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1,6-二羟基-1,6-二苯基-1,5-二烯-3,4-二酮 | 81386-13-2

中文名称
1,6-二羟基-1,6-二苯基-1,5-二烯-3,4-二酮
中文别名
——
英文名称
1,6-dihydroxy-1,6-diphenyl-1,5-diene-3,4-dione
英文别名
(Z,Z)-3,4-Dihydroxy-1,6-diphenyl-2,4-hexadiene-1,6-dione;(1Z,5Z)-1,6-dihydroxy-1,6-diphenylhexa-1,5-diene-3,4-dione
1,6-二羟基-1,6-二苯基-1,5-二烯-3,4-二酮化学式
CAS
81386-13-2
化学式
C18H14O4
mdl
——
分子量
294.307
InChiKey
SJVNTAIFZNBHNX-NFLUSIDLSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    496.0±45.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.289±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.7
  • 重原子数:
    22
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    74.6
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    1,6-二羟基-1,6-二苯基-1,5-二烯-3,4-二酮三氟化硼乙醚 作用下, 以 溶剂黄146 为溶剂, 反应 0.03h, 生成 4,4'-bis(6-phenyl-2,2'-difluoro-1,3,2-dioxaborine)
    参考文献:
    名称:
    A novel air-stable n-type organic semiconductor: 4,4′-bis[(6,6′-diphenyl)-2,2-difluoro-1,3,2-dioxaborine] and its application in organic ambipolar field-effect transistors
    摘要:
    基于 4,4â²-双[(6,6â²-二苯基)-2,2-二氟-1,3,2-二氧硼烷](DOB)的新型空气稳定 n 型有机场效应晶体管已经制成。在室温环境下,该器件的锉效应迁移率为 1 Ã 10â4 cm2 Vâ1 sâ1,导通/关断比为 104,阈值电压为 8.6 V。此外,还制作出了基于 DOB 和铜酞菁(CuPc)的双极有机场效应晶体管。我们采用了两种器件结构来研究它们的传输特性。当以 DOB 为第一层、CuPc 为第二层时,器件显示出典型的伏极传输特性。然而,当交换这两层时,器件只显示出 p 沟道传输特性。这可能是因为 CuPc 是一种不良的电子传输材料,它阻碍了电子向 DOB 层的传输,导致电子增强功能消失。
    DOI:
    10.1039/b608840f
  • 作为产物:
    描述:
    苯乙酮草酸二乙酯 在 sodium hydride 作用下, 以 甲苯 为溶剂, 反应 8.0h, 生成 1,6-二羟基-1,6-二苯基-1,5-二烯-3,4-二酮
    参考文献:
    名称:
    A novel air-stable n-type organic semiconductor: 4,4′-bis[(6,6′-diphenyl)-2,2-difluoro-1,3,2-dioxaborine] and its application in organic ambipolar field-effect transistors
    摘要:
    基于 4,4â²-双[(6,6â²-二苯基)-2,2-二氟-1,3,2-二氧硼烷](DOB)的新型空气稳定 n 型有机场效应晶体管已经制成。在室温环境下,该器件的锉效应迁移率为 1 Ã 10â4 cm2 Vâ1 sâ1,导通/关断比为 104,阈值电压为 8.6 V。此外,还制作出了基于 DOB 和铜酞菁(CuPc)的双极有机场效应晶体管。我们采用了两种器件结构来研究它们的传输特性。当以 DOB 为第一层、CuPc 为第二层时,器件显示出典型的伏极传输特性。然而,当交换这两层时,器件只显示出 p 沟道传输特性。这可能是因为 CuPc 是一种不良的电子传输材料,它阻碍了电子向 DOB 层的传输,导致电子增强功能消失。
    DOI:
    10.1039/b608840f
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文献信息

  • Susnik-Rybarski, Ivana; Dzanic, Husein; Lacan, Marijan, Liebigs Annalen der Chemie, 1982, # 2, p. 382 - 385
    作者:Susnik-Rybarski, Ivana、Dzanic, Husein、Lacan, Marijan、Mesic, Vladimir
    DOI:——
    日期:——
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