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2-(5-oxo-4-oxa-5-homoadamantane-1-yl)oxy-2-oxoethyl methacrylate | 1338917-23-9

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2-(5-oxo-4-oxa-5-homoadamantane-1-yl)oxy-2-oxoethyl methacrylate
英文别名
[2-Oxo-2-[(5-oxo-4-oxatricyclo[4.3.1.13,8]undecan-1-yl)oxy]ethyl] 2-methylprop-2-enoate
2-(5-oxo-4-oxa-5-homoadamantane-1-yl)oxy-2-oxoethyl methacrylate化学式
CAS
1338917-23-9
化学式
C16H20O6
mdl
——
分子量
308.331
InChiKey
UMAMZIYECXBZQJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.2
  • 重原子数:
    22
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.69
  • 拓扑面积:
    78.9
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    6

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

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文献信息

  • MONOMERS, POLYMERS AND PHOTORESIST COMPOSITIONS
    申请人:Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.
    公开号:US20180059545A1
    公开(公告)日:2018-03-01
    In one preferred embodiment, polymers are provided that comprise a structure of the following Formula (I): Photoresists that comprises such polymers also are provided.
    在一个首选实施例中,提供了包含以下化学式(I)结构的聚合物: 还提供了包含这种聚合物的光刻胶。
  • PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS
    申请人:Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.
    公开号:US20170090283A1
    公开(公告)日:2017-03-30
    New photoresists are provided that are useful in a variety of applications, including negative-tone development processes. Preferred resists comprise a first polymer comprising first units comprising a reactive nitrogen-containing moiety spaced from the polymer backbone, wherein the nitrogen-containing moiety produces a basic cleavage product during lithographic processing of the photoresist composition.
    提供了新的光阻剂,可用于各种应用,包括负调色剂开发过程。首选光阻剂包括第一聚合物,其中包括与聚合物骨架间隔的含有反应性氮基团的第一单元,其中氮基团在光刻处理光阻剂组合物期间产生碱性裂解产物。
  • OVERCOAT COMPOSITIONS AND METHODS FOR PHOTOLITHOGRAPHY
    申请人:Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.
    公开号:US20170090287A1
    公开(公告)日:2017-03-30
    Topcoat compositions are provided that are suitably applied above a photoresist composition. Preferred topcoat compositions comprise a first polymer comprising first units comprising a reactive nitrogen-containing moiety spaced from the polymer backbone, wherein the nitrogen-containing moiety produces a basic cleavage product during lithographic processing of the photoresist composition.
    提供了适合应用在光阻剂组合物上方的面漆组合物。首选的面漆组合物包括第一聚合物,其中第一单元包括与聚合物主链相距的含反应性氮基团,氮基团在光刻加工光阻剂组合物时产生碱性裂解产物。
  • MONOMER, POLYMER, POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:US20170008982A1
    公开(公告)日:2017-01-12
    A polymer comprising recurring units derived from a polymerizable monomer having two structures of hydroxyphenyl methacrylate having a hydroxy group substituted with an acid labile group is used as base resin in a positive resist composition, especially chemically amplified positive resist composition. The resist composition forms a resist film which is processed by lithography into a pattern of good profile having a high resolution, minimal edge roughness, and etch resistance.
    一种聚合物,包含由可聚合单体衍生的重复单元,该单体具有两种羟基苯甲酸甲酯结构,羟基上取代有酸不稳定基团,作为正性光刻胶组成中的基础树脂,尤其是化学放大正性光刻胶组成中。该光刻胶组成形成一种光刻胶膜,通过光刻技术加工成具有高分辨率、最小边缘粗糙度和蚀刻抗性的良好轮廓图案。
  • Photoresist compositions and methods
    申请人:Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.
    公开号:US10564542B2
    公开(公告)日:2020-02-18
    New photoresists are provided that are useful in a variety of applications, including negative-tone development processes. Preferred resists comprise a first polymer comprising first units comprising a reactive nitrogen-containing moiety spaced from the polymer backbone, wherein the nitrogen-containing moiety produces a basic cleavage product during lithographic processing of the photoresist composition.
    本文提供的新型光阻可用于多种应用,包括负色调显影工艺。优选的光刻胶由第一种聚合物组成,第一种聚合物由第一单元组成,第一单元包含与聚合物骨架间隔开的活性含氮分子,其中含氮分子在光刻胶组合物的光刻处理过程中产生碱性裂解产物。
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