Synthesis of Soluble Dinaphtho[2,3-<i>b</i>:2′,3′-<i>f</i>]thieno[3,2-<i>b</i>]thiophene (DNTT) Derivatives: One-Step Functionalization of 2-Bromo-DNTT
作者:Kohsuke Kawabata、Sayaka Usui、Kazuo Takimiya
DOI:10.1021/acs.joc.9b02585
日期:2020.1.3
For developing dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT) derivatives as solution processable organic semiconductors, we synthesized 2-brominated DNTT (Br-DNTT) as a common precursor to 2-substituted DNTT derivatives. The synthesis of Br-DNTT features chemoselective metalation and cross-coupling reactions that enable us to keep the 2-bromo group intact from the starting material, 2-brom
为了开发可溶液处理的有机半导体二萘并[2,3-b:2',3'-f]噻吩并[3,2-b]噻吩(DNTT)衍生物,我们合成了2-溴化DNTT(Br-DNTT) 2-取代的DNTT衍生物的常见前体。Br-DNTT的合成具有化学选择性的金属化和交叉偶联反应,使我们能够从原料2-溴-6-甲氧基萘到Br-DNTT保持2-溴基团的完整性。我们展示了通过各种钯和铜催化的交叉偶联反应一步一步官能化Br-DNTT的方法,以引入多种取代基(包括乙炔基,芳基,杂芳基,烷基,烷氧基和烷硫基),收率为73至98 %。得到的12个具有大体积或柔性增溶基团的2取代DNTT衍生物的实例,具有高达未取代DNTT溶解度200倍的改善的溶解度。一些可溶的2-取代的DNTT衍生物已应用于有机场效应晶体管(OFET)器件的固溶处理过程中。大多数OFET装置显示出的平均空穴迁移率约为10-1至10-2 cm2 V-1 s-1。在DNT