N,N,N',N'-四丁基丙二酰胺 | 14287-98-0

• 物质功能分类: 生物 - 细胞培养 - 添加剂
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 中文名称: N,N,N',N'-四丁基丙二酰胺
• 英文名称: N-Tetra-n-butyl-malonamid
• 英文别名: tetrabutyl malonamide；N,N,N',N'-Tetrabutylmalonamide；N,N,N',N'-tetrabutylpropanediamide
• CAS: 14287-98-0
• 化学式: C₁₉H₃₈N₂O₂
• mdl: MFCD00089288
• 分子量: 326.523
• InChiKey: QTVRIQFMPJRJAK-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  446.1±28.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.930±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.4
• 重原子数：
  23
• 可旋转键数：
  14
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.894
• 拓扑面积：
  40.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  plutonium(IV) nitrate 、 N,N,N',N'-四丁基丙二酰胺 以 硝酸 、 苯 为溶剂， 以45%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  硝酸p（IV）和硝酸二氧铀（VI）的一些新的单酰胺和二酰胺配合物的合成和表征

  摘要：

  摘要四硝基ni与N，N'-二烷基单酰胺A [A =己酰胺（DBHA），辛酰胺（DBOA）的二丁基衍生物]和四烷基二酰胺B [B =四丁基，四异丁基和四己基丙二酰胺（TBMA，TIBMA，THMA）]已分离出Pu（NO3）4·3A和Pu（NO）3）4·2B。与二酰胺如Pu（NO3）4·2TBMA和Pu（NO3）4·2TIBMA的配合物被分离为固体，而所有其他均为粘性液体。合成了具有上述单酰胺和二酰胺的铀酰二硝基酰胺配合物，并将其表征为UO2（NO3）2·2A和UO2（NO3）2·B。.和铀配合物的红外光谱和可见吸收光谱表明它们是O-键合，并且硝酸盐基团充当双齿基团。

  DOI：

  10.1016/0277-5387(95)00078-7

文献信息

• MONOMERS, POLYMERS AND PHOTORESIST COMPOSITIONS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.

  公开号：US20180059545A1

  公开（公告）日：2018-03-01

  In one preferred embodiment, polymers are provided that comprise a structure of the following Formula (I): Photoresists that comprises such polymers also are provided.

  在一个首选实施例中，提供了包含以下化学式（I）结构的聚合物： 还提供了包含这种聚合物的光刻胶。
• [EN] SULFONIC DERIVATIVE COMPOUNDS AS PHOTOACID GENERATORS IN RESIST APPLICATIONS<br/>[FR] COMPOSÉS DÉRIVÉS SULFONIQUES UTILISÉS EN TANT QUE PHOTOGÉNÉRATEURS D'ACIDES DANS DES APPLICATIONS DE PHOTORÉSINE
  申请人：HERAEUS PRECIOUS METALS NORTH AMERICA DAYCHEM LLC

  公开号：WO2016043941A1

  公开（公告）日：2016-03-24

  Novel photoacid generator compounds are provided. Photoresist compositions that include the novel photoacid generator compounds are also provided. The invention further provides methods of making and using the photoacid generator compounds and photoresist compositions disclosed herein. The compounds and compositions are useful as photoactive components in chemically amplified resist compositions for various microfabrication applications.

  提供了新型光酸发生剂化合物。还提供了包括这些新型光酸发生剂化合物的光阻组合物。该发明还提供了制备和使用所述光酸发生剂化合物和光阻组合物的方法。这些化合物和组合物可用作化学增感光阻组合物中的光活性组分，适用于各种微加工应用。
• SULFONIC ACID DERIVATIVE COMPOUNDS AS PHOTOACID GENERATORS IN RESIST APPLICATIONS
  申请人：Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC

  公开号：US20160266487A1

  公开（公告）日：2016-09-15

  Novel photoacid generator compounds are provided. Photoresist compositions that include the novel photoacid generator compounds are also provided. The invention further provides methods of making and using the photoacid generator compounds and photoresist compositions disclosed herein. The compounds and compositions are useful as photoactive components in chemically amplified resist compositions for various microfabrication applications.

  提供了新型光酸发生剂化合物。还提供了包括这些新型光酸发生剂化合物的光阻组合物。本发明还提供了制备和使用所述光酸发生剂化合物和光阻组合物的方法。这些化合物和组合物可用作化学增强型抗蚀组合物中的光活性组分，适用于各种微加工应用。
• PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.

  公开号：US20170090283A1

  公开（公告）日：2017-03-30

  New photoresists are provided that are useful in a variety of applications, including negative-tone development processes. Preferred resists comprise a first polymer comprising first units comprising a reactive nitrogen-containing moiety spaced from the polymer backbone, wherein the nitrogen-containing moiety produces a basic cleavage product during lithographic processing of the photoresist composition.

  提供了新的光阻剂，可用于各种应用，包括负调色剂开发过程。首选光阻剂包括第一聚合物，其中包括与聚合物骨架间隔的含有反应性氮基团的第一单元，其中氮基团在光刻处理光阻剂组合物期间产生碱性裂解产物。
• PHOTORESIST OVERCOAT COMPOSITIONS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials LLC

  公开号：US20160122574A1

  公开（公告）日：2016-05-05

  Photoresist overcoat compositions are provided. The compositions comprise: a matrix polymer, an additive polymer a basic quencher and an organic solvent. The additive polymer has a lower surface energy than a surface energy of the matrix polymer, and the additive polymer is present in the overcoat composition in an amount of from 1 to 20 wt % based on total solids of the overcoat composition. The compositions have particular applicability in the semiconductor manufacturing industry for use in negative tone development processes.

  提供了光阻覆盖层组合物。该组合物包括：基质聚合物、添加剂聚合物、碱性淬灭剂和有机溶剂。添加剂聚合物的表面能低于基质聚合物的表面能，并且添加剂聚合物在覆盖层组合物中的总固体量的1至20重量％的范围内存在。该组合物在半导体制造业中具有特定的适用性，用于负性调色剂开发过程。

表征谱图