GaCl(3)使用环
烷烃催化
萘或
菲的芳族烷基化。C 6 C键的形成主要发生在底物的最小受阻位置,并且通常获得关于环
烷烃部分的赤道异构体。双环[4.4.0]
癸烷与
萘的反应发生在
萘的2-位和环
烷烃的2-或3-碳原子处,产物在结合处具有反式构型,在
萘基具有赤道构型组。值得注意的是,事实证明,顺式-双环[4.4.0]
癸烷比反式异构体具有更高的反应性,并且基于GaCl(3)的周转率“ TON”高达20。1,2-二
甲基环己烷的反应类似,顺式异构体比反式异构体更具反应性。如果烷基小于叔丁基,则单烷基环
烷烃在仲碳处反应。
金刚烷类在三级1-位反应。烷基化反应被认为涉及在叔中心用GaCl(3)活化环
烷烃的C [H]活化,然后迁移碳阳离子和亲电芳族取代,从而产生热力学稳定的产物。该反应的立体
化学表明,GaCl(3)激活了赤道的叔CH而不是轴向的叔CH。烷基化反应被认为涉及在第三级中心用GaCl(3)活化环
烷烃的C