potential applications in near-infrared (NIR) wavelengths, NIR-OPDs with high responsivity and detectivity have attracted a lot of research interest. In this manuscript, we designed and synthesized a new n-type semiconductor, TPBT-OR, by introducing alkoxythiophene into Y5. TPBT-OR exhibits a small optical bandgap of 1.20 eV and red-shifted absorption peaks of 882 nm in film. Using P3HT as a donor and
近年来,有机光电探测器(OPD)以其低成本和方便的生产方式在光电行业中占据了重要地位。由于其在近红外 (NIR) 波长中的潜在应用,具有高响应度和检测率的 NIR-OPD 引起了很多研究兴趣。在这份手稿中,我们通过将烷氧基
噻吩引入 Y5 设计并合成了一种新的 n 型半导体 TPBT-OR。TPBT-OR 在薄膜中表现出 1.20 eV 的小光学带隙和 882 nm 的红移吸收峰。使用 P3HT 作为供体且无需在器件中进行太多额外处理,可在 320 nm–1000 nm 波长范围内实现超过 10 11 Jones (cm Hz 1/2 W -1 ) 的宽光谱响应,最大响应率为 0.084 A W-1和 7.87 × 10 11 Jones 在大约 850 nm 处的检测率。因此,新的 TPBT-OR 分子在近紫外到近红外检测中是一种很有前途的非
富勒烯受体。