2,2-diethyl-butane-1,3-diol | 99799-77-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 2,2-diethyl-butane-1,3-diol
• 英文别名: 2,2-Diethyl-butan-1,3-diol；2,2-Diethyl-1,3-butandiol；2,2-Diethyl-1,3-butanediol；2,2-diethylbutane-1,3-diol
• CAS: 99799-77-6
• 化学式: C₈H₁₈O₂
• 分子量: 146.23
• InChiKey: AKPLTHZVVWBOPT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.2
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  40.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,2-diethyl-butane-1,3-diol 在 硫酸 、 硝酸 作用下， 生成 2,2-diethylbutane-1,3-diol dinitrate
  参考文献：
  名称：

  通过五氧化二氮（N 2 O 5）开环氧杂环丁烷的硝化反应制备二硝酸和多硝酸盐

  摘要：

  十个带有各种取代基的氧杂环丁烷在氯化烃溶剂中与N 2 O 5反应，生成1,3-二硬脂酸酯（I）通过开环硝化作用。衍生自在2-位未被取代的氧杂环丁烷的二/三硝酸盐的产率为73-88％，而带有此类取代基的氧杂环丁烷的产率为15-21％。虽然带有非羟基取代基（环氧（环氧乙烷基），螺-氧杂环丁烷和烯烃）的氧杂环丁烷的选择性环裂解是不可能的，但通常来说，在用于产生可用作前体的硝基-甲基氧杂环丁烷的条件下，可以实现羟烷基氧杂环丁烷的选择性硝化。高能聚醚。与代表性环氧化物的半定量反应性比较表明，氧杂环丁烷对N 2 O 5的反应性较低，这是由于其较低的环应变所预期的。

  DOI：

  10.1016/s0040-4020(01)87979-5
• 作为产物：
  描述：

  2,2-二乙基乙酰乙酸乙酯 在 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 以47%的产率得到2,2-diethyl-butane-1,3-diol
  参考文献：
  名称：

  通过五氧化二氮（N 2 O 5）开环氧杂环丁烷的硝化反应制备二硝酸和多硝酸盐

  摘要：

  十个带有各种取代基的氧杂环丁烷在氯化烃溶剂中与N 2 O 5反应，生成1,3-二硬脂酸酯（I）通过开环硝化作用。衍生自在2-位未被取代的氧杂环丁烷的二/三硝酸盐的产率为73-88％，而带有此类取代基的氧杂环丁烷的产率为15-21％。虽然带有非羟基取代基（环氧（环氧乙烷基），螺-氧杂环丁烷和烯烃）的氧杂环丁烷的选择性环裂解是不可能的，但通常来说，在用于产生可用作前体的硝基-甲基氧杂环丁烷的条件下，可以实现羟烷基氧杂环丁烷的选择性硝化。高能聚醚。与代表性环氧化物的半定量反应性比较表明，氧杂环丁烷对N 2 O 5的反应性较低，这是由于其较低的环应变所预期的。

  DOI：

  10.1016/s0040-4020(01)87979-5

文献信息

• METAL ALKOXIDE COMPOUND, THIN-FILM-FORMING MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THIN FILM, AND ALCOHOL COMPOUND
  申请人：ADEKA CORPORATION

  公开号：US20150175642A1

  公开（公告）日：2015-06-25

  Disclosed is a metal alkoxide compound having physical properties suitable for a material for forming thin films by CVD, and particularly, a metal alkoxide compound having physical properties suitable for a material for forming metallic-copper thin films. A metal alkoxide compound is represented by general formula (I). A thin-film-forming material including the metal alkoxide compound is described as well. (In the formula, R 1 represents a methyl group or an ethyl group, R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 3 represents a C 1-3 linear or branched alkyl group, M represents a metal atom or a silicon atom, and n represents the valence of the metal atom or silicon atom.

  揭示了一种具有适合用于CVD形成薄膜材料的物理性质的金属烷氧化物化合物，特别是一种具有适合用于形成金属铜薄膜材料的金属烷氧化物化合物。金属烷氧化物化合物由通式（I）表示。还描述了包括金属烷氧化物化合物的薄膜形成材料。（在公式中，R1代表甲基基团或乙基基团，R2代表氢原子或甲基基团，R3代表C1-3直链或支链烷基基团，M代表金属原子或硅原子，n代表金属原子或硅原子的价。
• ORGANOMETALLIC COMPOUND AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME
  申请人：SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

  公开号：US20210388010A1

  公开（公告）日：2021-12-16

  An organometallic compound and a method of manufacturing an integrated circuit (IC) device, the organometallic compound being represented by Formula (I),

  一种有机金属化合物和一种制造集成电路（IC）器件的方法，该有机金属化合物由式（I）表示，
• Compound, thin film-forming material, and thin film manufacturing method
  申请人：ADEKA CORPORATION

  公开号：US10253408B2

  公开（公告）日：2019-04-09

  A novel compound represented by the general formula (I) or (II) below: [in the formula, each of R1 and R2 independently represent a C1˜12 hydrocarbon group, and Si(R3)3 is optionally substituted for a hydrogen atom in the hydrocarbon group; however, R1 and R2 are different groups; R3 represents a methyl or ethyl group; M represents a metal atom or silicon atom; and n is an integer from 1 to 4].

  一种新型化合物，其通式为(I)或(II)如下：[在公式中，R1和R2各自独立地代表C1˜12的烃基，且Si(R3)3可选择性地替代烃基中的氢原子；然而，R1和R2是不同的基团；R3代表甲基或乙基；M代表金属原子或硅原子；n是1至4的整数]。
• ALUMINUM COMPOUND AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：US20200207790A1

  公开（公告）日：2020-07-02

  Provided are an aluminum compound and a method for manufacturing a semiconductor device using the same. The aluminum compound may be represented by Formula 1.

  提供了一种铝化合物以及使用它制造半导体器件的方法。该铝化合物可用公式1表示。
• ALKOXIDE COMPOUND, RAW MATERIAL FOR FORMING THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM, AND ALCOHOL COMPOUND
  申请人：ADEKA CORPORATION

  公开号：US20170121358A1

  公开（公告）日：2017-05-04

  An alkoxide compound is represented by General Formula (I) below: wherein R 1 to R 3 each independently represent hydrogen, a C 1-12 hydrocarbon group, etc.; R 4 represents a C 1-12 hydrocarbon group, etc.; L represents hydrogen, halogen, a hydroxyl group, an amino group, an azi group, a phosphido group, a nitrile group, a carbonyl group, a C 1-12 hydrocarbon group, etc.; and M represents a metal atom or a silicon atom, n represents an integer of 1 or more, m represents an integer of 0 or more, and n+m represents the valence of the metal atom or silicon atom.

  一种烷氧化合物由下面的一般式（I）表示：其中R1至R3分别独立表示氢、C1-12烃基等；R4表示C1-12烃基等；L表示氢、卤素、羟基、氨基、假氮基、磷基、腈基、羰基、C1-12烃基等；M表示金属原子或硅原子，n表示1或更多的整数，m表示0或更多的整数，n+m表示金属原子或硅原子的价数。