1,2-二甲基-1,3-环戊二烯 | 4784-86-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物 - 不饱和烃
• 中文名称: 1,2-二甲基-1,3-环戊二烯
• 英文名称: 1,2-dimethylcyclopentadiene
• 英文别名: 1,2-dimethyl-1,3-cyclopentadiene；dimethylcyclopentadiene；di-methyl-cyclopentadiene；DIMETHYL CYCLOPENTADIENE；1,2-Dimethyl-cyclopentadien-(1.3)；1,2-dimethylcyclopenta-1,3-diene
• CAS: 4784-86-5
• 化学式: C₇H₁₀
• 分子量: 94.1564
• InChiKey: RYILSJIMFKKICJ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  106.4±7.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.846±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.7
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.43
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,2-二甲基-1,3-环戊二烯 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醚 、 正己烷 为溶剂， 反应 12.0h， 以3.8 g的产率得到1,2-dimethylcyclopentadienyl lithium
  参考文献：
  名称：

  メタロセン化合物、それを含むオレフィン重合用触媒成分およびオレフィン重合用触媒、並びにそのオレフィン重合用触媒を用いたオレフィン重合体の製造方法

  摘要：

  这是一项关于高重合活性和生成大量低结晶度支链的茂金属化合物以及包含该化合物的烯烃聚合用催化剂成分和烯烃聚合用催化剂的专利课题，以及使用这些烯烃聚合用催化剂制备烯烃聚合体的方法。解决方案是使用下面通用式（1）所示的茂金属化合物。【选择图】无

  公开号：

  JP2016172714A
• 作为产物：
  描述：

  3,4-二甲基-2-环戊酮 在 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 生成 1,2-二甲基-1,3-环戊二烯
  参考文献：
  名称：

  Davies, Alwyn G.; Lusztyk, Ewa; Lusztyk, Janusz, Journal of the Chemical Society. Perkin transactions II, 1982, p. 729 - 736

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Chemistry of gem-dihalocyclopropanes—VI
  作者：L. Skattebøfl

  DOI：10.1016/0040-4020(67)85060-9

  日期：1967.1

  1-dibromo-2-vinylcyclopropane derivatives with MeLi yielded cyclopentadienes as the main products together with small amounts of allenic compounds (Table 1). By the same reaction 2,2,2′,2′-tetrabromobicyclopropyl derivatives yielded, in all but one case, only small amounts of diallenes; the exception is the exclusive formation of 2,7-dimethyl-2,3,5,6-octatetraene, (XIII) from 2,2,2′,2′-tetrabromo-3,3,3′,

  1，1-二溴-2-乙烯基环丙烷衍生物与MeLi的反应生成环戊二烯作为主要产物以及少量的烯丙基化合物（表1）。通过相同的反应，除一种情况外，2,2,2'，2'-四溴二环丙基衍生物仅产生少量的二烯；唯一的例外是由2,2,2'，2'-四溴-3,3,3'，3'-四甲基双环丙基仅形成2,7-二甲基-2,3,5,6-辛酸（XIII） （十二）。从另外两个反应中，主要产物分别鉴定为2，6-二甲基富勒烯（XVI）和1，2-二甲基富勒烯（XVIII）。讨论了导致环状化合物重排的可能机理。
• Substitution in the cyclopentadienide anion series
  作者：S. McLean、P. Haynes

  DOI：10.1016/s0040-4020(01)93886-4

  日期：1965.1

  It is shown that the cyclopentadienide anion can undergo an electrophilic substitution. In methylation reactions it was possible to stop the reaction at the intermediate 5-substituted cyclopentadiene stage. In the methylcyclopentadienide anion, the methyl group directs an electrophile to the adjacent carbon atom.

  结果表明，环戊二烯阴离子可以进行亲电取代。在甲基化反应中，可以在中间的5-取代的环戊二烯阶段终止反应。在甲基环戊二烯阴离子中，甲基将亲电子体引导至相邻的碳原子。
• Bis(di-, tri- or tetra-substituted-cyclopentadienyl)-zirconium dihalides
  申请人：Chisso Corporation

  公开号：US04874880A1

  公开（公告）日：1989-10-17

  Bis(di-, tri- or tetra-substituted-cyclopentadienyl)zirconium dihalides represented by the following general formula [I] are provided, ##STR1## (wherein R.sup.1 denotes a substituent group on the cyclopentadienyl ring which is an alkyl radical of 1 to 5 carbon atoms; R.sub.2.sup.1 --C.sub.5 H.sub.3 stands for a di-substituted cyclopentadienyl radical; and X is a halogen atom). This compound, when combined with an aluminoxane repesented by the following general formula [VII], gives a high-activity catalyst for the synthesis of polyolefins, ##STR2## (wherein m is an integer of 4 to 20; and R.sup.2 denotes a hydrocarbyl radical).

  提供下列一般式[I]所表示的二取代、三取代或四取代环戊二烯基锆二卤化物，其中：##STR1##（其中R1表示环戊二烯基环上的取代基，为1至5个碳原子的烷基基团；R2 1-C5 H3表示二取代环戊二烯基基团；X为卤素原子）。当此化合物与下列一般式[VII]所表示的铝烷氧化物结合时，可得到用于合成聚烯烃的高活性催化剂：##STR2##（其中m为4至20的整数；R2表示烃基基团）。
• GROUP IV ELEMENT CONTAINING PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP IV ELEMENT CONTAINING FILMS
  申请人：L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

  公开号：US20220205099A1

  公开（公告）日：2022-06-30

  A method for forming a Group IV transition metal containing film comprises a) exposing a substrate to a vapor of a Group IV transition metal containing film forming composition; b) exposing the substrate to a co-reactant; and c) repeating the steps of a) and b) until a desired thickness of the Group IV transition metal containing film is deposited on the substrate using a vapor deposition process,

  一种制备含有IV族过渡金属薄膜的方法包括以下步骤： a) 将基板暴露在IV族过渡金属含有的薄膜形成组合物的蒸汽中； b) 将基板暴露在共同反应物中； c) 重复步骤a)和b)，直到使用蒸汽沉积工艺在基板上沉积所需厚度的IV族过渡金属含有的薄膜。
• Holm, K.H.; Skatteboel, L., Acta chemica Scandinavica. Series B: Organic chemistry and biochemistry, 1985, vol. 39, # 7, p. 549 - 562
  作者：Holm, K.H.、Skatteboel, L.

  DOI：——

  日期：——

表征谱图