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O-ethylmenthol | 164351-97-7

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
O-ethylmenthol
英文别名
ethyl-menthyl ether;Aethyl-menthyl-aether;Cyclohexane, 2-ethoxy-4-methyl-1-(1-methylethyl)-;2-ethoxy-4-methyl-1-propan-2-ylcyclohexane
O-ethylmenthol化学式
CAS
164351-97-7
化学式
C12H24O
mdl
——
分子量
184.322
InChiKey
XZAREUVKALEUIS-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    210.8±8.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    0.85±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.9
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    9.2
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    1

SDS

SDS:173646b9c6db9705fa43c54161364f64
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上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

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文献信息

  • BASIC COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Hatakeyama Jun
    公开号:US20120141938A1
    公开(公告)日:2012-06-07
    A chemically amplified resist composition comprising a base polymer, an acid generator, and an amine quencher in the form of a β-alanine, γ-aminobutyric acid or 5-aminovaleric acid derivative having an acid labile group-substituted carboxyl group has a high contrast of alkaline dissolution rate before and after exposure and forms a pattern of good profile at a high resolution, minimal roughness and wide focus margin.
    一种化学放大型光刻胶组合物,包括基础聚合物、酸发生剂和胺淬灭剂,后者为β-丙氨酸、γ-氨基丁酸或5-氨基戊酸的衍生物,具有一个被酸不稳定基团所取代的羧基,这种组合物在曝光前后具有高对比度的碱性溶解速率,并且能够形成高分辨率、最小粗糙度和宽焦深度的良好图案轮廓。
  • MONOMER, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    公开号:US20140045123A1
    公开(公告)日:2014-02-13
    A polymer comprising recurring units derived from a (meth)acrylate monomer of tertiary ester type having branched alkyl on alicycle is used to form a resist composition. When subjected to exposure, PEB and organic solvent development, the resist composition is improved in dissolution contrast.
    一种聚合物,包括由具有支链烷基的萜酸酯单体衍生的重复单元,用于形成抗蚀组合物。在经过曝光、PEB和有机溶剂显影处理后,抗蚀组合物在溶解对比度方面得到改善。
  • RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND BARIUM, CESIUM AND CERIUM SALTS
    申请人:SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    公开号:US20170115566A1
    公开(公告)日:2017-04-27
    A resist composition comprising a base resin comprising acid labile group-containing recurring units and preferably acid generator-containing recurring units, and a sodium, magnesium, potassium, calcium, rubidium, strontium, yttrium, cesium, barium or cerium salt of α-fluorinated sulfonic acid bonded to an alkyl, alkenyl, alkynyl or aryl group exhibits a high resolution and sensitivity and forms a pattern of satisfactory profile with minimal LWR after exposure and development.
    一种抗蚀组合物包括基树脂,其中包含含酸敏感基团的重复单元,最好包含含酸发生剂的重复单元,以及与烷基、烯基、炔基或芳基结合的α-氟磺酸的钠、镁、钾、钙、铷、锶、钇、铯、钡或铈盐,表现出高分辨率和灵敏度,并在曝光和显影后形成具有最小LWR的满意轮廓图案。
  • RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSTION, PATTERNING PROCESS, AND COMPOUND
    申请人:SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    公开号:US20170018436A1
    公开(公告)日:2017-01-19
    The present invention provides a resist underlayer film composition for lithography, containing a compound having an indenofluorene structure. This resist underlayer film composition is excellent in filling property, generates little outgas, and has high heat resistance.
    本发明提供了一种用于光刻的抗蚀底层膜组合物,包含具有茚并芴结构的化合物。这种抗蚀底层膜组合物具有优异的填充性能,产生少量气体释放,并具有高耐热性。
  • MONOMER, POLYMER, CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Hatakeyama Jun
    公开号:US20110294070A1
    公开(公告)日:2011-12-01
    A polymer is obtained from a hydroxyphenyl methacrylate monomer having an acid labile group substituted thereon. A positive resist composition comprising the polymer as a base resin has a very high contrast of alkaline dissolution rate before and after exposure, a high resolution, a good profile and minimal line edge roughness of a pattern after exposure, a retarded acid diffusion rate, and good etching resistance.
    一种聚合物是由一种具有酸敏感基团的羟基苯甲酸甲酯单体合成得到的。该聚合物作为基础树脂的正性光阻组合物具有极高的曝光前后碱溶解速率对比度、高分辨率、曝光后图案的良好轮廓和极小的线边粗糙度、缓慢的酸扩散速率和良好的蚀刻抗性。
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