2,6-diiodo-dithieno[3,2-b;2',3'-d]thiophene | 1028527-04-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 噻吩并噻吩类
• 英文名称: 2,6-diiodo-dithieno[3,2-b;2',3'-d]thiophene
• 英文别名: 2,6-diiododithieno[3,2-b:2',3'-d]thiophene；4,10-diiodo-3,7,11-trithiatricyclo[6.3.0.02,6]undeca-1(8),2(6),4,9-tetraene
• CAS: 1028527-04-9
• 化学式: C₈H₂I₂S₃
• 分子量: 448.111
• InChiKey: QIBHIHXGSZRVJY-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  488.0±40.0 °C(Predicted)
• 密度：
  2.632±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.2
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  84.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  5-己基噻吩-2-硼酸频那醇酯 、 2,6-diiodo-dithieno[3,2-b;2',3'-d]thiophene 在 [PdCl₂(1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene)] potassium fluoride 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 0.33h， 以86%的产率得到2,6-bis(5-hexyl-2-thienyl)dithieno[3,2-b:2',3'-d]thiophene
  参考文献：
  名称：

  液晶刚性核半导体低聚噻吩：分子结构对相行为和薄膜性能的影响。

  摘要：

  描述了包含二噻吩并噻吩（DTT），苯并噻二唑（BTZ）和咔唑（CBZ）刚性核的液晶半导体低聚噻吩的设计，合成和性能。已经研究了分子结构（形状，大小和取代）对其热行为和电性能的影响。偏振光学显微镜（POM）和差示扫描量热法（DSC）分析表明，大多数新合成的化合物都具有高度有序的近晶中间相。在各种温度下进行的X射线衍射（XRD）研究表明，近晶阶在冷却至转变温度时保持为结晶态，从而为流延膜提供了更有利的FET应用形态。

  DOI：

  10.1002/chem.200701368
• 作为产物：
  描述：

  二噻吩[3,2-B:2',3'-D]噻吩 在 N-碘代丁二酰亚胺 作用下， 以 氯仿 、 溶剂黄146 为溶剂， 以80%的产率得到2,6-diiodo-dithieno[3,2-b;2',3'-d]thiophene
  参考文献：
  名称：

  2,6-二碘二噻吩并[3,2- b：2'，3'- d ]噻吩分子和晶体的电子性质：联合实验和理论研究

  摘要：

  通过紫外可见光谱，循环伏安法，X射线晶体学和密度泛函研究了2,6-二碘二噻吩并[3,2- b： 2'，3'- d ]噻吩分子和晶体的电子性质。理论。将该化合物的实验和计算性能与母体分子thithieno [3,2- b： 2'，3'- d ]噻吩显示的性能进行了比较。2,6-二碘二噻吩并[3,2- b： 2'，3'- d ]噻吩晶体的量子化学研究表明，单轴空穴传输特性的有效质量约为2 m 0，与并五苯相当单晶。

  DOI：

  10.1021/jp909164w

文献信息

• Structures and Optical Properties of Tris(trimethylsilyl)silylated Oligothiophene Derivatives
  作者：Hikaru Inubushi、Yohei Hattori、Yoshinori Yamanoi、Hiroshi Nishihara

  DOI：10.1021/jo500029f

  日期：2014.4.4

  structures and optical properties of tris(trimethylsilyl)silylated oligothiophenes were examined by spectroscopies, theoretical calculations, and single-crystal X-ray measurements. Bathochromic shift from the original oligothiophenes was observed in the tris(trimethylsilyl)silylated ones, confirming the σ–π conjugation between Si–Si σ bonds and π-orbital. 5,5′-Bis(tris(trimethylsilyl)silyl)-2,2′-bithiophene

  三（三甲基甲硅烷基）甲硅烷基化的低聚噻吩的结构和光学性质通过光谱学，理论计算和单晶X射线测量进行了检查。在三（三甲基甲硅烷基）甲硅烷基化的寡聚噻吩中发现了从原始的低聚噻吩的红移，这证实了Si-Siσ键与π轨道之间的σ-π共轭。5,5'-双（三（三甲基硅烷基）甲硅烷基）-2,2'-联噻吩（硅-T 2）显示出最高的荧光量子产率（Φ ˚F）无论是在溶液中（0.67，在350nm处激发）和实状态（0.74，在371 nm激发）。引入导致的小的非辐射率恒定三（三甲硅烷基）甲硅烷基的Si-T 2，从而导致在高Φ ˚F在解决方案状态。的Si-T 2也显示出有效的σ-π共轭和差分子相互作用，这反映其高Φ ˚F在固体状态。相反，降低Φ ˚F（0.13，在331纳米激发的）在固体状态中最长的低聚噻吩检查，5,5''' -双（1,1,1,3,3,3-六甲基-2-观察（三甲基硅烷基）三硅烷基-2-基）-2，2′：
• Synthesis, structure and properties of nitronyl nitroxide diradicals with fused-thiophene couplers
  作者：Evgeny Tretyakov、Keiji Okada、Shuichi Suzuki、Martin Baumgarten、Galina Romanenko、Artem Bogomyakov、Victor Ovcharenko

