tris(ethoxy)monochloro titanium | 3712-48-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: tris(ethoxy)monochloro titanium
• 英文别名: chloro tris(ethoxy)titanium；tris-ethoxy titanium chloride；chlorotitanium (IV) triethoxide；triethoxytitanium(IV) chloride；titanium chloride triethoxide；triethoxytitanium chloride；Ti(OC2H5)3Cl；ClTi(OEt)3；TiCl(OEt)3；chlorotitanium(3+);ethanolate
• CAS: 3712-48-9
• 化学式: C₆H₁₅ClO₃Ti
• 分子量: 218.516
• InChiKey: NTWOIGOPFDMZAE-UHFFFAOYSA-M

物化性质

• 沸点：
  147.5-150.0 °C(Press: 2 Torr)
• 溶解度：
  氯仿（少量溶解）、甲醇（少量溶解）、水（少量溶解）

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.15
• 重原子数：
  11.0
• 可旋转键数：
  6.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  27.69
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  3.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tris(ethoxy)monochloro titanium 、 苯基溴化镁 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 phenyltriethoxytitanium
  参考文献：
  名称：

  氧气作为氧化剂的两种芳基金属试剂钴催化氧化组装的统一协议

  摘要：

  描述了两种芳基金属试剂的首次钴催化的氧化交叉偶联反应。通过简单的将ClTi（OET）等量的两个芳基或格利雅试剂锂等量，调停后3，1摩尔％的氯化钴的催化下轻便组装2使用氧气/ 10％（摩尔）的DMPU。各种芳基金属试剂之间，特别是两种结构相似的芳基格氏试剂之间的交叉偶联，可以平稳，选择性地进行，因此提供了一种构建联芳基化合物的高度通用且有效的方法。

  DOI：

  10.1021/acs.joc.5b01787
• 作为产物：
  描述：

  titanium(IV) tetraethanolate 、 乙酰氯 以 正庚烷 为溶剂， 反应 1.5h， 以73%的产率得到tris(ethoxy)monochloro titanium
  参考文献：
  名称：

  Difluoroalkylcyclopropyl amino acids and esters, and syntheses thereof

  摘要：

  这项发明提供了一种合成化合物的方法，以不对称或对映富集的方式进行，其中这些化合物是合成病毒蛋白酶抑制剂的有用中间体。

  公开号：

  US09809534B1
• 作为试剂：
  描述：

  5,5-dimethylcyclopent-2-enone 、 对甲苯磺酰胺 在 tris(ethoxy)monochloro titanium 、 三乙胺 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 2.33h， 以49%的产率得到(E)-N-(5,5-dimethylcyclopent-2-en-1-ylidene)-4-methylbenzenesulfonamide
  参考文献：
  名称：

  Convenient Access to Cycloalk-2-enone-Derived N-Sulfonyl Imines

  摘要：

  The first synthesis of N-tosyl imines from various cyclopent-2-enones and cyclohex-2-enones was achieved by direct condensation with tosyl amide in the presence of TiCl(OEt)(3) and Et3N. In addition, N-tert-butylsulfonyl imines from five- to seven-membered cycloalk-2-enones were obtained through formation of the respective oximes and subsequent Hudson reaction. These compounds are easy to handle solids and they are interesting starting materials for a variety of transformations.

  DOI：

  10.1055/s-0034-1378203

文献信息

• [EN] COMPLEXES OF IMIDAZOLE LIGANDS<br/>[FR] COMPLEXES DE LIGANDS IMIDAZOLES
  申请人：AIR PROD & CHEM

  公开号：WO2011156699A1

  公开（公告）日：2011-12-15

  Metal imidazolate complexes are described where imidazoles ligands functionalized with bulky groups and their anionic counterpart, i.e., imidazolates are described. Compounds comprising one or more such polyalkylated imidazolate anions coordinated to a metal or more than one metal, selected from the group consisting of alkali metals, transition metals, lanthanide metals, actinide metals, main group metals, including the chalcogenides, are contemplated. Alternatively, multiple different imidazole anions, in addition to other different anions, can be coordinated to metals to make new complexes. The synthesis of novel compounds and their use to form thin metal containing films is also contemplated.

