1,2-bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiododigallane | 591252-79-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 金属烷基卤化物
• 英文名称: 1,2-bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiododigallane
• 英文别名: bis(tris(trimethylsilyl)methyl)digallium(II) diiodide；1,2-Bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiodo-digallan
• CAS: 591252-79-8
• 化学式: C₂₀H₅₄Ga₂I₂Si₆
• 分子量: 856.417
• InChiKey: VHBUUDPTZSGTAC-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  9.66
• 重原子数：
  30
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,2-bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiododigallane 、 silver benzoate 以 甲苯 为溶剂， 以97%的产率得到bis(tris(trimethylsilyl)methyl)bis(μ-benzoate-O,O')digallium(II) diiodide
  参考文献：
  名称：

  镓和铟的有机元素卤化物的反应性——由羧基配体桥接的 Ga-Ga 和 In-In 键

  摘要：

  有机元素低卤化物 R2Ga2I2 (5) 和 R3In3I2 [6; R = C(SiMe3)3] 与苯甲酸银 AgOOCC6H5 反应生成二羧基二元化合物 R2E2(µ-OOCC6H5-O,O')2 (7, E = Ga; 8, E = In)。两种化合物都具有由螯合羧基配体桥接的 E-E 单键。螯合基团彼此垂直排列。由于羧基基团的小咬合，观察到非常短的 E-E 键长为 240.5 pm (Ga-Ga) 和 265.4 pm (In-In)。(© Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 69451 Weinheim, Germany, 2004)

  DOI：

  10.1002/ejic.200300640
• 作为产物：
  描述：

  tetrahedro-tetrakis[tris(trimethylsilyl)methylgallium(I)] 、 一氯化碘 、 碘化铝 以 正己烷 为溶剂， 以58%的产率得到1,2-bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiododigallane
  参考文献：
  名称：

  Ga2I2[C(SiMe3)3]2 – an organogallium(ii) halide containing a Ga–Ga single bond

  摘要：

  用 AlI3 和 ICl 的混合物处理四面体四核镓(I)团簇化合物 Ga4[C(SiMe3)3]4 (5)，58%的收率得到了淡黄色二核二镓(II)化合物 Ga2I2[C(SiMe3)3]2 (6)、该化合物的 X 射线晶体学研究表明，它包含一个非平面（对称性 C2）Ga2I2C2 骨架和两个三配位镓（II）原子，由一个镓镓键连接。此外，还介绍和讨论了对 6 和具有替代结构的相关化合物的 DFT 计算，以及有机镓（III）碘化物 Ga2I4[C(SiMe3)3]2 (7) 的分子结构。

  DOI：

  10.1039/b212144c

文献信息

• Investigations into the Reactivity of Organoelement Gallium and Indium Subhalides – Syntheses of Digallium and Diindium Acetylacetonates
  作者：Werner Uhl、Abdelhakim El‐Hamdan、Andreas Lawerenz

  DOI：10.1002/ejic.200400554

  日期：2005.3

  The organoelement subhalides R2Ga2I2 (1) and [R2In2Cl2]2 (2) [R = C(SiMe3)3] react with silver acetylacetonate Ag(acac) (acac = [OC(CH3)]2CH) and lithium acetylacetonate Li(acac), respectively, to yield the di(acetylacetonato)dielement compounds R2E2(acac)2 (3: E = Ga; 4: E = In). Both products possess E–E single bonds with relatively long E–E distances of 251.1 (Ga–Ga) and 278.0 pm (In–In). The gallium

  有机元素低卤化物 R2Ga2I2 (1) 和 [R2In2Cl2]2 (2) [R = C(SiMe3)3] 与乙酰丙酮银 Ag(acac) (acac = [OC(CH3)]2CH) 和乙酰丙酮锂 Li(acac) 反应分别生成二（乙酰丙酮）二元化合物 R2E2(acac)2（3：E = Ga；4：E = In）。两种产品都具有 E-E 单键，E-E 距离相对较长，分别为 251.1 (Ga-Ga) 和 278.0 pm (In-In)。镓或铟原子通过烷基和二齿乙酰丙酮基进行末端配位。低卤化物 1 和 [R2In2Br2]2 与二苯基三氮杂锂 LiN3(C6H5)2 的类似反应没有导致形成类似于 3 和 4 的双元素化合物，但会导致 E-E 键断裂并形成元素 (III) R–E(X)[N3( )2] 类型的化合物（E = Ga，In；X = Br，I）。(© Wiley-VCH Verlag
• Ga2Br2R2 und Ga3I2R3 [R = C(SiMe3)3]— zwei neue elementorganische Galliumsubhalogenide mit einer bzw. zwei Ga-Ga-Bindungen
  作者：Werner Uhl、Abdelhakim El-Hamdan、Gertraud Geiseler、Klaus Harms

