Verfahren zur Herstellung eines o-Naphtochinondiazidsulfonsäureesters
申请人:HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
公开号:EP0258727A1
公开(公告)日:1988-03-09
Die Erfindung betrifft die Herstellung eines o-Naphthochinondiazidsulfonsäureesters durch Veresterung eines o-Naphthochinondiazidsulfonsäurehalogenids, mit einer ein-oder mehrwertigen phenolischen Verbindung in einem Lösungsmittel in Gegenwart einer basischen Komponente, Ausfällen des Esters und Trocknen, wobei die Veresterung in Gegenwart von Ammoniak, Ammoniumsalzen schwacher Säuren oder von aliphatischen Abkömmlingen des Ammoniaks mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen bei einem pH-Wert im Bereich zwischen etwa 1,5 und etwa 8,5 und bei einer Temperatur im Bereich zwischen etwa 15 und etwa 40 °C durchgeführt wird. Die erhaltenen Ester der o-Naphthochinondiazidsulfonsäure enthalten nur noch geringe Mengen an Metallionen und sind für lichtempfindliche Gemische einsetzbar, die hohen Anforderungen der Mikroelektronik genügen.