5-乙基四氢化萘 | 42775-75-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 四氢化萘
• 中文名称: 5-乙基四氢化萘
• 英文名称: 5-ethyltetralin
• 英文别名: 5-ethyl-1,2,3,4-tetrahydro-naphthalene；5-Aethyl-1,2,3,4-tetrahydro-naphthalin；5-Aethyltetralin；5-Ethyl-tetralin；Ethyltetralin；Naphthalene, 5-ethyl-1,2,3,4-tetrahydro-；5-ethyl-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene
• CAS: 42775-75-7
• 化学式: C₁₂H₁₆
• mdl: MFCD00216196
• 分子量: 160.259
• InChiKey: WHCKFZOMBDMRLO-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  -44.55°C
• 沸点：
  248.02°C
• 密度：
  0.9730
• 保留指数：
  1354;1304.4;1362
• 稳定性/保质期：
  存在于主流烟气中。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.1
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

安全信息

• 海关编码：
  2902909090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  5-乙基四氢化萘 在 chromium(VI) oxide 、 溶剂黄146 作用下， 生成 3,4-二氢-8-乙基-1(2H)-萘酮
  参考文献：
  名称：

  Effects of alkyl substituents in the chromic acid oxidation of tetralins

  摘要：

  DOI：

  10.1021/jo00926a021
• 作为产物：
  描述：

  邻溴氰苄 在 platinum(IV) oxide 氢氧化钾 、 sodium tetrahydroborate 、 lithium aluminium tetrahydride 、 三氯化铝 、 氯化亚砜 、 [nickel(II)dichloride(1,3-bis(diphenylphosphino)propane)] 、 硫酸 、 氢溴酸 、 氢气 、 sodium ethanolate 、 对甲苯磺酸 作用下， 以 四氢呋喃 、 二硫化碳 、 乙醚 、 乙醇 、 水 、 苯 为溶剂， 170.0 ℃ 、137.9 kPa 条件下， 反应 24.75h， 生成 5-乙基四氢化萘
  参考文献：
  名称：

  Synthesis of biological markers in fossil fuels. 2. Synthesis and carbon-13 NMR studies of substituted indans and tetralins

  摘要：

  DOI：

  10.1021/jo00196a024

文献信息

• Quenched skeletal Ni as the effective catalyst for selective partial hydrogenation of polycyclic aromatic hydrocarbons
  作者：Chengyun Liu、Zeming Rong、Zhuohua Sun、Yong Wang、Wenqiang Du、Yue Wang、Lianhai Lu

  DOI：10.1039/c3ra44871a

  日期：——

  Quenched skeletal Ni is an active and selective catalyst for selective partial hydrogenation of polycyclic aromatic hydrocarbons (PAHs). The molecular structure of PAHs significantly dominate the hydrogenation process and furthermore, the distribution of hydrogenated products.

  淬灭的骨架Ni是一种用于多环芳烃（PAHs）选择性部分加氢的活性和选择性催化剂。PAHs的分子结构显着支配了氢化过程，此外还决定了氢化产物的分布。
• Low temperature reaction of aromatic hydrocarbons with ethylene and solvated electrons
  作者：William E. Russey、Matthias W. Haenel

  DOI：10.1016/s0040-4039(01)82066-9

  日期：1981.1

  A wide variety of aromatic hydrocarbons can be ethylated at benzylic and aromatic positions by treatment with ethylene and potassium in glyme/octaglyme at −25°C.

  通过在-25°C的甘醇二甲醚/八聚体中用乙烯和钾处理，可以在苄基和芳族位置上将多种芳族烃乙基化。
• Stress Relaxation of a Patterned Microstructure on a Diaphragm
  作者：D. W. Zheng、X. H. Wang、K. Shyu、C. Chen、C-T. Chang、K. N. Tu、A. K. Mal、Y. F. Guo

  DOI：10.1557/jmr.2002.0266

  日期：2002.7

  Stress relaxation of a patterned thin film on diaphragms of different material and thickness was investigated through experimental study and numerical simulation. The diaphragm deflections, caused by relaxation of the residual stress in a patterned thin film residing on top, were measured using a Twyman–Green laser interferometer. The first diaphragm used was a Si₃N₄(top)/SiO₂/Si composite diaphragm and the second a 0.5-μm-thick Si₃N₄ membrane. Custom-written simulation software, which uses a novel numerical algorithm named Nonlinear Sequential Analysis (N-LISA), was utilized to calculate the stress distribution in the patterned thin film and the diaphragm substrate. Agreement between the model and the experimental results was satisfactory. Simulation of the system balance between a tensile-stressed circular Ti film and a stress-free Si substrate of different thickness clearly shows a transition in the substrate behavior from a pure plate to a pure membrane. Interestingly, the deflection of the Si substrate caused by the residual stress in the Ti film reaches its maximum at a certain substrate thickness where plate and membrane characteristics coexist. This study addresses some basic mechanics issues involved in modern devices dealing with thin diaphragms.

  通过实验研究和数值模拟，研究了不同材料和厚度的膜片上图案化薄膜的应力松弛。使用 Twyman-Green 激光干涉仪测量了由顶部图案化薄膜的残余应力松弛引起的膜片偏移。第一个膜片使用的是 Si3N4（顶部）/SiO2/Si 复合膜片，第二个膜片使用的是 0.5μm 厚的 Si3N4 薄膜。定制编写的模拟软件采用了一种名为非线性序列分析 (N-LISA) 的新型数值算法，用于计算图案化薄膜和隔膜基底的应力分布。模型与实验结果的一致性令人满意。拉伸应力圆形 Ti 薄膜和不同厚度的无应力 Si 基底之间的系统平衡模拟清楚地显示了基底行为从纯板到纯膜的过渡。有趣的是，钛膜中的残余应力引起的硅基板挠度在一定的基板厚度下达到最大，此时板和膜的特性并存。这项研究解决了处理薄膜片的现代设备所涉及的一些基本力学问题。
• Yalpani, Mohamed; Lunow, Thomas; Koester, Roland, Chemische Berichte, 1989, vol. 122, p. 687 - 694
  作者：Yalpani, Mohamed、Lunow, Thomas、Koester, Roland

  DOI：——

  日期：——
• Dicyclic Hydrocarbons. VIII. 1-Alkylnaphthalenes and Some of their Tetrahydro Derivatives¹
  作者：Harold F. Hipsher、Paul H. Wise

  DOI：10.1021/ja01636a008

  日期：1954.4

表征谱图