二噻吩
• 英文名称: dithienobenzodithiophene
• 英文别名: dithieno[2,3-d:2',3'-d']benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene；5,9,14,18-tetrathiapentacyclo[10.6.0.03,10.04,8.013,17]octadeca-1(12),2,4(8),6,10,13(17),15-heptaene
• CAS: 942578-58-7
• 化学式: C₁₄H₆S₄
• 分子量: 302.466
• InChiKey: JFYIISXNMRMQNF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  535.6±45.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.645±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.2
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  113
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二噻吩并[2,3-D:2',3'-D']苯并[1,2-B:4,5-B']二噻吩 在 aluminum (III) chloride 、 一水合肼 、 potassium hydroxide 作用下， 以 二氯甲烷 、 二乙二醇 为溶剂， 反应 61.0h， 生成 2,7-di-n-hexyldithienobenzodithiophene
  参考文献：
  名称：

  JP5790069

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  1,4-二溴-2,5-二氟苯 在 四(三苯基膦)钯 、 sodiumsulfide nonahydrate 作用下， 以 四氢呋喃 、 N-甲基吡咯烷酮 为溶剂， 反应 14.0h， 生成 二噻吩并[2,3-D:2',3'-D']苯并[1,2-B:4,5-B']二噻吩
  参考文献：
  名称：

  JP5790069

  摘要：

  公开号：

文献信息

• 有機化合物、その製造方法、それを含有する有機半導体材料及びそれを含有する有機トランジスタ
  申请人：ＤＩＣ株式会社

  公开号：JP2017052721A

  公开（公告）日：2017-03-16

  【課題】 溶媒への溶解性に優れ、複雑なプロセスを経由せずとも容易に、高い移動度を呈する膜を与える化合物、及びそれを用いた有機半導体材料を提供すること、更には、実用的な構成の有機トランジスタを簡便に作製出来る有機半導体インクを提供すること。【解決手段】 以下の工程を有するジチエノべンゾジチオフェン誘導体の製造方法。（Ｉ）一般式（Ｂ）で表される化合物を、Ｘ５を活性部位とした有機金属化合物（Ｂ）’に変換する第一工程、（ＩＩ）前記有機金属化合物（Ｂ）’と一般式（Ｃ）で表される化合物をクロスカップリングさせ、一般式（Ｄ）で表される化合物を製造する第二工程、（ＩＩＩ）一般式（Ｅ）で表される化合物を、Ｘ７を活性部位とした有機金属化合物（Ｅ）’に変換する第三工程、（ＩＶ）前記有機金属化合物（Ｅ）’と一般式（Ｄ）で表される化合物をクロスカップリングさせ、一般式（Ｆ）で表される化合物を製造する第四工程。【選択図】 図１

  提供具有良好溶解性且无需经过复杂过程即可展现高迁移率膜的化合物，以及利用该化合物制备有机半导体材料，进一步提供可简便制备实用构造有机晶体管的有机半导体油墨。制备二噁英苯并噻吩衍生物的制造方法，包括以下步骤：（I）将以通式（B）表示的化合物转化为以X5为活性部位的有机金属化合物（B）'的第一步骤；（II）将上述有机金属化合物（B）'与以通式（C）表示的化合物进行交叉偶联，制备以通式（D）表示的化合物的第二步骤；（III）将以通式（E）表示的化合物转化为以X7为活性部位的有机金属化合物（E）'的第三步骤；（IV）将上述有机金属化合物（E）'与以通式（D）表示的化合物进行交叉偶联，制备以通式（F）表示的化合物的第四步骤。【图】图1
• [EN] LEAVING SUBSTITUENT-CONTAINING COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL FORMED THEREFROM, ORGANIC ELECTRONIC DEVICE, ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE USING THE ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING FILM-LIKE PRODUCT, PI-<br/>[FR] COMPOSÉ CONTENANT UN SUBSTITUANT PARTANT, MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE FORMÉ À PARTIR DE CE COMPOSÉ, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE, TRANSISTOR ORGANIQUE EN COUCHE MINCE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE UTILISANT LE MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQ
  申请人：RICOH CO LTD

  公开号：WO2011158953A1

  公开（公告）日：2011-12-22

  A leaving substituent-containing compound represented by General Formula (I), wherein the leaving substituent-containing compound can be converted to a compound represented by General Formula (Ia) and a compound represented by General Formula (II), by applying energy to the leaving substituent-containing compound, in General Formulas (I), (Ia) and (II), X and Y each represent a hydrogen atom or a leaving substituent, where one of X and Y is the leaving substituent and the other is the hydrogen atom; Q2 to Q5 each represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group; Q1 and Q6 each represent a hydrogen atom or a monovalent organic group other than the leaving substituent; and among the monovalent organic groups represented by Q1 to Q6, adjacent monovalent organic groups may be linked together to form a ring.

