N,N-dimethyl-3-propoxy-aniline | 860735-50-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯酚醚
• 英文名称: N,N-dimethyl-3-propoxy-aniline
• 英文别名: 3-Propyloxy-N.N-dimethyl-anilin；N,N-Dimethyl-3-propoxy-anilin；N,N-dimethyl-3-propoxyaniline
• CAS: 860735-50-8
• 化学式: C₁₁H₁₇NO
• 分子量: 179.262
• InChiKey: MVWISAMUSFPSKT-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  251.1±13.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.971±0.06 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.1
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.45
• 拓扑面积：
  12.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N,N-dimethyl-3-propoxy-aniline 在 盐酸 、 sodium nitrite 作用下， 生成 N,N-dimethyl-4-nitroso-3-propoxy-aniline
  参考文献：
  名称：

  CCLXXXV。—酚的亚硝化。第十二部分。间苯二酚单正丙醚

  摘要：

  DOI：

  10.1039/jr9310002097
• 作为产物：
  描述：

  间硝基苯酚 在 乙醇 、 sodium ethanolate 、 铁粉 、 溶剂黄146 作用下， 生成 N,N-dimethyl-3-propoxy-aniline
  参考文献：
  名称：

  CCLXXXV。—酚的亚硝化。第十二部分。间苯二酚单正丙醚

  摘要：

  DOI：

  10.1039/jr9310002097

文献信息

• BICYCLIC COMPOUNDS HAVING ACTIVITY AT THE CXCR4 RECEPTOR
  申请人：Beard Richard L.

  公开号：US20090312305A1

  公开（公告）日：2009-12-17

  A compound represented by the structural formula: Therapeutic methods, compositions, and medicaments related thereto are also disclosed.

  一种由结构式表示的化合物：本发明还涉及与其相关的治疗方法、组合物和药物。
• INHIBITORS OF FILOVIRUS ENTRY INTO HOST CELLS
  申请人：Basu Arnab

  公开号：US20120189614A1

  公开（公告）日：2012-07-26

  Organic compounds showing the ability to inhibit viral glycoprotein (GP)-mediated entry of a filovirus into a host cell are disclosed. The disclosed filovirus entry inhibitor compounds are useful for treating, preventing, or reducing the spread of infections by filovirus including the type species Marburg virus (MARV) and Ebola virus (EBOV). Preferred inhibitors of the invention provide therapeutic agents for combating the Ivory Coast, Sudan, Zaire, Bundibugyo, and Reston Ebola virus strains.

  本发明揭示了有机化合物，表现出抑制病毒糖蛋白（GP）介导的菲罗病毒进入宿主细胞的能力。所揭示的菲罗病毒进入抑制剂化合物可用于治疗、预防或减少菲罗病毒感染的传播，包括类型种马尔堡病毒（MARV）和埃博拉病毒（EBOV）。本发明的优选抑制剂为治疗象牙海岸、苏丹、扎伊尔、邦迪布吉奥和雷斯顿埃博拉病毒株提供治疗剂。
• COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM AND PATTERNING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20140235796A1

  公开（公告）日：2014-08-21

  The invention provides a composition for forming a resist underlayer film including: as a component (A), a silicon-containing compound obtained by hydrolysis and/or condensation of one or more kinds of silicon compounds represented by the following general formula (A-1). There can be provided a composition for forming a resist underlayer film having etching selectivity relative to a conventional organic film and a silicon-containing film and favorable pattern adhesiveness relative to fine pattern even in a complicated patterning process. R 1A a1 R 2A a2 R 3A a3 Si(OR 0A ) (4-a1-a2-a3) (A-1)

  本发明提供了一种用于形成抗蚀底层膜的组合物，包括：作为组分（A）的硅含量化合物，所述硅含量化合物是由以下一种或多种硅化合物的水解和/或缩合得到的，所述硅化合物由以下一般式（A-1）表示。可以提供一种用于形成抗蚀底层膜的组合物，其相对于传统有机膜和硅含量膜具有蚀刻选择性，并且相对于细微图案即使在复杂的图案制作过程中也具有良好的图案附着性。 R1Aa1R2Aa2R3Aa3Si（OR0A）（4-a1-a2-a3）（A-1）
• US7470797B2
  申请人：——

  公开号：US7470797B2

  公开（公告）日：2008-12-30
• US7517904B2
  申请人：——

  公开号：US7517904B2

  公开（公告）日：2009-04-14