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1-n-butyl-3-methyl-1,3-cyclopentadiene

中文名称
——
中文别名
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英文名称
1-n-butyl-3-methyl-1,3-cyclopentadiene
英文别名
1-Butyl-3-methylcyclopenta-1,3-diene
1-n-butyl-3-methyl-1,3-cyclopentadiene化学式
CAS
——
化学式
C10H16
mdl
——
分子量
136.237
InChiKey
UFSFPZACYBLGSF-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.2
  • 重原子数:
    10
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.6
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    1-n-butyl-3-methyl-1,3-cyclopentadiene正丁基锂 作用下, 以 四氢呋喃正己烷甲苯 为溶剂, 反应 48.0h, 生成 dimethyl-4-butyl-2-methylcyclopentadienyl-2-methyl-4-(4’-tert-butylphenyl)indenyl silane
    参考文献:
    名称:
    Transition Metal Compound, Catalyst Composition and Method for Preparing Polypropylene Using the Same
    摘要:
    本公开涉及以下化学式1的新型过渡金属化合物,该化合物表现出高氢反应性,具有优异的丙烯聚合催化活性,在制备具有窄分子量分布和低熔点的聚丙烯方面有用。还包括包含该化合物的催化剂组合物和使用该催化剂组合物制备聚丙烯的方法,其中M,X1,X2,R1至R9在此处描述。
    公开号:
    US20220098225A1
  • 作为产物:
    描述:
    3-甲基-2-环戊烯-1-酮正丁基氯化镁magnesium 作用下, 以 四氢呋喃1,2-二溴乙烷甲苯 为溶剂, 反应 6.0h, 以141.5 g的产率得到1-n-butyl-3-methyl-1,3-cyclopentadiene
    参考文献:
    名称:
    ハフニウム化合物とジルコニウム化合物の混合組成物およびその製造方法
    摘要:
    问题:作为烯烃重合催化剂成分,含有50-10000 ppm的铪化合物和锆化合物的混合组合物以及制备所述铪化合物和锆化合合物的混合组合物的方法。解决方案:一种特征在于含有50-10000 ppm的铪化合物和锆化合物的混合组合物,以及通过将具有环戊二烯基骨架的化合物与烷基锂化合物反应产生的反应混合物,与卤化铪化合物和卤化锆化合物混合物反应的方法,用于制备含有铪化合物和锆化合物的混合组合物。【选择图】无
    公开号:
    JP2015113282A
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文献信息

  • GROUP IV ELEMENT CONTAINING PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP IV ELEMENT CONTAINING FILMS
    申请人:L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
    公开号:US20220205099A1
    公开(公告)日:2022-06-30
    A method for forming a Group IV transition metal containing film comprises a) exposing a substrate to a vapor of a Group IV transition metal containing film forming composition; b) exposing the substrate to a co-reactant; and c) repeating the steps of a) and b) until a desired thickness of the Group IV transition metal containing film is deposited on the substrate using a vapor deposition process,
    一种制备含有IV族过渡属薄膜的方法包括以下步骤: a) 将基板暴露在IV族过渡属含有的薄膜形成组合物的蒸汽中; b) 将基板暴露在共同反应物中; c) 重复步骤a)和b),直到使用蒸汽沉积工艺在基板上沉积所需厚度的IV族过渡属含有的薄膜。
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