钌(Ru)薄膜生长通过使用一种新的前体的Ru具有增强的反应性,即茹(η原子层沉积(ALD)5 -cycloheptadienyl)2(茹(C
HD)2)和O 2。通过改变Ru前驱体和O 2的进料时间,可以实现Ru ALD过程中的自限生长。低电阻率(10–16μΩcm)的
金属Ru膜在200至300°C的沉积温度下生长,在265°C时Ru ALD期间的每周期生长(
GPC)为0.2至0.4 cy -1。使用新型前体,Ru的孵育时间大大缩短(在Pt和TiN上可忽略不计,在SiO 2上约22个循环))与使用高价Ru前驱体和O 2的Ru ALD相关的那些。Ru膜的特性受基材的影响。具体地,Pt衬底产生非晶膜,而在TiN和SiO 2衬底上生长结晶膜,其中在SiO 2衬底上导致高RuO x含量。