  金属咪唑酸盐配合物的描述中，描述了咪唑配体上带有大体积基团的功能化咪唑和它们的阴离子对应物，即咪唑酸盐。考虑到由一个或多个这种多烷基化咪唑阴离子配位到一种或多种金属的化合物，所述金属选自碱金属、过渡金属、镧系金属、锕系金属、主族金属，包括硫属元素。或者，可以将多种不同的咪唑阴离子以及其他不同的阴离子配位到金属上以形成新的配合物。还考虑到合成新化合物并将其用于形成含金属薄膜的用途。
• Amidate precursors for depositing metal containing films
  申请人：Ivanov Sergei Vladimirovich

  公开号：US08642797B2

  公开（公告）日：2014-02-04

  Volatile metal amidate metal complexes are exemplified by bis(N-(tert-butyl)ethylamidate)bis(ethylmethylamido) titanium; (N-(tert-butyl)(tert-butyl)amidate)tris(ethylmethylamido) titanium; bis(N-(tert-butyl)(tert-butyl)amidate)bis(dimethylamido) titanium and (N-(tert-butyl)(tert-butyl)amidate)tris(dimethylamido) titanium. The term “volatile” refers to any precursor of this invention having vapor pressure above 0.5 torr at temperature less than 200° C. Metal-containing film depositions using these metal amidate ligands are also described.

  挥发性金属胺基金属配合物的例子包括双(N-(叔丁基)乙基胺基)双(乙基甲基胺基)钛；(N-(叔丁基)(叔丁基)胺基)三(乙基甲基胺基)钛；双(N-(叔丁基)(叔丁基)胺基)双(二甲基胺基)钛和(N-(叔丁基)(叔丁基)胺基)三(二甲基胺基)钛。术语“挥发性”指的是本发明的任何前体，在低于200°C的温度下，其蒸汽压大于0.5 torr。还描述了使用这些金属胺基配体进行含金属薄膜沉积的方法。
• Metal-Enolate Precursors For Depositing Metal-Containing Films
  申请人：Norman John Anthony Thomas

  公开号：US20130011579A1

  公开（公告）日：2013-01-10

  Organometallic compounds suitable for use as vapor phase deposition precursors for metal-containing films are provided. Methods of depositing metal-containing films using certain organometallic precursors are also provided. Such metal-containing films are particularly useful in the manufacture of electronic devices.

  提供适用于金属含量薄膜的气相沉积前体的有机金属化合物。还提供使用某些有机金属前体沉积金属含量薄膜的方法。这种金属含量薄膜在电子器件的制造中特别有用。
• Liquid precursor for depositing group 4 metal containing films
  申请人：Lei Xinjian

  公开号：US08592606B2

  公开（公告）日：2013-11-26

  The present invention is related to a family of liquid group 4 precursors represented by the formula: (pyr*)M(OR1)(OR2)(OR3) wherein pyr* is an alkyl substituted pyrrolyl, wherein M is group 4 metals include Ti, Zr, and Hf; wherein R1-3 can be same or different and selected from group consisting of linear or branched C1-6 alkyls; preferably C1-3 alkyls; R4 is selected from the group consisting of C1-6 alkyls, preferably branched C3-5 alkyls substituted at 2, 5 positions to prevent the pyrrolyl coordinated to the metal center in η1 fashion; n=2, 3, 4. Most preferably the invention is directed to (2,5-di-tert-butylpyrrolyl)(tris(ethoxy)titanium, (2,5-di-tert-amylpyrrolyl)(tris(ethoxy)titanium, and (2,5-di-tert-amylpyrrolyl)(tris(iso-propoxy)titanium. The invention is also directed to (cyclopentadienyl)(2,5-di-methylpyrrolyl)(bis(ethoxy))titanium. Deposition methods using these compounds are also contemplated.

  本发明涉及一类液态4族前体化合物，其化学式为：(pyr*)M(OR1)(OR2)(OR3)，其中pyr*是一种取代烷基的吡咯烷基，M代表4族金属，包括钛、锆和铪；R1-3可以相同或不同，并从由线性或支链C1-6烷基组成的群体中选择；最好选择C1-3烷基；R4从由C1-6烷基组成的群体中选择，最好选择支链C3-5烷基，其在2,5位置被取代以防止吡咯烷基以η1方式配位到金属中心；n = 2、3、4。最好的实施例是(2,5-二叔丁基吡咯烷基)(三乙氧基钛)、(2,5-二叔戊基吡咯烷基)(三乙氧基钛)和(2,5-二叔戊基吡咯烷基)(三异丙氧基钛)。本发明还涉及(环戊二烯基)(2,5-二甲基吡咯烷基)(双乙氧基)钛。本发明还考虑了使用这些化合物的沉积方法。
• Silica-supported cyclopentadienyl-rhodium(I), -cobalt(I), and -titanium(IV) complexes
  作者：B.L. Booth、G.C. Ofunne、C. Stacey、P.J.T. Tait

  DOI：10.1016/0022-328x(86)80433-8

  日期：1986.11