  一种含有离去基团的化合物，其由通用式（I）表示，其中该含有离去基团的化合物可以通过向该含有离去基团的化合物施加能量，转化为通用式（Ia）表示的化合物和通用式（II）表示的化合物，在通用式（I）、（Ia）和（II）中，X和Y分别表示氢原子或离去基团，其中X和Y中的一个是离去基团，另一个是氢原子；Q2至Q5分别表示氢原子、卤素原子或一价有机基团；Q1和Q6分别表示氢原子或除去基团以外的一价有机基团；在Q1至Q6表示的一价有机基团中，相邻的一价有机基团可以连接在一起形成环。
• ヘテロアセン誘導体、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ
  申请人：東ソー株式会社

  公开号：JP2016175860A

  公开（公告）日：2016-10-06

  【課題】 高いキャリア移動度及び高耐熱性を持つ塗布型の有機半導体材料である新規なヘテロアセン誘導体、これを用いた有機半導体層及び有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 下記一般式（１）で示されるヘテロアセン誘導体。【化１】（式中、置換基Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して水素原子、又は炭素数１〜２０のアルキル基を示す。置換基Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、又はケイ素を含む炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。Ｔ１〜Ｔ４は、それぞれ独立して硫黄原子又は酸素原子を示し、Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示す。ｍ及びｎは、それぞれ独立して１〜１０のいずれかの整数を示す。置換基Ａｒは炭素数４〜１０のアリール基を示す。）【選択図】 なし

  这是关于一种具有高职业移动性和高耐热性的涂覆型有机半导体材料的新异质芳香烃诱导体，提供使用该材料的有机半导体层和有机薄膜晶体管。解决方案是一种异质芳香烃诱导体，其由下述通用式（1）表示。（其中，取代基R1和R2分别独立表示氢原子或含有1-20个碳原子的烷基。取代基R3和R4分别独立表示氢原子、含有1-20个碳原子的烷基，或含有硅的1-20个碳原子的碳氢基。T1-T4分别独立表示硫原子或氧原子，X表示氧原子或硫原子。m和n分别独立表示1-10中的任一整数。取代基Ar表示含有4-10个碳原子的芳基。）【选择图】无
• ヘテロアセン誘導体の製造方法
  申请人：東ソー株式会社

  公开号：JP2015189755A

  公开（公告）日：2015-11-02

  【課題】高いキャリア移動度を与えると共に、溶媒への溶解性及びトランジスタ素子の耐熱性に優れる有機半導体材料であるヘテロアセン誘導体の効率的な製造方法を提供する。【解決手段】触媒としてルイス酸の存在下、下記一般式（１）で示されるヘテロアセンと、ハロゲン化アシル化合物とのフリーデルクラフツアシル化反応を経て、下記一般式（４）で示されるヘテロアセン誘導体等を製造することを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法。【選択図】なし

  提供一种高职业移动性，并且具有优异溶解性和耐热性的有机半导体材料——杂环烯诱导体的高效制备方法。在路易斯酸存在的催化剂下，通过弗里德尔-克拉夫茨酰化反应，制备杂环烯和卤代酰化合物反应生成杂环烯诱导体等，如下所示通用式（4）的杂环烯诱导体的制备方法。【选择图】无
• ORGANIC SEMICONDUCTIVE MATERIAL PRECURSOR CONTAINING DITHIENOBENZODITHIOPHENE DERIVATIVE, INK, INSULATING MEMBER, CHARGE-TRANSPORTING MEMBER, AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE
  申请人：Sagisaka Toshiya

  公开号：US20130096320A1

  公开（公告）日：2013-04-18

  An organic semiconductive material precursor containing a dithienobenzodithiophene derivative expressed by General Formula I: in General Formula I, X and Y represent groups bonded together, upon application of external stimulus, to form X—Y which is eliminated from the compound expressed by General Formula I; R 1 and R 2 each represent a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group; and R 3 to R 10 each represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted alkylthio group, or a substituted or unsubstituted aryl group.

  含有一种由I式表达的二噻吩苯并二噻吩衍生物的有机半导体材料前体：在I式中，X和Y表示结合在一起的基团，在外部刺激作用下形成从I式表达的化合物中消除的X—Y；R1和R2分别表示取代或未取代的烷基，或取代或未取代的芳基；R3到R10分别表示氢原子，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的烷硫基或取代或未取代的芳基。