容易制备四个具有2-辛氧基尾和在苯环的内核位置具有不同取代基的简单和棒状外消旋
联苯介晶。这些外消旋
联苯液晶元的中间相通过可变温度XRD和POM的特征结构得到证实。通常,在加热和冷却过程中,将适当比例的手性添加剂S811或ISO(6OBA)2添加到这些外消旋
联苯液晶元中,可以诱发立方BP 。有趣的是,B
PIII(5–6 K)在高手性条件下很容易控制由单取代
联苯液晶元和手性掺杂剂S811组成的混合混合物。另外,当化合物C 6 OBiPhI-OH与35 wt%S811在冷却过程中混合时,B
PIII的形成温度接近室温(36°C)。混合体系中存在的20 K以上的稳定BP由手性掺杂剂ISO(6OBA)2组成,没有取代的
联苯液晶元C n OBiPhI-H或二
氟取代的C n OBiPhI-FF。值得注意的是,通过在
联苯化合物C 6 OBiPhI-H中仅添加10 wt%具有高HTP的手性掺杂剂ISO(6OB