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1,2-bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiododigallane | 591252-79-8

中文名称
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中文别名
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英文名称
1,2-bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiododigallane
英文别名
bis(tris(trimethylsilyl)methyl)digallium(II) diiodide;1,2-Bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiodo-digallan
1,2-bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiododigallane化学式
CAS
591252-79-8
化学式
C20H54Ga2I2Si6
mdl
——
分子量
856.417
InChiKey
VHBUUDPTZSGTAC-UHFFFAOYSA-L
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    9.66
  • 重原子数:
    30
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    1,2-bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiododigallanesilver benzoate甲苯 为溶剂, 以97%的产率得到bis(tris(trimethylsilyl)methyl)bis(μ-benzoate-O,O')digallium(II) diiodide
    参考文献:
    名称:
    镓和铟的有机元素卤化物的反应性——由羧基配体桥接的 Ga-Ga 和 In-In 键
    摘要:
    有机元素低卤化物 R2Ga2I2 (5) 和 R3In3I2 [6; R = C(SiMe3)3] 与苯甲酸银 AgOOCC6H5 反应生成二羧基二元化合物 R2E2(µ-OOCC6H5-O,O')2 (7, E = Ga; 8, E = In)。两种化合物都具有由螯合羧基配体桥接的 E-E 单键。螯合基团彼此垂直排列。由于羧基基团的小咬合,观察到非常短的 E-E 键长为 240.5 pm (Ga-Ga) 和 265.4 pm (In-In)。(© Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 69451 Weinheim, Germany, 2004)
    DOI:
    10.1002/ejic.200300640
  • 作为产物:
    描述:
    tetrahedro-tetrakis[tris(trimethylsilyl)methylgallium(I)] 、 一氯化碘碘化铝正己烷 为溶剂, 以58%的产率得到1,2-bis[tris(trimethylsilyl)methyl]-1,2-diiododigallane
    参考文献:
    名称:
    Ga2I2[C(SiMe3)3]2 – an organogallium(ii) halide containing a Ga–Ga single bond
    摘要:
    用 AlI3 和 ICl 的混合物处理四面体四核镓(I)团簇化合物 Ga4[C(SiMe3)3]4 (5),58%的收率得到了淡黄色二核二镓(II)化合物 Ga2I2[C(SiMe3)3]2 (6)、该化合物的 X 射线晶体学研究表明,它包含一个非平面(对称性 C2)Ga2I2C2 骨架和两个三配位镓(II)原子,由一个镓镓键连接。此外,还介绍和讨论了对 6 和具有替代结构的相关化合物的 DFT 计算,以及有机镓(III)碘化物 Ga2I4[C(SiMe3)3]2 (7) 的分子结构。
    DOI:
    10.1039/b212144c
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文献信息

