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yttrium tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate)

中文名称
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中文别名
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英文名称
yttrium tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate)
英文别名
tris(2,6-dimethyl-3,5-heptanedionato)yttrium
yttrium tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate)化学式
CAS
——
化学式
C27H45O6Y
mdl
——
分子量
554.557
InChiKey
FJZOHVLKUONEDU-YXKGCPEZSA-K
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
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  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
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  • 相关功能分类
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    [EN] PROCESSES FOR PREPARING BETA-DIKETONE COMPOUND, METAL COMPLEX THEREOF AND METALLIC COMPOUND
    [FR] PROCEDES DESTINES A LA PREPARATION D'UN COMPOSE B-DICETONE, SON COMPLEXE METALLIQUE ET COMPOSE METALLIQUE
    摘要:
    公开号:
    WO2004110971A3
  • 作为产物:
    描述:
    yttrium(III) nitrate2,6-二甲基-3,5-庚二酮sodium methylate 作用下, 以 甲醇 为溶剂, 反应 1.5h, 以50.2%的产率得到yttrium tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate)
    参考文献:
    名称:
    [EN] PROCESSES FOR PREPARING BETA-DIKETONE COMPOUND, METAL COMPLEX THEREOF AND METALLIC COMPOUND
    [FR] PROCEDES DESTINES A LA PREPARATION D'UN COMPOSE B-DICETONE, SON COMPLEXE METALLIQUE ET COMPOSE METALLIQUE
    摘要:
    公开号:
    WO2004110971A3
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文献信息

  • Large area double‐sided YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7−δ</sub> films grown by single‐source metal‐organic chemical vapor deposition
    作者:Z. Lu、J. K. Truman、M. E. Johansson、D. Zhang、C. F. Shih、G. C. Liang
    DOI:10.1063/1.115283
    日期:1995.7.31
    Thin films of YBa2Cu3O7−δ were sequentially grown on both sides of 3 in. diameter LaAlO3 substrates by a singlesource MOCVD technique to facilitate the fabrication of doublesided high temperature superconductor microwave devices. YBCO films on both sides of the LaAlO3 substrates had thicknesses greater than 4000 A, Tc’s of 87–88.5 K, and microwave surface resistances as low as 23 mΩ at 94 GHz and
    通过单源 MOCVD 技术在 3 英寸直径的 LaAlO3 衬底的两侧依次生长 YBa2Cu3O7-δ 薄膜,以促进双面高温超导微波器件的制造。LaAlO3 基板两侧的 YBCO 薄膜厚度大于 4000 A,Tc 为 87–88.5 K,微波表面电阻在 94 GHz 和 77 K 下低至 23 mΩ(在 10 GHz 下缩放至 260 μΩ)。发现通过辐射加热达到所需值的基板温度在极低表面电阻 YBCO 薄膜的沉积中起着关键作用。具有 19 极前向耦合配置的微波带通滤波器由这些薄膜制成。滤波器表现出优异的性能,耗散损耗低至 0.5 dB。
  • [EN] PROCESSES FOR PREPARING BETA-DIKETONE COMPOUND, METAL COMPLEX THEREOF AND METALLIC COMPOUND<br/>[FR] PROCEDES DESTINES A LA PREPARATION D'UN COMPOSE B-DICETONE, SON COMPLEXE METALLIQUE ET COMPOSE METALLIQUE
    申请人:SHOWA DENKO KK
    公开号:WO2004110971A3
    公开(公告)日:2005-02-24
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