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4-[(2,2-dimethoxyethyl)amino]pent-3-en-2-one | 193418-49-4

中文名称
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中文别名
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英文名称
4-[(2,2-dimethoxyethyl)amino]pent-3-en-2-one
英文别名
4-(2,2-bis(methoxy)ethylamino)-3-penten-2-one;4-[(2,2-Dimethoxyethyl)amino]pent-3-en-2-one;4-(2,2-dimethoxyethylamino)pent-3-en-2-one
4-[(2,2-dimethoxyethyl)amino]pent-3-en-2-one化学式
CAS
193418-49-4
化学式
C9H17NO3
mdl
——
分子量
187.239
InChiKey
UAPIKKMBHNYDFQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.67
  • 拓扑面积:
    47.6
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    4-[(2,2-dimethoxyethyl)amino]pent-3-en-2-onestrontium diisopropoxide 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 16.0h, 生成 bis(4-[(2,2-dimethoxyethyl)amino]pent-3-en-2-onato)strontium
    参考文献:
    名称:
    Group 2 metal precursors for deposition of group 2 metal oxide films
    摘要:
    本发明涉及含有第二组金属的多齿β-酮亚胺前体和包含第二组金属的多齿β-酮亚胺前体的组合物,其中多齿β-酮亚胺前体在分子的亚胺部分中包含烷氧基。这些化合物和组合物可用于通过化学气相沉积(CVD)过程在基板上制造含金属的薄膜,如硅、金属氮化物、金属氧化物和其他金属层。
    公开号:
    EP2184287A1
  • 作为产物:
    描述:
    氨基乙醛缩二甲醇乙酰丙酮 在 ammonium cerium (IV) nitrate 作用下, 生成 4-[(2,2-dimethoxyethyl)amino]pent-3-en-2-one
    参考文献:
    名称:
    机械化学多组分反应中吡咯前体的轻度和一般合成吡咯并[2,1- a ]异喹啉和相关的多杂环骨架
    摘要:
    在机械化学条件下进行的三组分,无溶剂吡咯合成与TMSOTf催化的氧鎓介导的环化反应的结合,可在非常温和的条件下获得吡咯并[2,1- a ]异喹啉衍生物。这种方法产生的结构多样性通过另外六个非常规多杂环骨架的制备得以扩展。
    DOI:
    10.1021/acs.joc.6b02995
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文献信息

  • High Coordination Sphere Group 2 Metal B-Diketiminate Precursors
    申请人:Norman John Anthony Thomas
    公开号:US20100173075A1
    公开(公告)日:2010-07-08
    The present invention is directed to high coordination sphere Group 2 metal β-diketiminate compositions, such as bis(N-(2,2-methoxyethyl)-4-(2,2-methoxyethylimino)-2-penten-2-aminato) barium; and the deposition of the metals of such metal ligand compositions by chemical vapor deposition, pulsed chemical vapor deposition, molecular layer deposition or atomic layer deposition to produce Group 2 metal containing films, such as barium strontium titanate films or strontium titanate films or barium doped lanthanate as high k materials for electronic device manufacturing.
    本发明涉及高配位球Group 2金属β-二酮亚胺化合物,例如双(N-(2,2-甲氧基乙基)-4-(2,2-甲氧基乙基亚胺基)-2-戊烯-2-氨基) 钡;以及通过化学气相沉积、脉冲化学气相沉积、分子层沉积或原子层沉积沉积此类金属配体化合物的金属,以生产包含Group 2金属的薄膜,例如钡钛酸锶薄膜或钛酸锶薄膜或钡掺杂镧酸盐作为电子器件制造的高k材料。
  • Group 2 Metal Precursors For Deposition Of Group 2 Metal Oxide Films
    申请人:Lei Xinjian
    公开号:US20100119726A1
    公开(公告)日:2010-05-13
    This invention is related to Group 2 metal-containing polydentate β-ketoiminate precursors and compositions comprising Group 2 metal-containing polydentate β-ketoiminate precursors, wherein the polydentate β-ketoiminate precursors incorporate an alkoxy group in the imino portion of the molecule. The compounds and compositions are useful for fabricating metal containing films on substrates such as silicon, metal nitride, metal oxide and other metal layers via chemical vapor deposition (CVD) processes.
