1,1′-bisadamantane-3,3′-diol | 16966-24-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 1,1′-bisadamantane-3,3′-diol
• 英文别名: 3,3'-Dihydroxy-1,1'-biadamantyl；3-(3-Hydroxy-1-adamantyl)adamantan-1-ol
• CAS: 16966-24-8
• 化学式: C₂₀H₃₀O₂
• 分子量: 302.457
• InChiKey: CBQQWGKYENSOHG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.9
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  8.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  40.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,1′-bisadamantane-3,3′-diol 在 水 、 氢溴酸 、 溶剂黄146 、 sodium hydroxide 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 6.5h， 生成 1,1'-diadamantane-3,3'-dithiol
  参考文献：
  名称：

  用于高选择性烯炔环化的纳米催化剂：金亚 2 纳米纳米颗粒网络的氧化表面重组

  摘要：

  由聚金刚烷配体（类金刚石）稳定在网络中的超小金纳米粒子 (NPs) 成功用作高选择性异质金催化二甲基烯丙基（炔丙基）丙二酸环化为 5 元共轭二烯的预催化剂。这种反应通常会遇到均相催化剂的选择性问题。这种对选择性的控制进一步为一锅级联反应开辟了道路，如丙二酸二甲基烯丙基炔丙基酯与马来酸酐的 1,6-烯炔环异构化-Diels-Alder 反应所示。在网络内组装具有可控尺寸和形状的纳米粒子的能力涉及传感器、医学诊断、信息存储和催化应用方面的研究。在此，亚2纳米金纳米颗粒的合成控制是通过形成密集网络来实现的，它们通过使用双位聚锰硫醇在一步反应中组装。通过使用 1,1'-bisadamantane-3,3'-dithiol (BAd-SH) 和 diamantane-4,9-dithiol (DAd-SH)，作为大体积表面稳定剂和短尺寸接头，我们提供了一个简单的形成嵌入刚性框架中的均匀小金纳米颗粒（1

  DOI：

  10.1021/jacsau.0c00062
• 作为产物：
  描述：

  3,3'-Dibrom-1,1'-biadamantan 在 水 、 silver nitrate 作用下， 以 1,4-二氧六环 为溶剂， 以80 %的产率得到1,1′-bisadamantane-3,3′-diol
  参考文献：
  名称：

  用于高选择性烯炔环化的纳米催化剂：金亚 2 纳米纳米颗粒网络的氧化表面重组

  摘要：

  由聚金刚烷配体（类金刚石）稳定在网络中的超小金纳米粒子 (NPs) 成功用作高选择性异质金催化二甲基烯丙基（炔丙基）丙二酸环化为 5 元共轭二烯的预催化剂。这种反应通常会遇到均相催化剂的选择性问题。这种对选择性的控制进一步为一锅级联反应开辟了道路，如丙二酸二甲基烯丙基炔丙基酯与马来酸酐的 1,6-烯炔环异构化-Diels-Alder 反应所示。在网络内组装具有可控尺寸和形状的纳米粒子的能力涉及传感器、医学诊断、信息存储和催化应用方面的研究。在此，亚2纳米金纳米颗粒的合成控制是通过形成密集网络来实现的，它们通过使用双位聚锰硫醇在一步反应中组装。通过使用 1,1'-bisadamantane-3,3'-dithiol (BAd-SH) 和 diamantane-4,9-dithiol (DAd-SH)，作为大体积表面稳定剂和短尺寸接头，我们提供了一个简单的形成嵌入刚性框架中的均匀小金纳米颗粒（1

  DOI：

  10.1021/jacsau.0c00062

文献信息

• Ethynylphenylbiadamantane derivatives
  申请人：Daicel Chemical Industries, Ltd.

  公开号：EP2014636A1

  公开（公告）日：2009-01-14

  Disclosed is a halophenylbiadamantane derivative of following Formula (1): wherein R1, R2, R3, R4, R5, and R6 each independently represent, for example, a hydrogen atom or a halo-substituted or unsubstituted alkyl or cycloalkyl group having about six or less carbon atom(s), provided that at least one of R1 to R6 represents a substituent represented by following Formula (2): wherein X represents a halogen atom; and "n" denotes a natural number of 1 to 5, wherein when only one of R1 to R6 is a substituent of Formula (2), then at least one of R1 to R6 is a halo-substituted or unsubstituted alkyl or cycloalkyl group having about six or less carbon atom(s) or "n" is a natural number of 2 or more. The halophenylbiadamantane derivative is usable as an intermediate material for a wide variety of biadamantane derivatives.

  本发明揭示了以下式（1）的卤苯基双螺烷衍生物：其中R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地代表例如氢原子或具有大约六个或更少碳原子的卤代或未卤代的烷基或环烷基基团，前提是R1到R6中至少有一个代表以下式（2）所表示的取代基：其中X代表卤素原子；“n”表示1到5的自然数，当R1到R6中仅有一个是式（2）的取代基时，那么R1到R6中至少有一个是具有大约六个或更少碳原子的卤代或未卤代的烷基或环烷基基团，或者“n”是2或更多的自然数。该卤苯基双螺烷衍生物可用作各种双螺烷衍生物的中间体材料。
• Functionalized Nanodiamonds Part 3:  Thiolation of Tertiary/Bridgehead Alcohols
  作者：Boryslav A. Tkachenko、Natalie A. Fokina、Lesya V. Chernish、Jeremy E. P. Dahl、Shenggao Liu、Robert M. K. Carlson、Andrey A. Fokin、Peter R. Schreiner

  DOI：10.1021/ol053136g

  日期：2006.4.1

  hydrobromic and acetic acid represents a convenient one-step route to the respective tertiary thiols and dithiols. This procedure was used for the preparation of diamondoid thiols of diamantane, triamantane, [121]tetramantane, and others that are prospective nanoelectronic materials.