  • Investigations into the Reactivity of Organoelement Gallium and Indium Subhalides – Syntheses of Digallium and Diindium Acetylacetonates
    作者:Werner Uhl、Abdelhakim El‐Hamdan、Andreas Lawerenz
    DOI:10.1002/ejic.200400554
    日期:2005.3
    The organoelement subhalides R2Ga2I2 (1) and [R2In2Cl2]2 (2) [R = C(SiMe3)3] react with silver acetylacetonate Ag(acac) (acac = [OC(CH3)]2CH) and lithium acetylacetonate Li(acac), respectively, to yield the di(acetylacetonato)dielement compounds R2E2(acac)2 (3: E = Ga; 4: E = In). Both products possess E–E single bonds with relatively long E–E distances of 251.1 (Ga–Ga) and 278.0 pm (In–In). The gallium
    有机元素低卤化物 R2Ga2I2 (1) 和 [R2In2Cl2]2 (2) [R = C(SiMe3)3] 与乙酰丙酮银 Ag(acac) (acac = [OC(CH3)]2CH) 和乙酰丙酮锂 Li(acac) 反应分别生成二(乙酰丙酮)二元化合物 R2E2(acac)2(3:E = Ga;4:E = In)。两种产品都具有 E-E 单键,E-E 距离相对较长,分别为 251.1 (Ga-Ga) 和 278.0 pm (In-In)。镓或铟原子通过烷基和二齿乙酰丙酮基进行末端配位。低卤化物 1 和 [R2In2Br2]2 与二苯基三氮杂锂 LiN3(C6H5)2 的类似反应没有导致形成类似于 3 和 4 的双元素化合物,但会导致 E-E 键断裂并形成元素 (III) R–E(X)[N3(C6H5)2] 类型的化合物(E = Ga,In;X = Br,I)。(© Wiley-VCH Verlag
  • Ga2Br2R2 und Ga3I2R3 [R = C(SiMe3)3]— zwei neue elementorganische Galliumsubhalogenide mit einer bzw. zwei Ga-Ga-Bindungen
    作者:Werner Uhl、Abdelhakim El-Hamdan、Gertraud Geiseler、Klaus Harms
    DOI:10.1002/zaac.200400008
    日期:2004.6
    66. Als zweites Produkt der Disproportionierung wurde die Gallium(III)-Verbindung [GaI(R)(OCMe3)(OH)]Li}2 (7) isoliert, die uber Li-O-Brucken dimer vorliegt und eine gehinderte Rotation der tert-Butylgruppe aufweist. Ga2Br2R2 and Ga3I2R3 [R = C(SiMe3)3] — Two New Organoelement Subhalides of Gallium Containing One or Two Ga-Ga Single Bonds The oxidation of the tetrahedral tetragallium cluster Ga4[C(SiMe3)3]4
    Die vorsichtige Oxidation des tetraedrischen Tetragalliumclusters Ga4[C(SiMe3)3]4 (1) mit elementarem Brom in Gegenwart von AlBr3 fuhrt zur Bildung des entsprechenden Subhalogenids Ga2Br2R2 [4, R = C(SiMe3)3] vorliegt 和 in dem die zweiwertigen Galliumatome uber eine kurze Ga-Ga-Einfachbindung [243, 2(2) pm] miteinander verbunden sind。Die analoge Digalliumdiiod-Verbindung Ga2I2R2 (3), die bereits fruher
  • Die Reaktion des Digalliumsubiodids R(I)Ga-Ga(I)R [R = C(SiMe3)3] mit Lithium-diphenylphosphanid – radikalische Öffnung der Ga-Ga-Bindung
    作者:Werner Uhl、Abdel Hakim El-Hamdan
    DOI:10.1002/zaac.200500417
    日期:2006.4
    The Reaction of the Digallium Subiodide R(I)Ga-Ga(I)R [R = C(SiMe3)3] with Lithium Diphenylphosphanide – Radical Cleavage of the Ga-Ga Bond The easily available organoelement digallium(II) subiodide R(I)Ga-Ga(I)R (1) [R = C(SiMe3)3] reacted with two equivalents of lithium diphenylphosphanide in toluene by the replacement of both iodine atoms by two phosphanido groups. The product, [R(H)Ga-P(C6H5)2]2
    Digallium Subiodide R(I)Ga-Ga(I)R [R = C(SiMe3)3] 与二苯基磷化锂的反应——Ga-Ga 键的自由基裂解)Ga-Ga(I)R (1) [R = C(SiMe3)3] 与两当量的二苯基磷化锂在甲苯中反应,两个碘原子被两个膦基取代。产物 [R(H)Ga-P(C6H5)2]2 (2) 包含一个四元 Ga2P2 杂环,没有直接的 Ga-Ga 键合相互作用,并且镓原子仅处于 +III 的氧化态。它们与氢原子相连,这可能是反应性中间体与溶剂反应的结果。
  • The Organogallium Subhalide R<sub>2</sub>Ga<sub>2</sub>I<sub>2</sub> as Starting Compound for the Generation of a Transition Metal Gallium Complex – Synthesis of Fe<sub>2</sub>(CO)<sub>6</sub>(μ-GaR)3 [R = C(SiMe<sub>3</sub>)<sub>3</sub>]
    作者:Werner Fachbereich Chemie der Philipps-Universit¨at Marburg, Hans-M、Abdelhakim El-Hamdan、Wolfgang Petz、Gertraud Geiseler、Klaus Harms
    DOI:10.1515/znb-2004-0707
    日期:2004.7.1

    Treatment of the monomeric organogallium subiodide R(I)Ga-Ga(I)R 1 [R = C(SiMe3)3] with the diironcarbonylate anion [Fe2(CO)8]2− yielded the red iron gallium compound Fe2(CO)6(μ-GaR)3 2 in moderate yield. 2 may be described as an analogue of enneacarbonyldiiron Fe2(CO)9, the three bridging carbonyl groups of which are replaced by GaR ligands.

    用二铁羰基负离子[Fe2(CO)8]2-处理单体有机镓亚碘化物R(I)Ga-Ga(I)R 1 [R = C(SiMe3)3],可以得到红色铁镓化合物Fe2(CO)6(μ-GaR)3 2,收率中等。2可以描述为九羰基二铁Fe2(CO)9的类似物,其中三个桥联羰基被GaR配体取代。
  • Reactivity of Organoelement Subhalides of Gallium and Indium — Ga−Ga and In−In Bonds Bridged by Carboxylato Ligands
    作者:Werner Uhl、Abdelhakim El‐Hamdan
    DOI:10.1002/ejic.200300640
    日期:2004.3
    The organoelement subhalides R2Ga2I2 (5) and R3In3I2 [6; R = C(SiMe3)3] reacted with silver benzoate AgOOCC6H5 to yield the dicarboxylato dielement compounds R2E2(µ-OOCC6H5-O,O′)2 (7, E = Ga; 8, E = In). Both compounds possess E−E single bonds bridged by the chelating carboxylato ligands. The chelating groups are arranged perpendicular to one another. Owing to the small bite of the carboxylato group
    有机元素低卤化物 R2Ga2I2 (5) 和 R3In3I2 [6; R = C(SiMe3)3] 与苯甲酸银 AgOOCC6H5 反应生成二羧基二元化合物 R2E2(µ-OOCC6H5-O,O')2 (7, E = Ga; 8, E = In)。两种化合物都具有由螯合羧基配体桥接的 E-E 单键。螯合基团彼此垂直排列。由于羧基基团的小咬合,观察到非常短的 E-E 键长为 240.5 pm (Ga-Ga) 和 265.4 pm (In-In)。(© Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 69451 Weinheim, Germany, 2004)
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