设计并合成了被双环[2.2.2]辛烯(BCO)单元部分退火的甲硫基封端的噻吩1a和季噻吩2a的硫醇盐保护的金纳米颗粒(AuNP)。还合成了覆盖有未退火的对噻吩3a的AuNP,以进行比较。通过吸收光谱和透射电子显微镜(TEM)测量证实了AuNP的形成。由于通过核心到核心隧穿的传导,AuNP-1a –和AuNP-3a –薄膜的电导率中等(〜10 –3 S cm –1),而AuNP-2a –胶片非常低(<10 –6 S cm –1)。TEM分析和DFT计算表明,AuNP-2a –薄膜的低电导率是由于两个空间要求较高的BCO单元之间的较大颗粒分离距离所致。重要的是,用碘蒸气掺杂之后,在的电导率的增强的AuNP-1A -和的AuNP-3A -只有4-和10倍,分别。与之形成鲜明对比,的导电性的AuNP-2A -后我2掺杂增加了超过10 4-折叠。后者的电导率可与先前报道的通过寡聚噻吩直接连接的AuN
设计并合成了被双环[2.2.2]辛烯(BCO)单元部分退火的甲硫基封端的噻吩1a和季噻吩2a的硫醇盐保护的金纳米颗粒(AuNP)。还合成了覆盖有未退火的对噻吩3a的AuNP,以进行比较。通过吸收光谱和透射电子显微镜(TEM)测量证实了AuNP的形成。由于通过核心到核心隧穿的传导,AuNP-1a –和AuNP-3a –薄膜的电导率中等(〜10 –3 S cm –1),而AuNP-2a –胶片非常低(<10 –6 S cm –1)。TEM分析和DFT计算表明,AuNP-2a –薄膜的低电导率是由于两个空间要求较高的BCO单元之间的较大颗粒分离距离所致。重要的是,用碘蒸气掺杂之后,在的电导率的增强的AuNP-1A -和的AuNP-3A -只有4-和10倍,分别。与之形成鲜明对比,的导电性的AuNP-2A -后我2掺杂增加了超过10 4-折叠。后者的电导率可与先前报道的通过寡聚噻吩直接连接的AuN
作者:Brian Capozzi、Emma J. Dell、Timothy C. Berkelbach、David R. Reichman、Latha Venkataraman、Luis M. Campos
DOI:10.1021/ja505277z
日期:2014.7.23
We have measured the single-moleculeconductance of a family of oligothiophenes comprising 1-6 thiophene moieties terminated with methyl-sulfide linkers using the scanning tunneling microscope-based break-junction technique. We find an anomalous behavior: the peak of the conductance histogram distribution does not follow a clear exponential decay with increasing number of thiophene units in the chain