A novel air-stable n-type organic semiconductor: 4,4′-bis[(6,6′-diphenyl)-2,2-difluoro-1,3,2-dioxaborine] and its application in organic ambipolar field-effect transistors
摘要:
基于 4,4â²-双[(6,6â²-二苯基)-2,2-二氟-1,3,2-二氧硼烷](DOB)的新型空气稳定 n 型有机场效应晶体管已经制成。在室温环境下,该器件的锉效应迁移率为 1 Ã 10â4 cm2 Vâ1 sâ1,导通/关断比为 104,阈值电压为 8.6 V。此外,还制作出了基于 DOB 和铜酞菁(CuPc)的双极有机场效应晶体管。我们采用了两种器件结构来研究它们的传输特性。当以 DOB 为第一层、CuPc 为第二层时,器件显示出典型的伏极传输特性。然而,当交换这两层时,器件只显示出 p 沟道传输特性。这可能是因为 CuPc 是一种不良的电子传输材料,它阻碍了电子向 DOB 层的传输,导致电子增强功能消失。
A novel air-stable n-type organic semiconductor: 4,4′-bis[(6,6′-diphenyl)-2,2-difluoro-1,3,2-dioxaborine] and its application in organic ambipolar field-effect transistors
摘要:
基于 4,4â²-双[(6,6â²-二苯基)-2,2-二氟-1,3,2-二氧硼烷](DOB)的新型空气稳定 n 型有机场效应晶体管已经制成。在室温环境下,该器件的锉效应迁移率为 1 Ã 10â4 cm2 Vâ1 sâ1,导通/关断比为 104,阈值电压为 8.6 V。此外,还制作出了基于 DOB 和铜酞菁(CuPc)的双极有机场效应晶体管。我们采用了两种器件结构来研究它们的传输特性。当以 DOB 为第一层、CuPc 为第二层时,器件显示出典型的伏极传输特性。然而,当交换这两层时,器件只显示出 p 沟道传输特性。这可能是因为 CuPc 是一种不良的电子传输材料,它阻碍了电子向 DOB 层的传输,导致电子增强功能消失。