methyl 6-bromo-2-(4-fluorophenyl)quinoline-4-carboxylate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 喹啉及其衍生物
• 英文名称: methyl 6-bromo-2-(4-fluorophenyl)quinoline-4-carboxylate
• 英文别名: Methyl 6-bromo-2-(4-fluorophenyl)quinoline-4-carboxylate
• 化学式: C₁₇H₁₁BrFNO₂
• 分子量: 360.182
• InChiKey: FENXGTPBDRREGD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.5
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.06
• 拓扑面积：
  39.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-ferrocenylphenylacetylene 、 methyl 6-bromo-2-(4-fluorophenyl)quinoline-4-carboxylate 在 四(三苯基膦)钯 、 三乙胺 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  通过改变二茂铁的氧化还原行为，从基于喹啉的 D-A 系统中获得高效的三元 WORM 存储器件

  摘要：

  使用喹啉核设计和合成二茂铁功能化有机小分子，以实现三态一次写入多次读取（WORM）存储器件。在二茂铁体系中引入吸电子基团会改变化合物的光物理、电化学和记忆行为。合成的化合物在二茂铁单元和喹啉之间有或没有乙炔桥。电化学研究证明了二茂铁单元的氧化行为具有稍弱的还原峰，表明喹啉比二茂铁具有更强的还原性，带隙范围为 2.67-2.75 eV。化合物的单晶分析还揭示了良好的相互作用，确保了良好的分子堆积。这进一步导致三元 WORM 存储器具有二茂铁单元的氧化和化合物中的电荷转移。通过保持和耐久性测试，该器件表现出 10 4的开/关比和 -0.58/-1.02 V 的极低阈值电压，并具有 10 3 s 的稳定性和所有状态的 100 个周期。

  DOI：

  10.1039/d3ra05685f
• 作为产物：
  描述：

  5-溴靛红 在 硫酸 、 potassium hydroxide 作用下， 以 甲醇 、 水 为溶剂， 反应 48.0h， 生成 methyl 6-bromo-2-(4-fluorophenyl)quinoline-4-carboxylate
  参考文献：
  名称：

  通过改变二茂铁的氧化还原行为，从基于喹啉的 D-A 系统中获得高效的三元 WORM 存储器件

  摘要：

  使用喹啉核设计和合成二茂铁功能化有机小分子，以实现三态一次写入多次读取（WORM）存储器件。在二茂铁体系中引入吸电子基团会改变化合物的光物理、电化学和记忆行为。合成的化合物在二茂铁单元和喹啉之间有或没有乙炔桥。电化学研究证明了二茂铁单元的氧化行为具有稍弱的还原峰，表明喹啉比二茂铁具有更强的还原性，带隙范围为 2.67-2.75 eV。化合物的单晶分析还揭示了良好的相互作用，确保了良好的分子堆积。这进一步导致三元 WORM 存储器具有二茂铁单元的氧化和化合物中的电荷转移。通过保持和耐久性测试，该器件表现出 10 4的开/关比和 -0.58/-1.02 V 的极低阈值电压，并具有 10 3 s 的稳定性和所有状态的 100 个周期。

  DOI：

  10.1039/d3ra05685f

文献信息

• Efficient ternary WORM memory devices from quinoline-based D–A systems by varying the redox behavior of ferrocene
  作者：Varghese Maria Angela、Deivendran Harshini、Predhanekar Mohamed Imran、Nattamai. S. P. Bhuvanesh、Samuthira Nagarajan

  DOI：10.1039/d3ra05685f

  日期：——

  and synthesis of ferrocene-functionalized organic small molecules using quinoline cores are rendered to achieve a ternary write-once-read-many (WORM) memory device. Introducing an electron-withdrawing group into the ferrocene system changes the compounds' photophysical, electrochemical, and memory behavior. The compounds were synthesized with and without an acetylene bridge between the ferrocene unit

  使用喹啉核设计和合成二茂铁功能化有机小分子，以实现三态一次写入多次读取（WORM）存储器件。在二茂铁体系中引入吸电子基团会改变化合物的光物理、电化学和记忆行为。合成的化合物在二茂铁单元和喹啉之间有或没有乙炔桥。电化学研究证明了二茂铁单元的氧化行为具有稍弱的还原峰，表明喹啉比二茂铁具有更强的还原性，带隙范围为 2.67-2.75 eV。化合物的单晶分析还揭示了良好的相互作用，确保了良好的分子堆积。这进一步导致三元 WORM 存储器具有二茂铁单元的氧化和化合物中的电荷转移。通过保持和耐久性测试，该器件表现出 10 4的开/关比和 -0.58/-1.02 V 的极低阈值电压，并具有 10 3 s 的稳定性和所有状态的 100 个周期。