2,6-Ditert-butyl-4-[[5-[(3,5-ditert-butyl-4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)-thiophen-2-ylmethyl]thiophen-2-yl]-thiophen-2-ylmethylidene]cyclohexa-2,5-dien-1-one | 201011-64-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 异戊烯醇脂质
• 英文名称: 2,6-Ditert-butyl-4-[[5-[(3,5-ditert-butyl-4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)-thiophen-2-ylmethyl]thiophen-2-yl]-thiophen-2-ylmethylidene]cyclohexa-2,5-dien-1-one
• CAS: 201011-64-5
• 化学式: C₄₂H₄₈O₂S₃
• 分子量: 681.04
• InChiKey: CDTMQRZBDVCWEK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  13.2
• 重原子数：
  47
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.38
• 拓扑面积：
  119
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,6-Ditert-butyl-4-[[5-[(3,5-ditert-butyl-4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)-thiophen-2-ylmethyl]thiophen-2-yl]-thiophen-2-ylmethylidene]cyclohexa-2,5-dien-1-one 在 三氟乙酸 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 生成 2,6-Ditert-butyl-4-[[5-[(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)-thiophen-1-ium-2-ylidenemethyl]thiophen-2-yl]-thiophen-2-ylmethylidene]cyclohexa-2,5-dien-1-one
  参考文献：
  名称：

  寡核苷酸（p -quinone甲基化物）s的噻吩环桥接。具有高电子亲和力的新型低聚物，醌型π系统

  摘要：

  由对苯醌甲基化物和噻吩组成的新型交叉共轭低聚物，一直合成到四聚体，具有很高的电子亲和力（CV）。二聚体的碱金属还原产生稳定的二价阴离子的立体异构混合物，并且根据酸强度，用三氟乙酸质子化生成相应的单阳离子和双阳离子。

  DOI：

  10.1016/s0040-4039(97)10323-9
• 作为产物：
  描述：

  (Thiene-2,5-diyl)bis[(thiophen-2-yl)methanone] 、 3,5-di-tert-butyl-4-trimethylsiloxyphenyllithium 在 盐酸 作用下， 生成 2,6-Ditert-butyl-4-[[5-[(3,5-ditert-butyl-4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)-thiophen-2-ylmethyl]thiophen-2-yl]-thiophen-2-ylmethylidene]cyclohexa-2,5-dien-1-one
  参考文献：
  名称：

  寡核苷酸（p -quinone甲基化物）s的噻吩环桥接。具有高电子亲和力的新型低聚物，醌型π系统

  摘要：

  由对苯醌甲基化物和噻吩组成的新型交叉共轭低聚物，一直合成到四聚体，具有很高的电子亲和力（CV）。二聚体的碱金属还原产生稳定的二价阴离子的立体异构混合物，并且根据酸强度，用三氟乙酸质子化生成相应的单阳离子和双阳离子。

  DOI：

  10.1016/s0040-4039(97)10323-9

文献信息

• SWITCHING ELEMENT
  申请人：Fuji Electric Co., Ltd.

  公开号：EP1598877B1

  公开（公告）日：2012-03-28
• Switching element
  申请人：Kawakami Haruo

  公开号：US20070063187A1

  公开（公告）日：2007-03-22

  The present invention provides a switching element that has a stable bistable characteristic and a high transition voltage and demonstrates excellent cyclic performance. The switching element has two stable resistance values with respect to the voltage applied between electrodes, wherein a first electrode layer, an organic bistable material layer, and a second electrode layer are successively formed as thin films on a substrate and the organic bistable material constituting the organic bistable material layer is a quinomethane-based compound or a monoquinomethane-based compound. A metal constituting the second electrode layer is diffused into the organic bistable material layer. It is preferred that the second electrode layer be formed by vapor deposition and the temperature of the substrate during the vapor deposition be 30-150° C.
• US7623213B2
  申请人：——

  公开号：US7623213B2

  公开（公告）日：2009-11-24
• US7786470B2
  申请人：——

  公开号：US7786470B2

  公开（公告）日：2010-08-31