    本发明涉及含有第二组金属的多齿β-酮亚胺前体和包含第二组金属的多齿β-酮亚胺前体的组成物,其中多齿β-酮亚胺前体在分子的亚胺部分中包含烷氧基。这些化合物和组成物可用于通过化学气相沉积(CVD)过程在基底上如硅、金属氮化物、金属氧化物和其他金属层上制造含金属的薄膜。
  • High coordination sphere group 2 metal β-diketiminate precursors
    申请人:Air Products and Chemicals, Inc.
    公开号:US08313807B2
    公开(公告)日:2012-11-20
    The present invention is directed to high coordination sphere Group 2 metal β-diketiminate compositions, such as bis(N-(2,2-methoxyethyl)-4-(2,2-methoxyethylimino)-2-penten-2-aminato) barium; and the deposition of the metals of such metal ligand compositions by chemical vapor deposition, pulsed chemical vapor deposition, molecular layer deposition or atomic layer deposition to produce Group 2 metal containing films, such as barium strontium titanate films or strontium titanate films or barium doped lanthanate as high k materials for electronic device manufacturing.
    本发明涉及高配位球Group 2金属β-二酮亚胺配合物,例如双(N-(2,2-甲氧基乙基)-4-(2,2-甲氧基乙基亚胺)-2-戊烯-2-氨基)钡;以及通过化学气相沉积、脉冲化学气相沉积、分子层沉积或原子层沉积沉积这种金属配体组成物的金属以产生Group 2金属含量的薄膜,例如钡钛酸锶薄膜或钛酸锶薄膜或掺钡镧高k材料用于电子器件制造。
  • Mild and General Synthesis of Pyrrolo[2,1-<i>a</i>]isoquinolines and Related Polyheterocyclic Frameworks from Pyrrole Precursors Derived from a Mechanochemical Multicomponent Reaction
    作者:Marco Leonardi、Mercedes Villacampa、J. Carlos Menéndez
    DOI:10.1021/acs.joc.6b02995
    日期:2017.3.3
    synthesis performed under mechanochemical conditions with a TMSOTf-catalyzed oxonium-mediated cyclization gave general access to pyrrolo[2,1-a]isoquinoline derivatives under very mild conditions. The structural diversity generated by this method was extended by the preparation of six additional unusual polyheterocyclic frameworks.
    在机械化学条件下进行的三组分,无溶剂吡咯合成与TMSOTf催化的氧鎓介导的环化反应的结合,可在非常温和的条件下获得吡咯并[2,1- a ]异喹啉衍生物。这种方法产生的结构多样性通过另外六个非常规多杂环骨架的制备得以扩展。
  • Group 2 metal precursors for deposition of group 2 metal oxide films
    申请人:Air Products and Chemicals, Inc.
    公开号:EP2184287A1
    公开(公告)日:2010-05-12
    This invention is related to Group 2 metal-containing polydentate β-ketoiminate precursors and compositions comprising Group 2 metal-containing polydentate β-ketoiminate precursors, wherein the polydentate β-ketoiminate precursors incorporate an alkoxy group in the imino portion of the molecule. The compounds and compositions are useful for fabricating metal containing films on substrates such as silicon, metal nitride, metal oxide and other metal layers via chemical vapor deposition (CVD) processes.
    本发明涉及含有第二组金属的多齿β-酮亚胺前体和包含第二组金属的多齿β-酮亚胺前体的组合物,其中多齿β-酮亚胺前体在分子的亚胺部分中包含烷氧基。这些化合物和组合物可用于通过化学气相沉积(CVD)过程在基板上制造含金属的薄膜,如硅、金属氮化物、金属氧化物和其他金属层。
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