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tricyclo[5.2.1.02,6]decan-8-ylcarboxylic acid | 85909-52-0

中文名称
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中文别名
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英文名称
tricyclo[5.2.1.02,6]decan-8-ylcarboxylic acid
英文别名
Tricyclo-[5.2.1.02,6]decan-8-carboxylic acid;tricyclo[4.3.0.12,5]decane-3-carboxylic acid;tricyclo[5.2.1.02,6]decane-8-carboxylic acid;tricyclo[5.2.1.02,6]decane-9-carboxylic acid;Tricyclo[5.2.1.02,6]decan-9-carboxylic acid;Octahydro-4,7-methano-1H-indene-5-carboxylic acid
tricyclo[5.2.1.02,6]decan-8-ylcarboxylic acid化学式
CAS
85909-52-0
化学式
C11H16O2
mdl
——
分子量
180.247
InChiKey
PLPOOSRONAYTQI-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.6
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.91
  • 拓扑面积:
    37.3
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    tricyclo[5.2.1.02,6]decan-8-ylcarboxylic acidbis(1,5-cyclooctadiene)nickel (0)1-吡啶-4-哌啶草酰氯 、 1,4-bis(di(thiophen-2-yl)phosphaneyl)butane 、 N,N-二甲基甲酰胺lithium diisopropyl amide 作用下, 以 四氢呋喃二氯甲烷 为溶剂, 反应 33.5h, 生成 3-((p-tolylthio)methyl)octahydrospiro[cyclopentane-1,5'-[4,7]methanoinden]-2-one
    参考文献:
    名称:
    Ni催化的硫酯和烯烃分子内偶联合成螺环化合物
    摘要:
    已开发出镍催化的硫代酸酯与烯烃的分子内偶联,可有效合成螺环,螺环是天然产物中常见的一种特权支架。这种转化的特征是酰基和硫醇基团同时转移到烯烃上,同时抑制了脱羰基作用和β-氢消除。最初的机理研究与氧化加成/烯烃插入/还原消除机理一致。掺入的亚甲基硫取代基可进行多种进一步的反应以增加分子多样性和复杂性。这些结果表明,硫酯衍生物可以用作组装复杂支架的有力基础。
    DOI:
    10.1002/chem.202100390
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文献信息

  • ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20200223796A1
    公开(公告)日:2020-07-16
    A novel onium salt of formula (1) and a chemically amplified resist composition comprising the same as a PAG are provided. When processed by photolithography using KrF or ArF excimer laser, EB or EUV, the resist composition has a high sensitivity and reduced acid diffusion and is improved in exposure latitude, MEF, and LWR.
    提供了一种化学增感剂组合物,其中包括式(1)的新型离子盐作为PAG。当使用KrF或ArF准分子激光、EB或EUV进行光刻工艺处理时,该抗蚀组合物具有高灵敏度、减少酸扩散,并在曝光宽度、MEF和LWR方面得到改善。
  • NOVEL SALT COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20200159115A1
    公开(公告)日:2020-05-21
    A novel salt having an amide bond in its anion structure is provided. A chemically amplified resist composition comprising the salt has advantages including minimal defects and improved values of sensitivity, LWR, MEF and CDU, when processed by lithography using high-energy radiation such as KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV.
    提供了一种其阴离子结构中具有酰胺键的新型盐。包含该盐的化学放大型光刻胶组合物具有许多优点,包括在使用高能辐射(如KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束或EUV)进行光刻加工时,缺陷最小、灵敏度、LWR、MEF和CDU值得到改善。
  • MONOMER, POLYMER, POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20170008982A1
    公开(公告)日:2017-01-12
    A polymer comprising recurring units derived from a polymerizable monomer having two structures of hydroxyphenyl methacrylate having a hydroxy group substituted with an acid labile group is used as base resin in a positive resist composition, especially chemically amplified positive resist composition. The resist composition forms a resist film which is processed by lithography into a pattern of good profile having a high resolution, minimal edge roughness, and etch resistance.
    一种聚合物,包含由可聚合单体衍生的重复单元,该单体具有两种羟基苯甲酸甲酯结构,羟基上取代有酸不稳定基团,作为正性光刻胶组成中的基础树脂,尤其是化学放大正性光刻胶组成中。该光刻胶组成形成一种光刻胶膜,通过光刻技术加工成具有高分辨率、最小边缘粗糙度和蚀刻抗性的良好轮廓图案。
  • SULFONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20220107560A1
    公开(公告)日:2022-04-07
    A sulfonium salt having formula (1) is novel. A chemically amplified resist composition comprising the sulfonium salt as a PAG has advantages including solvent solubility and improved lithography properties such as EL and LWR when processed by photolithography using high-energy radiation such as KrF or ArF excimer laser, EB or EUV.
    一种具有式(1)的硫铵盐是新颖的。包含该硫铵盐作为PAG的化学增感抗蚀剂组成物具有溶剂溶解性和改善的光刻特性,例如EL和LWR,当使用高能辐射进行光刻,如KrF或ArF准分子激光、EB或EUV。
  • Monomer, polymer, resist composition, and patterning process
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US10023674B2
    公开(公告)日:2018-07-17
    A monomer having a substituent group capable of polarity switch under the action of acid is provided. A useful polymer is obtained by polymerizing the monomer. A resist composition comprising the polymer has improved development properties and is processed to form a negative pattern having high resolution and etch resistance which is insoluble in alkaline developer.
    本发明提供了一种单体,其取代基在酸的作用下可进行极性转换。通过聚合该单体可获得有用的聚合物。包含该聚合物的抗蚀剂组合物具有更好的显影性能,经加工可形成具有高分辨率和抗蚀刻性的阴图,且不溶于碱性显影剂。
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