2,6-dibromo-3,5-dichloro-[1,4]benzoquinone | 27728-26-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 2,6-dibromo-3,5-dichloro-[1,4]benzoquinone
• 英文别名: 2,6-Dibrom-3,5-dichlor-[1,4]benzochinon；3.5-Dichlor-2.6-dibrom-p-chinon；3.5-Dichlor-2.6-dibrom-chinon；2,6-Dichlor-3,5-dibrom-benzochinon-(1,4)；2,6-Dibromo-3,5-dichlorocyclohexa-2,5-diene-1,4-dione
• CAS: 27728-26-3
• 化学式: C₆Br₂Cl₂O₂
• 分子量: 334.779
• InChiKey: NQQOXFJEPQDWHC-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  >280 °C
• 沸点：
  303.0±42.0 °C(Predicted)
• 密度：
  2.39±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.5
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  34.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,6-dibromo-3,5-dichloro-[1,4]benzoquinone 在 磷化氢 、 氢碘酸 作用下， 生成 2,6-dibromo-3,5-dichloro-hydroquinone
  参考文献：
  名称：

  Molecular Characterization in the VP7, VP4 and NSP4 Genes of Human Rotavirus Serotype 4 (G4) Isolated in Japan and Kenya

  摘要：

  AbstractThe VP7, VP4 and NSP4 genes of human rotavirus serotype 4 (G4) were analyzed to investigate intraserotypic variations. The techniques used included reverse transcription polymerase chain reaction with subtype specific primers, restriction fragment length polymorphism analysis and sequence analysis. Twelve isolates (nine from Japan and three from Kenya) and two standard strains (Hochi, Odelia) were G4A P[8] Wa group NSP4. A standard strain (ST3) was G4A P[6] Wa group NSP4 and a strain (VA70) was G4B P[8] Wa group NSP4. These results show G4 rotaviruses can be divided into three combinations at the moment.

  DOI：

  10.1111/j.1348-0421.2001.tb01286.x
• 作为产物：
  描述：

  1,2,3-三氯-5-甲氧基苯 在 氢溴酸 、 溴 、 硝酸 、 溶剂黄146 作用下， 生成 2,6-dibromo-3,5-dichloro-[1,4]benzoquinone
  参考文献：
  名称：

  A European Perspective on Depression in the Community: The DEPRES Study

  摘要：

  摘要抑郁症是普通人群中最常见的疾病之一，会造成个人和社会的残疾和损伤。对抑郁症的诊断和管理进行评估的主要研究表明，抑郁症往往诊断不足、治疗不力。本文报告了一项泛欧研究，旨在评估六个不同国家抑郁症的程度和后果。研究分析了不同类型的抑郁症，并对其各自的治疗方法进行了比较。文章强调了改进抑郁症诊断和治疗的重要性。抑郁症的适当治疗取决于患者对抑郁症状的认识、他们寻求治疗的可能性以及初级保健医生识别疾病和开具适当药物的能力。所有这些领域都需要改进。

  DOI：

  10.1017/s1092852900017430

文献信息

• Phase and Microstructural Development of Sol-gel-derived Strontium Barium Niobate Thin Films
  作者：A. Y. Oral、M. L. Mecartney

  DOI：10.1557/jmr.2000.0205

  日期：2000.6

  Microstructural changes in sol-gel-derived Sr_xBa_1−xNb₂O₆ (SBN) thin films were monitored as a function of Ba-to-Sr ratio (from x = 0 to x = 1), choice of substrate (Si or MgO), and processing variations. Sols were created using Ba, Sr, and Nb alkoxides dissolved in acetic acid. The relatively high decomposition temperature for the organics led to a tendency to form defects, but careful control of thermal process parameters could be used to produce a uniform film microstructure. An unexpected phase, interpreted as a hexagonal (pseudo-orthorhombic) variant of hexagonal BaNb₂O₆, was encountered in Ba-rich sol-gel-derived SBN powders and thin films annealed at 750 °C. Increased (001) orientation was observed for SBN thin films deposited on (100) MgO when fast thermal processing was used.

  研究人员监测了溶胶-凝胶法制备的 SrxBa1-xNb2O6 (SBN) 薄膜的微观结构变化与钡-锶比率（从 x = 0 到 x = 1）、基底选择（硅或氧化镁）和加工变化的关系。溶胶是用溶解在醋酸中的钡、锶和铌烷氧基化合物制成的。有机物的分解温度相对较高，容易形成缺陷，但仔细控制热加工参数可以产生均匀的薄膜微观结构。在 750 °C 退火的富钡溶胶凝胶衍生 SBN 粉末和薄膜中，出现了一种意想不到的相，被解释为六方 BaNb2O6 的六方（假正方）变体。在使用快速热处理时，沉积在 (100) MgO 上的 SBN 薄膜的 (001) 取向增加。
• Domain structure and electrical properties of highly textured PbZr_<i>x</i>Ti_1−<i>x</i>O₃ thin films grown on LaNiO₃-electrode-buffered Si by metalorganic chemical vapor deposition
  作者：C. H. Lin、B. M. Yen、H. C. Kuo、Haydn Chen、T. B. Wu、G. E. Stillman

  DOI：10.1557/jmr.2000.0020

  日期：2000.1

  (100) textured fine-grain (lateral grain size congruent with 0.1 to 0.15 mu}m) PbZrsub x}Tisub 1-x}Osub 3} (PZT) (x=0 to 0.7) were grown on conductive perovskite LaNiOsub 3}-buffered platinized Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition. Domain configuration and crystalline orientation were studied using x-ray diffraction and transmission electron microscopy. The predominant domain boundaries

  高度 (100) 织构的细晶粒薄膜（横向晶粒尺寸与 0.1 至 0.15 μ}m 一致）PbZrsub x}Tisub 1-x}Osub 3} (PZT) (x=0 至0.7）通过金属有机化学气相沉积在导电钙钛矿LaNiOsub 3}-缓冲的镀铂Si衬底上生长。使用 X 射线衍射和透射电子显微镜研究域配置和晶体取向。发现富钛四方相 PZT 和富锆菱形相 PZT 的主要畴边界分别位于 (110) 平面和 (100) 平面上。基于转变应变、晶粒尺寸和域边界能量，观察平衡域宽度并进行数值估计。介电常数的峰值在同向边界附近为 790。证明了这些 PZT 薄膜的滞后行为。发现矫顽力随着Zr含量的增加而减小；这种变化归因于畴密度和极化轴的多样性。此外，所有样品均观察到低漏电流（J<=}5x10sup -7} A/cmsup 2} at V=4 V），并建议涉及几种可能的传导机制。(c)
• Ried,W.; Dietrich,R., Justus Liebigs Annalen der Chemie, 1961, vol. 649, p. 57 - 70
  作者：Ried,W.、Dietrich,R.

  DOI：——

  日期：——
• Kohn; Doemoetoer, Monatshefte fur Chemie, 1926, vol. 47, p. 212
  作者：Kohn、Doemoetoer

  DOI：——

  日期：——
• Hantzsch; Schniter, Chemische Berichte, 1887, vol. 20, p. 2280
  作者：Hantzsch、Schniter

  DOI：——

  日期：——