作者:Dane W. Scott、Richard A. Bunce、Nicholas F. Materer
DOI:10.1080/00304940609355993
日期:2006.6
equal to the gap between the dimer rows formed by cleavage of a silicon wafer in the (100) direction. Cleavage results in a reconstructed surface containing ordered rows of dimerized surface atoms? There is an approximate 6 A gap between the Si-dimer rows, while each dimer is separated from the next one in the same row by approximately 4 A. The unique chemistry of these dimers has been reviewed by several
IV 族半导体,特别是 Si(100) 的表面功能化是形成独特表面的一种途径,这可能导致化学传感、生物识别以及分子和光学电子学方面的新应用^。'-^ 我们在该领域的工作 4 -' 需要合成几种 3,6-二卤代菲衍生物。这些化合物是令人感兴趣的,因为卤素之间的距离大约等于由硅晶片在 (100) 方向上的解理形成的二聚体行之间的间隙。解理导致重建的表面包含有序的二聚表面原子行?Si-二聚体行之间有大约 6 A 的间隙,而每个二聚体与同一行中的下一个二聚体相隔大约 4 A。这些二聚体的独特化学已经被几位作者评论过~.'2*~ 3,6-二卤代菲具有刚性骨架和适当的卤素卤素距离,可以选择性地诱导硅二聚体行之间的反应。因此,我们需要使用 3,6-二氯菲、3,6-二溴菲和 3-溴-6 氯菲来检查与 Si(100) 表面的潜在相互作用。3,6dibromophenanthrene 的合成已有描述,化合物的