Investigation of Indium Phosphide Quantum Dot Nucleation and Growth Utilizing Triarylsilylphosphine Precursors
作者:Dylan C. Gary、Benjamin A. Glassy、Brandi M. Cossairt
DOI:10.1021/cm500102q
日期:2014.2.25
each precursor in the synthesis of indium phosphide (InP) quantum dots (QDs). This approach was allowed by the exploration of the synthesis and reactivity of a series of sterically encumbered triarylsilylphosphines substituted at the para position of the aryl group, P(Si(C6H4-X)3)3 (X = H, Me, CF3, or Cl), as a contrast to P(SiMe3)3, the P3– source commonly employed in such syntheses. UV–vis absorption
我们已经开发了一种二膦战略,可以根据磷化铟(InP)量子点(QD)合成中每种前体的相对反应性来独立地调整成核和生长动力学。通过探索一系列在芳基对位P(Si(C 6 H 4 -X)3)3(X = H,Me, CF 3或Cl),作为与P(SiMe 3)3的对比,P 3–通常用于此类合成中的来源。InP QD生长期间等分试样的紫外-可见吸收光谱显示,在InP形成速率和最终粒径方面,带有给电子基团和吸电子基团的三芳基甲硅烷基膦之间形成了鲜明的对比。31 P 1 H}核磁共振波谱证实,当掺入P(SiPh 3)3作为唯一的磷前体时,前驱体转化率在整个纳米晶体合成过程中仍然是限速的;然而,这不足以有效分离该系统中的成核和生长,因为所导致的成核速率很慢。在所有情况下,使用单一化学物种作为P 3–的合成发现该源与In(O 2 C(CH 2)12 CH 3)3的反应性较差,因为前驱体转化率[P(SiPh 3)3和P