  [反应：见正文]在氢溴酸和乙酸的存在下，用硫脲处理无环以及多环叔一羟基和二羟基烃衍生物代表了一种方便的一步法，可以分别制得相应的叔硫醇和二硫醇。该程序用于制备金刚烷，金刚烷，[121]四金刚烷和其他可能的纳米电子材料的类金刚石硫醇。
• ORGANIC INSULATING MATERIALS, VARNISHES FOR ORGANIC INSULATING FILM EMPLOYING THEM, ORGANIC INSULATING FILMS AND SEMICONDUCTOR DEVICES
  申请人：MATSUTANI Mihoko

  公开号：US20090318610A1

  公开（公告）日：2009-12-24

  There are provided organic insulating materials exhibiting low permittivity, high heat resistance and high mechanical strength, as well as organic insulating films with low permittivity, high heat resistance and high mechanical strength that employ the same, and semiconductor devices comprising the foregoing. An organic insulating material comprising a compound represented by general formula (1), or a polymer obtained by polymerizing a compound represented by general formula (1), or a mixture of a compound represented by general formula (1) and the polymer. X-VW n Y  (1) (In formula (1), X and Y each independently represent one or more groups with polymerizable functional groups. V and W each represent a group having an adamantane or polyamantane structure, and they may be the same or different. The letter n represents an integer of 0 or greater).

  提供了有机绝缘材料，具有低介电常数、高耐热性和高机械强度，以及采用相同材料的低介电常数、高耐热性和高机械强度的有机绝缘膜，以及包括上述材料的半导体器件。有机绝缘材料包括由通式（1）表示的化合物、由通式（1）表示的化合物聚合得到的聚合物，或通式（1）表示的化合物和聚合物的混合物。X和Y各自独立表示具有可聚合功能基团的一个或多个基团。V和W分别表示具有金刚烷或聚金刚烷结构的基团，它们可以相同也可以不同。字母n表示大于等于0的整数。
• Resist composition and method for manufacturing semiconductor device using the resist composition
  申请人：Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.

  公开号：EP1179749A1

  公开（公告）日：2002-02-13

  A resist composition comprises: at least one type of a first compound having two or more intramolecular adamantyl structures represented by the chemical formula 1 below; a base resin; and a second compound which generates an acid by active beam irradiation. wherein X is -(OCO)m-(CH2)n-(COO)m-, where m = 0 or 1 and n = 0, 1, 2 or 3 provided when n = 0, m = 0; and Y and Z are H, OH, F, Cl, Br, R or COOR, where Y may be Z, or Y and Z may be introduced in a single adamantyl structure and R represents a straight or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.

  抗蚀剂组合物包括：至少一种具有两个或两个以上分子内金刚烷基结构的第一种化合物（如下化学式 1 所示）；碱树脂；以及通过活性光束照射产生酸的第二种化合物。 其中 X 是-(OCO)m-(CH2)n-(COO)m-，其中 m = 0 或 1，n = 0、1、2 或 3，当 n = 0 时，m = 0；以及 Y 和 Z 是 H、OH、F、Cl、Br、R 或 COOR，其中 Y 可以是 Z，或 Y 和 Z 可以在单个金刚烷基结构中引入，R 代表具有 1 至 8 个碳原子的直链或支链烷基。
• ORGANIC INSULATING MATERIAL, VARNISH FOR ORGANIC INSULATING FILM USING THE SAME, ORGANIC INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
  申请人：Sumitomo Bakelite Co., Ltd.

  公开号：EP2117009A1

  公开（公告）日：2009-11-11

  There are provided organic insulating materials exhibiting low permittivity, high heat resistance and high mechanical strength, as well as organic insulating films with low permittivity, high heat resistance and high mechanical strength that employ the same, and semiconductor devices comprising the foregoing. An organic insulating material comprising a compound represented by general formula (1), or a polymer obtained by polymerizing a compound represented by general formula (1), or a mixture of a compound represented by general formula (1) and the polymer. (In formula (1), X and Y each independently represent one or more groups with polymerizable functional groups. V and W each represent a group having an adamantane or polyamantane structure, and they may be the same or different. The letter n represents an integer of 0 or greater.)

  本发明提供了具有低介电常数、高耐热性和高机械强度的有机绝缘材料，以及具有低介电常数、高耐热性和高机械强度的有机绝缘薄膜，以及包含上述材料的半导体器件。一种有机绝缘材料，包括通式（1）所代表的化合物，或通过聚合通式（1）所代表的化合物而得到的聚合物，或通式（1）所代表的化合物与聚合物的混合物。 式（1）中，X 和 Y 各自独立地代表一个或多个具有可聚合官能团的基团。V 和 W 各自代表具有金刚烷或聚金刚烷结构的基团，它们可以相同或不同。字母 n 代表 0 或更大的整数）。