Sodium;2-[(5,5-dioxo-4-oxa-5lambda6-thiatricyclo[4.2.1.03,7]nonan-2-yl)oxy]-1,1-difluoro-2-oxoethanesulfonate | 1153716-23-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 异戊烯醇脂质
• 英文名称: Sodium;2-[(5,5-dioxo-4-oxa-5lambda6-thiatricyclo[4.2.1.03,7]nonan-2-yl)oxy]-1,1-difluoro-2-oxoethanesulfonate
• 英文别名: sodium;2-[(5,5-dioxo-4-oxa-5λ6-thiatricyclo[4.2.1.03,7]nonan-2-yl)oxy]-1,1-difluoro-2-oxoethanesulfonate
• CAS: 1153716-23-4
• 化学式: C₉H₉F₂O₈S₂*Na
• 分子量: 370.284
• InChiKey: QBMVNOBMALGLCP-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -3.82
• 重原子数：
  22.0
• 可旋转键数：
  3.0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.89
• 拓扑面积：
  126.87
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  8.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Sodium;2-[(5,5-dioxo-4-oxa-5lambda6-thiatricyclo[4.2.1.03,7]nonan-2-yl)oxy]-1,1-difluoro-2-oxoethanesulfonate 以 正己烷 、 二氯甲烷 、 水 、 乙腈 为溶剂， 反应 1.5h， 生成 C₉H₉F₂O₈S₂^(1-)*C₁₈H₁₅S⁽¹⁺⁾
  参考文献：
  名称：

  암모늄염 화합물의 제조 방법, 화합물의 제조 방법, 그리고, 화합물, 고분자 화합물, 산 발생제, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법

  摘要：

  这是一种制备第二铵盐化合物的方法，其中使用具有孤对电子的氮化合物与第一铵盐化合物反应，制备出第二铵盐化合物。第一铵盐化合物可以是一级、二级或三级第一铵阳离子，该氮化合物的共价酸比第一铵阳离子的酸解离常数（pKa）大。该方法制备的铵盐化合物，以及具有比该氮化合物的共价酸更高的疏水性的铊阳离子或碘阳离子进行离子交换的化合物的制备方法。

  公开号：

  KR101582002B1
• 作为产物：
  描述：

  3,5-亚甲基环戊二烯并[d]-1,2-氧杂硫醇-6-醇,六氢-,2,2-二氧化(9CI) 、 difluorosulfoacetic acid sodium salt 在 对甲苯磺酸 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 24.0h， 以13.8 g的产率得到Sodium;2-[(5,5-dioxo-4-oxa-5lambda6-thiatricyclo[4.2.1.03,7]nonan-2-yl)oxy]-1,1-difluoro-2-oxoethanesulfonate
  参考文献：
  名称：

  암모늄염 화합물의 제조 방법, 화합물의 제조 방법, 그리고, 화합물, 고분자 화합물, 산 발생제, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법

  摘要：

  这是一种制备第二铵盐化合物的方法，其中使用具有孤对电子的氮化合物与第一铵盐化合物反应，制备出第二铵盐化合物。第一铵盐化合物可以是一级、二级或三级第一铵阳离子，该氮化合物的共价酸比第一铵阳离子的酸解离常数（pKa）大。该方法制备的铵盐化合物，以及具有比该氮化合物的共价酸更高的疏水性的铊阳离子或碘阳离子进行离子交换的化合物的制备方法。

  公开号：

  KR101582002B1

文献信息

• POSITIVE-TYPE RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, PHOTO-REACTIVE QUENCHER, AND POLYMERIC COMPOUND
  申请人：TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

  公开号：US20160376233A1

  公开（公告）日：2016-12-29

  A positive-type resist composition which generates an acid upon exposure and whose solubility in an alkali developing solution increases under the action of an acid, the composition including a base material component whose solubility in an alkali developing solution increases under the action of an acid; and a compound represented by the following general formula (m0): Z 01 to Z 04 each independently represent a substituent having electron withdrawing properties, Rb 21 and Rb 22 each independently represent an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group which may have a substituent, or a hydroxyl group, Rb 1 represents an aryl group which may have a substituent, an alkyl group, or an alkenyl group, n1 and n2 represent an integer of 0 to 3, and X0 − represents an organic anion.

  一种正型抗蚀组合物，曝光后生成酸，其在碱性显影溶液中的溶解度在酸的作用下增加，该组合物包括一种基材组分，在酸的作用下在碱性显影溶液中的溶解度增加；以及由以下一般式（m0）表示的化合物：Z01至Z04分别独立表示具有电子吸引性的取代基，Rb21和Rb22分别独立表示烷基基团、可能具有取代基的脂环烃基团或羟基，Rb1表示可能具有取代基的芳基、烷基或烯基，n1和n2表示0至3的整数，X0−表示有机阴离子。
• RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, ACID GENERATOR, PHOTOREACTIVE QUENCHER, AND COMPOUND
  申请人：TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

  公开号：US20160280679A1

  公开（公告）日：2016-09-29

  A resist composition which generates acid upon exposure and exhibits changed solubility in a developing solution under action of acid, and which includes a base component which exhibits changed solubility in a developing solution under action of acid and an acid-generator component including a compound (B0-1) represented by general formula (b0) shown below in which Ra 1 represents an aromatic ring; Ra 01 represents an alkyl group of 5 or more carbon atoms optionally having a substituent; Ra 02 and Ra 03 each independently represents an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms optionally having a substituent; n1 represents an integer of 1 to 5; n2 represents an integer of 0 to 2; n3 represents an integer of 0 to 4; and X − represents a counteranion.

  一种抗蚀组合物，暴露后产生酸并在酸的作用下在显影溶液中表现出溶解度改变，包括在酸的作用下在显影溶液中表现出溶解度改变的碱性组分和包括一种化合物（B0-1）的酸发生组分，该化合物由下面所示的一般式（b0）表示，其中Ra1代表芳香环；Ra01代表具有5个或更多碳原子的烷基基团，可选地具有取代基；Ra02和Ra03各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基基团，可选地具有取代基；n1表示1至5的整数；n2表示0至2的整数；n3表示0至4的整数；X−表示一个反离子。
• RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, NOVEL COMPOUND, AND ACID GENERATOR
  申请人：Seshimo Takehiro

  公开号：US20100121077A1

  公开（公告）日：2010-05-13

  A compound represented by general formula (I); and a compound represented by general formula (b1-1). wherein Q 1 represents a divalent linkage group or a single bond; Y 1 represents an alkylene group which may have a substituent or a fluorinated alkylene group which may have a substituent; X represents a cyclic group of 3 to 30 carbon atoms which may have a substituent, and has an —SO 2 — bond in the structure thereof; M − represents an alkali metal ion; and A + represents an organic cation.

  一个由通式(I)表示的化合物；和一个由通式(b1-1)表示的化合物。其中，Q1代表一个二价连接基团或一个单键；Y1代表一个可能带有取代基的烷基基团或一个可能带有取代基的氟代烷基基团；X代表一个含有取代基的3到30个碳原子的环状基团，并且在其结构中具有一个—SO2—键；M−代表一种碱金属离子；A+代表一个有机阳离子。
• Positive resist composition and method of forming a resist pattern using the same
  申请人：TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

  公开号：EP2093213B1

  公开（公告）日：2017-10-04
• US11667605
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——