(杂)环
芳烃具有刚性的分子骨架和大的π系统,是各种电子器件中潜在的活性材料。然而,其有机电子学的发展仍然远远落后于合成
化学。在此,为了弥补这一差距,我们详细报道了基于杂环
芳烃的有机半导体材料的结构、性能和器件性能之间的关系。有策略地合成了三种不同的直链烷基取代的蝴蝶形杂环
芳烃 PTZ。与庞大的芳基(均三甲基)取代的
PTZ1 相比,
PTZ 显示出额外的自组装行为。浓度依赖性1核磁共振氢谱表明自组装行为可以通过烷基链长度来调节。中等烷基链长度取代的杂环
芳烃PTZ-C6在溶液中表现出最强的缔合常数490M -1,并且通过薄膜吸收光谱在固态中也观察到类似的趋势。值得注意的是,尽管具有非平面共轭骨架,基于
PTZ-C6 的溶液处理薄膜晶体管仍表现出高达 0.13 cm 2 V -1 s -1的空穴迁移率和高达 10 5的电流开/关比。我们的研究表明,杂环
芳烃的取代基工程是调节自组装结构和提高晶体管器件性能的强大策略。