  DOI：10.1002/zaac.200400008

  日期：2004.6

  66. Als zweites Produkt der Disproportionierung wurde die Gallium(III)-Verbindung [GaI(R)(OCMe3)(OH)]Li}2 (7) isoliert, die uber Li-O-Brucken dimer vorliegt und eine gehinderte Rotation der tert-Butylgruppe aufweist. Ga2Br2R2 and Ga3I2R3 [R = C(SiMe3)3] — Two New Organoelement Subhalides of Gallium Containing One or Two Ga-Ga Single Bonds The oxidation of the tetrahedral tetragallium cluster Ga4[C(SiMe3)3]4

  Die vorsichtige Oxidation des tetraedrischen Tetragalliumclusters Ga4[C(SiMe3)3]4 (1) mit elementarem Brom in Gegenwart von AlBr3 fuhrt zur Bildung des entsprechenden Subhalogenids Ga2Br2R2 [4, R = C(SiMe3)3] vorliegt 和 in dem die zweiwertigen Galliumatome uber eine kurze Ga-Ga-Einfachbindung [243, 2(2) pm] miteinander verbunden sind。Die analoge Digalliumdiiod-Verbindung Ga2I2R2 (3), die bereits fruher
• Die Reaktion des Digalliumsubiodids R(I)Ga-Ga(I)R [R = C(SiMe3)3] mit Lithium-diphenylphosphanid – radikalische Öffnung der Ga-Ga-Bindung
  作者：Werner Uhl、Abdel Hakim El-Hamdan

  DOI：10.1002/zaac.200500417

  日期：2006.4

  The Reaction of the Digallium Subiodide R(I)Ga-Ga(I)R [R = C(SiMe3)3] with Lithium Diphenylphosphanide – Radical Cleavage of the Ga-Ga Bond The easily available organoelement digallium(II) subiodide R(I)Ga-Ga(I)R (1) [R = C(SiMe3)3] reacted with two equivalents of lithium diphenylphosphanide in toluene by the replacement of both iodine atoms by two phosphanido groups. The product, [R(H)Ga-P(C6H5)2]2

  Digallium Subiodide R(I)Ga-Ga(I)R [R = C(SiMe3)3] 与二苯基磷化锂的反应——Ga-Ga 键的自由基裂解)Ga-Ga(I)R (1) [R = C(SiMe3)3] 与两当量的二苯基磷化锂在甲苯中反应，两个碘原子被两个膦基取代。产物 [R(H)Ga-P(C6H5)2]2 (2) 包含一个四元 Ga2P2 杂环，没有直接的 Ga-Ga 键合相互作用，并且镓原子仅处于 +III 的氧化态。它们与氢原子相连，这可能是反应性中间体与溶剂反应的结果。
• The Organogallium Subhalide R₂Ga₂I₂ as Starting Compound for the Generation of a Transition Metal Gallium Complex – Synthesis of Fe₂(CO)₆(μ-GaR)3 [R = C(SiMe₃)₃]
  作者：Werner Fachbereich Chemie der Philipps-Universit¨at Marburg, Hans-M、Abdelhakim El-Hamdan、Wolfgang Petz、Gertraud Geiseler、Klaus Harms

  DOI：10.1515/znb-2004-0707

  日期：2004.7.1

  Treatment of the monomeric organogallium subiodide R(I)Ga-Ga(I)R 1 [R = C(SiMe₃)₃] with the diironcarbonylate anion [Fe₂(CO)₈]²⁻ yielded the red iron gallium compound Fe₂(CO)₆(μ-GaR)₃ 2 in moderate yield. 2 may be described as an analogue of enneacarbonyldiiron Fe₂(CO)₉, the three bridging carbonyl groups of which are replaced by GaR ligands.

  用二铁羰基负离子[Fe2(CO)8]2-处理单体有机镓亚碘化物R(I)Ga-Ga(I)R 1 [R = C(SiMe3)3]，可以得到红色铁镓化合物Fe2(CO)6(μ-GaR)3 2，收率中等。2可以描述为九羰基二铁Fe2(CO)9的类似物，其中三个桥联羰基被GaR配体取代。