2-methoxy-6,6-dimethyl-3,5-heptanedione | 865302-46-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 2-methoxy-6,6-dimethyl-3,5-heptanedione
• 英文别名: 6-methoxy-2,2-dimethylheptane-3,5-dione
• CAS: 865302-46-1
• 化学式: C₁₀H₁₈O₃
• 分子量: 186.251
• InChiKey: SGYLFBVSQVMLFF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  264.0±15.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.956±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.5
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  43.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  indium(III) chloride 、 2-methoxy-6,6-dimethyl-3,5-heptanedione 在 sodium methylate 作用下， 以 甲醇 为溶剂， 反应 0.58h， 以63%的产率得到tris(2-methoxy-6,6-dimethyl-3,5-heptanedionato)indium(III)
  参考文献：
  名称：

  Metal Complex Compound Comprising B-Diketonato Ligand

  摘要：

  提供一种金属络合物化合物，能够适用于通过CVD方法制备含金属薄膜，并提供一种制备含金属薄膜的方法。采用含有烷氧基烷基甲基基团的β-二酮配体的金属络合物化合物，以及通过CVD方法使用该金属络合物化合物制备含金属薄膜的方法。

  公开号：

  US20080254216A1
• 作为产物：
  描述：

  频哪酮 、 2-甲氧基丙酸甲酯 在 sodium amide 、 水 、 溶剂黄146 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 0.75h， 以52%的产率得到2-methoxy-6,6-dimethyl-3,5-heptanedione
  参考文献：
  名称：

  Metal Complex Compound Comprising B-Diketonato Ligand

  摘要：

  提供一种金属络合物化合物，能够适用于通过CVD方法制备含金属薄膜，并提供一种制备含金属薄膜的方法。采用含有烷氧基烷基甲基基团的β-二酮配体的金属络合物化合物，以及通过CVD方法使用该金属络合物化合物制备含金属薄膜的方法。

  公开号：

  US20080254216A1

文献信息

• Metal complex compound comprising β-diketonato ligand
  申请人：UBE Industries, Ltd.

  公开号：US07595414B2

  公开（公告）日：2009-09-29

  To provide a metal complex compound capable of being suitably used for manufacturing a metal-containing thin film by the CVD method and a method for preparing a metal-containing thin film. A metal complex compound comprising a β-diketonato ligand having an alkoxyalkyl-methyl group, and a method for preparing a metal-containing thin film using the metal complex compound by the CVD method.

  提供一种金属配合物化合物，能够适当地用于通过CVD方法制造含金属薄膜，并提供一种使用该金属配合物化合物通过CVD方法制备含金属薄膜的方法。该金属配合物化合物包括具有烷氧基烷基甲基的β-二酮配体，而使用该金属配合物化合物通过CVD方法制备含金属薄膜的方法。
• US7595414B2
  申请人：——

  公开号：US7595414B2

  公开（公告）日：2009-09-29
• Metal Complex Compound Comprising B-Diketonato Ligand
  申请人：Kadota Takumi

  公开号：US20080254216A1

  公开（公告）日：2008-10-16

  [PROBLEMS] To provide a metal complex compound capable of being suitably used for manufacturing a metal-containing thin film by the CVD method and a method for preparing a metal-containing thin film. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A metal complex compound comprising a β-diketonato ligand having an alkoxyalkyl-methyl group, and a method for preparing a metal-containing thin film using the metal complex compound by the CVD method.

  提供一种金属络合物化合物，能够适用于通过CVD方法制备含金属薄膜，并提供一种制备含金属薄膜的方法。采用含有烷氧基烷基甲基基团的β-二酮配体的金属络合物化合物，以及通过CVD方法使用该金属络合物化合物制备含金属薄膜的方法。