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N-dodecyl D-xylonamide

中文名称
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中文别名
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英文名称
N-dodecyl D-xylonamide
英文别名
(2R,3S,4R)-N-dodecyl-2,3,4,5-tetrahydroxypentanamide
N-dodecyl D-xylonamide化学式
CAS
——
化学式
C17H35NO5
mdl
——
分子量
333.469
InChiKey
GQSHHCDEBSCCRR-OWCLPIDISA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
  • 文献信息
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  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.6
  • 重原子数:
    23
  • 可旋转键数:
    15
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.94
  • 拓扑面积:
    110
  • 氢给体数:
    5
  • 氢受体数:
    5

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    N-dodecyl D-xylonamide吡啶三氧化硫吡啶碳酸氢钠 作用下, 以 为溶剂, 反应 7.0h, 以69%的产率得到sodium N-(n-dodecyl) D-xylonamide 6-sulfate
    参考文献:
    名称:
    新型6-硫酸盐糖基阴离子表面活性剂的合成及界面性质
    摘要:
    合成了三族在单糖的主要位置上带有硫酸盐官能团的阴离子糖基表面活性剂,并比较了它们的理化性质。第一家庭对应于市售的八- 6-硫酸衍生物和十二烷基β- d -葡糖- 和吡喃半乳糖苷。第二个和第三个家族在硫酸化单糖(半乳糖、葡萄糖或木糖)和疏水性烷基链之间包含一个酰胺接头。研究了 12 种合成的阴离子糖脂(包括 9 种新型硫酸化化合物)在空气/液体界面的表面活性和自组装性能。这些糖基表面活性剂的表面特性与商业阴离子表面活性剂(SDS 和 SLES)相似,具有良好的降低表面张力的能力。获得的结果证实了人们对这些新的生物基分子在各种配方中潜在替代阴离子表面活性剂的兴趣。
    DOI:
    10.1016/j.tetlet.2021.153113
  • 作为产物:
    描述:
    D-吡喃木糖 在 Au/Al2O3双氧水potassium carbonate 作用下, 以 甲醇 为溶剂, 反应 6.83h, 生成 N-dodecyl D-xylonamide
    参考文献:
    名称:
    新型6-硫酸盐糖基阴离子表面活性剂的合成及界面性质
    摘要:
    合成了三族在单糖的主要位置上带有硫酸盐官能团的阴离子糖基表面活性剂,并比较了它们的理化性质。第一家庭对应于市售的八- 6-硫酸衍生物和十二烷基β- d -葡糖- 和吡喃半乳糖苷。第二个和第三个家族在硫酸化单糖(半乳糖、葡萄糖或木糖)和疏水性烷基链之间包含一个酰胺接头。研究了 12 种合成的阴离子糖脂(包括 9 种新型硫酸化化合物)在空气/液体界面的表面活性和自组装性能。这些糖基表面活性剂的表面特性与商业阴离子表面活性剂(SDS 和 SLES)相似,具有良好的降低表面张力的能力。获得的结果证实了人们对这些新的生物基分子在各种配方中潜在替代阴离子表面活性剂的兴趣。
    DOI:
    10.1016/j.tetlet.2021.153113
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文献信息

  • COMPOSITIONS BASED ON APG AND AT LEAST ONE ADDITIONAL NONIONIC SUGAR COSURFACTANT
    申请人:HENKEL CORPORATION
    公开号:EP0817605A1
    公开(公告)日:1998-01-14
  • EP0817605A4
    申请人:——
    公开号:EP0817605A4
    公开(公告)日:1999-06-30
  • EP0901513A4
    申请人:——
    公开号:EP0901513A4
    公开(公告)日:2000-11-15
  • SUGAR SURFACTANTS COMBINED WITH SPECIFIC POLYQUATERNIUM COMPONENT
    申请人:HENKEL CORPORATION
    公开号:EP0901513A1
    公开(公告)日:1999-03-17
  • DYE TRANSFER INHIBITION SYSTEM
    申请人:HENKEL CORPORATION
    公开号:EP0975718A1
    公开(公告)日:2000-02-02
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