  DOI：10.1002/poc.3561

  日期：2016.12

  but the synthesis of planar diradical molecules is still a challenge. This paper describes the effective synthesis and properties of diradicals in which nitronyl nitroxide fragments and a fused‐thiophene bridge are almost coplanar. The diradicals DR1, DR2, DR4 were prepared in high yield by palladium‐catalyzed cross‐coupling of the (nitronyl nitroxide‐2‐ide)(triphenylphosphin)gold complex with 2,5‐diiodothieno[2

  官能化的双基自由基由于其固有的高反应活性和磁活性而被广泛用于化学，物理，生物学和材料科学，但是平面双基自由基分子的合成仍然是一个挑战。本文介绍了二价自由基的有效合成和性质，其中二硝基硝基氮氧化物片段和稠合噻吩桥几乎共面。通过自由基催化钯（2,5-二碘代噻吩并[2,3- b ]金络合物（2-亚硝基硝基氧-2-化物）（三苯基膦）金络合物的钯催化偶联反应制备双自由基DR 1，DR 2，DR 4。噻吩，2,5-二碘噻吩并[3,2- b ]噻吩或2,6-二碘二噻吩并[3,2- b：2'，3'- d ]噻吩。硝酰基氮氧化物片段的平面与熔融噻吩系统之间的扭转角在2.6–8.5°的范围内。DR 2和DR 4的平面性使Kekulé型耦合器单元成为有效的桥，通过自旋极化机制传输磁相互作用。根据磁化率测量结果，在密度泛函理论计算的支持下，DR 2的单重态-三重态能量分裂（2  J / k B）为-130 K，DR
• Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, compound, organic semiconductor composition, organic semiconductor film, and manufacturing method thereof
  申请人：FUJIFILM CORPORATION

  公开号：US10312447B2

  公开（公告）日：2019-06-04

  Objects of the present invention are to provide an organic semiconductor element in which carrier mobility is high, variation of mobility is suppressed, and temporal stability under high temperature and high humidity is excellent, and a manufacturing method thereof, to provide a novel compound suitable for an organic semiconductor, and to provide an organic semiconductor film in which mobility is high, variation of mobility is suppressed, and temporal stability under high temperature and high humidity is excellent, a manufacturing method thereof, and an organic semiconductor composition that can suitably form the organic semiconductor film. The organic semiconductor element according to the present invention is an organic semiconductor layer containing a compound having a constitutional repeating unit represented by Formula 1 and having a molecular weight of 2,000 or greater. D-A  (1)

  本发明的目的是提供一种载流子迁移率高、迁移率变化受抑制、高温高湿条件下的时间稳定性优异的有机半导体元件及其制造方法，提供一种适用于有机半导体的新型化合物，并提供一种迁移率高、迁移率变化受抑制、高温高湿条件下的时间稳定性优异的有机半导体薄膜及其制造方法，以及一种可适当形成该有机半导体薄膜的有机半导体组合物。 根据本发明的有机半导体元件是一种有机半导体层，其中含有一种化合物，该化合物具有由式 1 表示的构型重复单元，且分子量大于等于 2,000。 D-A (1)
• Sorting of carbon nanotubes
  申请人：BASF SE

  公开号：US10388881B2

  公开（公告）日：2019-08-20

  Provided is a process for preparing a composition comprising semiconducting single-walled carbon nanotubes, a semiconducting polymer and solvent A (composition A), which process comprises the step of separating composition A from a composition comprising semiconducting and metallic single-walled carbon nanotubes, the semiconducting polymer and solvent B (composition B), wherein the semiconducting polymer has a band gap in the range of 0.5 to 1.8 eV and solvent A and B comprise an aromatic or a heteroaromatic solvent, composition A itself, a process for forming an electronic device, which process comprises the step of forming a layer by applying composition A to a precursor of the electronic device, as well as the electronic device obtainable by this process.

  提供了一种制备包含半导体单壁碳纳米管、半导体聚合物和溶剂 A 的组合物（组合物 A）的工艺，该工艺包括将组合物 A 从包含半导体和金属单壁碳纳米管、半导体聚合物和溶剂 B 的组合物（组合物 B）中分离出来的步骤，其中半导体聚合物的带隙在 0.其中，半导体聚合物的带隙在 0.5 至 1.8 eV 范围内，溶剂 A 和 B 包括芳香族或杂芳族溶剂、组合物 A 本身、形成电子装置的工艺（该工艺包括通过将组合物 A 涂在电子装置的前体上形成层的步骤）以及通过该工艺获得的电子装置。
• Benzothienothiophene isoindigo polymers
  申请人：BASF SE

  公开号：US10669371B2

  公开（公告）日：2020-06-02

  Polymers comprising at least one unit of formula (1) and their use as semiconducting materials.

  包含至少一个式（1）单元的聚合物及其作为半导体材料的用途。