2,2-dimethyl-5-N-(2-methoxyethyl-imino)-3-hexanone

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氧化合物
• 英文名称: 2,2-dimethyl-5-N-(2-methoxyethyl-imino)-3-hexanone
• 英文别名: 2,2-dimethyl-5-[(2-methoxyethyl)amino]hex-4-en-3-one；2,2-Dimethyl-5-[(2-methoxyethyl)amino]hex-4-en-3-one；5-(2-methoxyethylamino)-2,2-dimethylhex-4-en-3-one
• 化学式: C₁₁H₂₁NO₂
• 分子量: 199.293
• InChiKey: LSCMWBUAWNZGKM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.4
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.73
• 拓扑面积：
  38.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,2-dimethyl-5-N-(2-methoxyethyl-imino)-3-hexanone 在 strontium diisopropoxide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 16.0h， 生成 bis(2,2-dimethyl-5-[(2-methoxyethyl)amino]hex-4-en-3-onato)strontium
  参考文献：
  名称：

  Group 2 metal precursors for deposition of group 2 metal oxide films

  摘要：

  本发明涉及含有第二组金属的多齿β-酮亚胺前体和包含第二组金属的多齿β-酮亚胺前体的组合物，其中多齿β-酮亚胺前体在分子的亚胺部分中包含烷氧基。这些化合物和组合物可用于通过化学气相沉积（CVD）过程在基板上制造含金属的薄膜，如硅、金属氮化物、金属氧化物和其他金属层。

  公开号：

  EP2184287A1
• 作为产物：
  描述：

  2-甲氧基乙胺 、 5,5-二甲己烷2,4-二酮 在 sodium sulfate 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以82%的产率得到2,2-dimethyl-5-N-(2-methoxyethyl-imino)-3-hexanone
  参考文献：
  名称：

  Group 2 metal precursors for deposition of group 2 metal oxide films

  摘要：

  本发明涉及含有第二组金属的多齿β-酮亚胺前体和包含第二组金属的多齿β-酮亚胺前体的组合物，其中多齿β-酮亚胺前体在分子的亚胺部分中包含烷氧基。这些化合物和组合物可用于通过化学气相沉积（CVD）过程在基板上制造含金属的薄膜，如硅、金属氮化物、金属氧化物和其他金属层。

  公开号：

  EP2184287A1

文献信息

• Synthesis and Characterization of Volatile, Fluorine-Free β-Ketoiminate Lanthanide MOCVD Precursors and Their Implementation in Low-Temperature Growth of Epitaxial CeO₂ Buffer Layers for Superconducting Electronics
  作者：Nikki L. Edleman、Anchuan Wang、John A. Belot、Andrew W. Metz、Jason R. Babcock、Amber M. Kawaoka、Jun Ni、Matthew V. Metz、Christine J. Flaschenriem、Charlotte L. Stern、Louise M. Liable-Sands、Arnold L. Rheingold、Paul R. Markworth、Robert P. H. Chang、Michael P. Chudzik、Carl R. Kannewurf、Tobin J. Marks

  DOI：10.1021/ic020299h

  日期：2002.10.1

  substituents on the keto, imino, and ether sites of the ligand. Direct comparison with conventional lanthanide beta-diketonate complexes reveals that the present precursor class is a superior choice for lanthanide oxide MOCVD. Epitaxial CeO(2) buffer layer films can be grown on (001) YSZ substrates by MOCVD at significantly lower temperatures (450-650 degrees C) than previously possible by using one

  已开发出一类新型的挥发性，低熔点，无氟镧系金属有机化学气相沉积（MOCVD）前体。中性单体Ce，Nd，Gd和Er络合物被通用的多齿醚官能化β-酮亚胺基配体系列配位饱和，可通过改变酮基上的烷基取代基来调节其熔点和挥发性，亚氨基和配体的醚位。与常规镧系元素β-二酮酸酯络合物的直接比较表明，当前的前体类别是氧化镧系元素MOCVD的绝佳选择。外延CeO（2）缓冲层膜可以通过MOCVD在（001）YSZ衬底上以比以前使用新开发的β-酮化铈铈前体低得多的温度（450-650摄氏度）生长。在540摄氏度下沉积的薄膜具有良好的面外（Deltaomega = 0.85摄氏度）和面内（Deltaphi = 1.65摄氏度）对准和光滑表面（均方根粗糙度约为4.3 A）。随着沉积温度的升高，膜的生长速率降低并且膜趋于平滑。通过脉冲有机金属分子束外延在这些CeO（2）缓冲层上生长的高质量钇钡铜氧化物（YBCO）膜表现出非常好的电传输性能（T（c）=
• Group 2 Metal Precursors For Deposition Of Group 2 Metal Oxide Films
  申请人：Lei Xinjian

  公开号：US20100119726A1

  公开（公告）日：2010-05-13

  This invention is related to Group 2 metal-containing polydentate β-ketoiminate precursors and compositions comprising Group 2 metal-containing polydentate β-ketoiminate precursors, wherein the polydentate β-ketoiminate precursors incorporate an alkoxy group in the imino portion of the molecule. The compounds and compositions are useful for fabricating metal containing films on substrates such as silicon, metal nitride, metal oxide and other metal layers via chemical vapor deposition (CVD) processes.

  本发明涉及含有第二组金属的多齿β-酮亚胺前体和包含第二组金属的多齿β-酮亚胺前体的组成物，其中多齿β-酮亚胺前体在分子的亚胺部分中包含烷氧基。这些化合物和组成物可用于通过化学气相沉积（CVD）过程在基底上如硅、金属氮化物、金属氧化物和其他金属层上制造含金属的薄膜。