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(5,5-双(3,7-二甲基辛基)-5H-二噻吩[3,2-B:2',3'-D]吡喃-2,7-二基)双(三丁基锡) | 1295502-52-1

中文名称
(5,5-双(3,7-二甲基辛基)-5H-二噻吩[3,2-B:2',3'-D]吡喃-2,7-二基)双(三丁基锡)
中文别名
——
英文名称
((5,5-bis(3,7-dimethyloctyl)-5H-dithieno[3,2-b:2',3'-d]pyran-2,7-diyl)bis(tributylstannane))
英文别名
[8,8-Bis(3,7-dimethyloctyl)-4-tributylstannyl-7-oxa-3,12-dithiatricyclo[7.3.0.02,6]dodeca-1(9),2(6),4,10-tetraen-11-yl]-tributylstannane
(5,5-双(3,7-二甲基辛基)-5H-二噻吩[3,2-B:2',3'-D]吡喃-2,7-二基)双(三丁基锡)化学式
CAS
1295502-52-1
化学式
C53H98OS2Sn2
mdl
——
分子量
1052.91
InChiKey
SQWCTOBBQOFZPP-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    836.0±75.0 °C(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    18.64
  • 重原子数:
    58
  • 可旋转键数:
    20
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.74
  • 拓扑面积:
    11.2
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    (5,5-双(3,7-二甲基辛基)-5H-二噻吩[3,2-B:2',3'-D]吡喃-2,7-二基)双(三丁基锡) 、 (Z)-2-(2-((7-bromo-2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxin-5-yl)methylene)-5,6-dichloro-3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene)malononitrile 在 四(三苯基膦)钯 作用下, 以 甲苯 为溶剂, 以82 %的产率得到2,2'-((2Z,2'Z)-(((5,5-bis(3,7-dimethyloctyl)-5H-dithieno[3,2-b:2',3'-d]pyran-2,7-diyl)bis(2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxin-7,5-diyl))bis(methanilylidene))bis(5,6-dichloro-3-oxo-2,3-dihydro-1H-indene-2,1-diylidene))dimalononitrile
    参考文献:
    名称:
    KR2022/157149
    摘要:
    公开号:
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    用于形成高分子化合物的化合物
    摘要:
    本发明提供一种在光电转换元件中所含的有机层中使用时,短路电流密度和光电转换效率更大的化合物。具体而言,本发明提供具有式一种式(5)所表示的化合物,式中,R52和R53相同或不同,表示氢原子、卤原子、烷基、烷基氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂环氧基、杂环硫基、芳基烯基、芳基炔基、羧基或氰基,W1和W2相同或不同,表示氢原子、卤原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯残基、锍甲基、鳞甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、硼酸残基、甲酰基、乙烯基或有机锡残基。
    公开号:
    CN105601662A
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文献信息

  • 高分子化合物
    申请人:住友化学株式会社
    公开号:CN105439976A
    公开(公告)日:2016-03-30
    本发明涉及高分子化合物。含有下述高分子化合物的光电转换元件的光电转换效率高,所述高分子化合物具有由式(1)表示的结构单元。式中,X1和X2相同或不同,表示氮原子或=CH-;Y1表示原子、氧原子、原子、-N(R1)-或-CR2=CR3-;R1、R2和R3相同或不同,表示氢原子或取代基;W1表示基、具有原子的1价有机基团或卤素原子;W2表示基、具有原子的1价有机基团、卤素原子或氢原子。
  • 헤테로환 화합물, 이를 포함하는 유기 전자 소자 및 이를 이용한 유기 전자 소자의 제조 방법
    申请人:LG CHEM, LTD. 주식회사 엘지화학(120010134563) Corp. No ▼ 110111-2207995BRN ▼107-81-98139
    公开号:KR20190114358A
    公开(公告)日:2019-10-10
    본 명세서는 화학식 1로 표시되는 헤테로환 화합물 및 상기 헤테로환 화합물을 유기활성층에 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.
    本规范涉及标记为化学式1的杂环化合物以及包含该杂环化合物的有机电子器件。
  • 단분자 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
    申请人:LG CHEM, LTD. 주식회사 엘지화학(120010134563) Corp. No ▼ 110111-2207995BRN ▼107-81-98139
    公开号:KR20150048636A
    公开(公告)日:2015-05-07
    본 명세서는 단분자 및 이를 포함하는 유기 태양 전지를 제공한다.
    这份规范书提供了单分子和含有单分子的有机太阳能电池。
  • 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
    申请人:LG CHEM, LTD. 주식회사 엘지화학(120010134563) Corp. No ▼ 110111-2207995BRN ▼107-81-98139
    公开号:KR20190056729A
    公开(公告)日:2019-05-27
    본 명세서는 화학식 1의 단위를 포함하는 헤테로환 화합물 및 상기 헤테로환 화합물을 광활성층에 포함하는 유기 태양 전지에 관한 것이다.
    这是关于有机太阳能电池,其中包含具有化学式1单位的杂环化合物以及将该杂环化合物包含在光活性层中的杂环化合物的规范。
  • Synthesis of 5<i>H</i>-Dithieno[3,2-<i>b</i>:2′,3′-<i>d</i>]pyran as an Electron-Rich Building Block for Donor–Acceptor Type Low-Bandgap Polymers
    作者:Letian Dou、Chun-Chao Chen、Ken Yoshimura、Kenichiro Ohya、Wei-Hsuan Chang、Jing Gao、Yongsheng Liu、Eric Richard、Yang Yang
    DOI:10.1021/ma400452j
    日期:2013.5.14
    detailed synthesis and characterization of an electron-rich building block, dithienopyran (DTP), and its application as a donor unit in low-bandgap conjugated polymers. The electron-donating property of the DTP unit was found to be the strongest among the most frequently used donor units such as benzodithiophene (BDT) or cyclopentadithiophene (CPDT) units. When the DTP unit was polymerized with the
    我们描述了富电子构建基块,双喃(DTP)的详细合成和表征,以及其作为低带隙共轭聚合物中的供体单元的应用。发现在最常用的供体单元如苯并二噻吩(BDT)或环戊二噻吩(CPDT)单元中,DTP单元的供电子性最强。当DTP单元与强电子不足的二氟苯噻二唑(DFBT)单元聚合时,获得了区域随机聚合物(PDTP-DFBT,带隙= 1.38 eV)。为了与DTP单元进行比较,合成了含有交替苯并二噻吩(BDT)或环戊二噻吩(CPDT)单元和DFBT单元的聚合物(PBDT–DFBT和PCPDT–DFBT)。我们发现,与基于BDT或CPDT的聚合物相比,基于DTP的聚合物PDTP-DFBT表现出显着改善的溶解度和可加工性。因此,可以用较小的侧链获得非常高的分子量和可溶的PDTP-DFBT。有趣的是,PDTP–DFBT在体异质结太阳能电池中表现出出色的性能,功率转换效率达到8.0%,大大高于PBDT–DF
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